微波功率GaAs FET
微波半导体
技术参数
特点
n
高POWERT
P1dB为39.5dBm =在4.4GHz到5.0GHz的
n
高增益
G1dB = 9.5分贝在4.4GHz到5.0GHz的
TIM4450-8SL
初步
n
宽带内部匹配
n
密封包装
RF性能参数( TA = 25 ° C)
特征
符号
条件
输出功率在1分贝
P
1dB
压缩点
VDS = 10V
功率增益为1分贝
G
1dB
F = 4.4 5.0GHz的
压缩点
漏电流
I
DS1
增益平坦度
G
η
添加
功率附加效率
3
rd
阶互调
IM3
失真
记
漏电流
IDS2
总胆固醇
通道温度上升
V
DS
X我
DS
个R
TH( C-C )
注:两个音测试, PO = 28.5dBm (单载波电平)
单位
DBM
dB
A
dB
%
dBc的
A
°
C
分钟。
38.5
8.5
-42
典型值。马克斯。
39.5
9.5
2.2
36
-45
2.2
2.6
±
0.6
2.6
80
电气特性(Ta = 25 ° C)
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 3.0A
V
DS
=
3V
I
DS
= 30毫安
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -100
A
渠道情况
单位
mS
V
A
V
°
C / W
Gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH( C-C )
分钟。
-1.0
-5
典型值。
1800
-2.5
5.2
2.5
马克斯。
-4.0
7.0
3.8
u
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任
专利的任何侵犯第三方或其他权利承担TOSHIBA ,就可能导致其使用,
没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。这是为此建议联系东芝
以前在进行设备纳入本产品的设计。
2002年6月
微波功率GaAs FET
微波半导体
技术参数
特点
n
高POWERT
P1dB为39.5dBm =在4.4GHz到5.0GHz的
n
高增益
G1dB = 9.5分贝在4.4GHz到5.0GHz的
TIM4450-8SL
初步
n
宽带内部匹配
n
密封包装
RF性能参数( TA = 25 ° C)
特征
符号
条件
输出功率在1分贝
P
1dB
压缩点
VDS = 10V
功率增益为1分贝
G
1dB
F = 4.4 5.0GHz的
压缩点
漏电流
I
DS1
增益平坦度
G
η
添加
功率附加效率
3
rd
阶互调
IM3
失真
记
漏电流
IDS2
总胆固醇
通道温度上升
V
DS
X我
DS
个R
TH( C-C )
注:两个音测试, PO = 28.5dBm (单载波电平)
单位
DBM
dB
A
dB
%
dBc的
A
°
C
分钟。
38.5
8.5
-42
典型值。马克斯。
39.5
9.5
2.2
36
-45
2.2
2.6
±
0.6
2.6
80
电气特性(Ta = 25 ° C)
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 3.0A
V
DS
=
3V
I
DS
= 30毫安
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -100
A
渠道情况
单位
mS
V
A
V
°
C / W
Gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH( C-C )
分钟。
-1.0
-5
典型值。
1800
-2.5
5.2
2.5
马克斯。
-4.0
7.0
3.8
u
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专利的任何侵犯第三方或其他权利承担TOSHIBA ,就可能导致其使用,
没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。这是为此建议联系东芝
以前在进行设备纳入本产品的设计。
2002年6月