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微波功率GaAs FET

微波半导体

TIM5359-4SL

技术参数

特点

低互调失真

IM3 = -45 dBc的在噘= 25.5dBm

单载波电平

高功率

P1dB为36.5dBm =在5.3GHz到5.9GHz

高增益

G1dB = 9.5分贝在5.3GHz到5.9GHz

宽带内部匹配FET

密封包装

RF性能规格

特征

在1分贝增益输出功率

压缩点

功率增益1分贝增益

压缩点

漏电流

增益平坦度

功率附加效率

阶互调

失真

漏电流

通道温度上升

符号

1dB

DS1

ΔG

（ TA = 25

C )

单位

DBM

dBc的

分钟。

35.5

8.5

-42

典型值。马克斯。

36.5

9.5

1.1

-45

1.1

1.3

±0.6

1.3

条件

VDS=10V

F = 5.3 5.9GHz

添加

IM3

IDS2

ΔTch

双音测试

Po=25.5dBm

（单载波电平）

（ VDS X IDS +引脚 - 的P1dB ）

X的Rth （ C-C ）

推荐的栅极电阻（RG）：150

（ MAX 。）

电气特性

特征

跨

捏-O FF电压

饱和漏极电流

栅源击穿

电压

热阻

符号

（ TA = 25

C )

单位

C / W

分钟。

-1.0

-5

典型值。

900

-2.5

2.6

4.5

马克斯。

-4.0

6.5

GSoff

DSS

GSO

TH（ C-C ）

条件

= 3V

= 1.5A

= 15毫安

= 0V

= -50μA

渠道情况

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任

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没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。这是为此建议联系东芝

以前在进行设备纳入本产品的设计。

修订版2006年7月

TIM5359-4SL

绝对最大额定值

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

总功率耗散（TC = 25

通道温度

储存温度

（ TA = 25

C )

符号

英镑

单位

等级

-5

3.5

23.1

175

-65到+175

包装外形（ 2-11D1B ）

以毫米单位

（ 1 ）门

（ 2 ）资料来源

（ 3 ）排水

注意事项关于封装模式

烙铁应接地和工作时间不应超过10秒

在260℃下。

TIM5359-4SL

射频性能

输出功率（噘）与频率的关系

=10V

1.1A

Pin=27.0dBm

的Pout （ dBm的）

5.3

5.4

5.5

5.6

5.7

5.8

5.9

频率（GHz ）

输出功率（噘）与输入功率（PIN）

freq.=5.9GHz

=10V

1.1A

噘

的Pout （ dBm的）

ηadd

PIN （ DBM）

ηadd （％）

TIM5359-4SL

功耗对比外壳温度

(W)

1 20

TC （ ℃ ）

16 0

20 0

IM3与输出功率特性

-10

=10V

1.1A

-20

freq.=5.9GHz

Δf=5MHz

-30

IM3 （ DBC）

-40

-50

-60

的Pout （ dBm的） @Single载波电平

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