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微波功率GaAs FET
微波半导体
TIM5053-16SL
技术参数
特点
低互调失真
IM3 = -45 dBc的在噘= 31.5dBm
单载波电平
高功率
P1dB为42.5dBm =在5.0GHz的到5.3GHz
高增益
G1dB = 8.5分贝在5.0GHz的到5.3GHz
宽带内部匹配FET
密封包装
RF性能规格
特征
在1分贝增益输出功率
压缩点
功率增益1分贝增益
压缩点
漏电流
增益平坦度
功率附加效率
3
rd
阶互调
失真
漏电流
通道温度上升
符号
P
1dB
G
1dB
I
DS1
ΔG
（ TA = 25
°
C )
单位
DBM
dB
A
dB
%
dBc的
A
°
C
分钟。
41.5
7.5
-42
典型值。马克斯。
42.5
8.5
4.4
35
-45
4.4
5.0
±0.6
5.0
80
条件
VDS=10V
F = 5.0 5.3GHz
η
添加
IM3
IDS2
ΔTch
双音测试
Po=31.5dBm
（单载波电平）
（ VDS X IDS +引脚 - 的P1dB ）
X的Rth （ C-C ）
推荐的栅极电阻（RG） ：100
Ω
（ MAX 。 ）
电气特性
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
（ TA = 25 ° C）
单位
mS
V
A
V
°
C / W
分钟。
-1.0
-5
典型值。
3600
-2.5
10.5
1.5
马克斯。
-4.0
2.0
Gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH（ C-C ）
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 6.0A
V
DS
=
3V
I
DS
= 60毫安
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -200μA
渠道情况
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任
专利的任何侵犯第三方或其他权利承担TOSHIBA ，就可能导致其使用，
没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。这是为此建议联系东芝
以前在进行设备纳入本产品的设计。
修订版2006年7月
TIM5053-16SL
绝对最大额定值
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功率耗散（TC = 25
°
C)
通道温度
储存温度
（ TA = 25
°
C )
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
英镑
单位
V
V
A
W
°
C
°
C
等级
15
-5
14.0
75
175
-65到+175
包装外形（ 2-16G1B ）
以毫米单位
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
注意事项关于封装模式
烙铁应接地和工作时间不应超过10秒
在260℃下。
2
TIM5053-16SL
射频性能
输出功率（噘）与频率的关系
V
DS
=10V
的Pout （ dBm的）
I
DS
4.4A
43
42
41
Pin=34.0dBm
5.0
5.1
5.2
5.3
频率（GHz ）
输出功率（噘）与输入功率（PIN）
45
freq.=5.3GHz
44
43
42
V
DS
=10V
I
DS
4.4A
80
噘
70
60
50
40
的Pout （ dBm的）
41
40
39
38
37
36
27
29
31
33
35
37
ηadd
30
20
10
PIN （ DBM）
3
ηadd （％）
TIM5053-16SL
功耗对比外壳温度
90
60
PT （W）的
30
0
0
40
80
120
160
200
TC （ ℃）
IM3与输出功率特性
-10
V
DS
=10V
I
DS
4.4A
-20
freq.=5.3GHz
Δf=5MHz
-30
IM3(dBc)
-40
-50
-60
27
29
31
33
35
37
的Pout （ dBm的） @Single载波电平
4
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