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微波功率GaAs FET

微波半导体

TIM3742-8SL-341

技术参数

特点

低互调失真

IM3 = -45 dBc的在噘= 28.5dBm

单载波电平

高功率

P1dB为39.5dBm =在3.3GHz至3.6GHz的

高增益

G1dB = 10.0分贝在3.3GHz至3.6GHz的

宽带内部匹配FET

密封包装

RF性能参数（ TA = 25

C )

特征

在1分贝增益输出功率

压缩点

功率增益1分贝增益

压缩点

漏电流

增益平坦度

功率附加效率

阶互调

失真

漏电流

通道温度上升

符号

1dB

DS1

条件

单位

DBM

dBc的

分钟。

38.5

10.0

-42

典型值。马克斯。

39.5

2.2

-45

2.2

2.6

±0.6

2.6

VDS = 10V

F = 3.3 3.6GHz的

添加

IM3

IDS2

ΔTch

双音测试

Po=28.5dBm

（单载波电平）

（ VDS X IDS +引脚 - 的P1dB ）

X的Rth （ C-C ）

推荐的栅极电阻（RG）：150

（ MAX 。）

电气特性（ TA = 25

C )

特征

跨

捏-O FF电压

饱和漏极电流

栅源击穿

电压

热阻

符号

条件

= 3V

= 2.6A

= 35毫安

= 0V

= -105A

渠道情况

单位

C / W

分钟。

-1.0

-5

典型值。

1600

-2.5

5.0

2.3

马克斯。

-4.0

3.8

GSoff

DSS

GSO

TH（ C-C ）

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以前在进行设备纳入本产品的设计。

启六月， 2006年

TIM3742-8SL-341

绝对最大额定值（ TA = 25

C )

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

总功率耗散（TC = 25

通道温度

储存温度

符号

英镑

单位

等级

-5

6.5

39.5

175

-65到+175

包装外形（ 2-11D1B ）

0.6

0.15

4-C1.2

4.0分钟。

以毫米单位

(1)

（ 1 ）门

（ 2 ）资料来源

（ 3 ）排水

12.9

0.2

5.0最大。

2.6

0.3

4.0分钟。

3.2

0.3

(2)

(3)

0.3

0.2

11.0最大。

+0.1

0.1

-0.05

注意事项关于封装模式

烙铁应接地和工作时间不应超过10秒

在260℃下。

1.6

0.3

最大0.2 。

TIM3742-8SL-341

射频性能

输出功率（噘）与频率的关系

=10V

2.2A

的Pout （ dBm的）

Pin=28.5dBm

3.3

3.4

3.5

3.6

频率（GHz ）

输出功率（噘）与输入功率（PIN）

freq.=3.6GHz

=10V

2.2A

噘

的Pout （ dBm的）

ηadd

PIN （ DBM）

ηadd

(%)

TIM3742-8SL-341

PO宽E R D所I S S I PA T I O 4 N V秒。 C A性S E T E M PE R A牛逼ü

功耗对比外壳温度

5 0

4 0

3 0

(W)

PT （W）的

2 0

1 0

4 0

8 0

T C （ ℃ ）

TC （ ℃）

1 2 0

1 6 0

2 0 0

IM3与输出功率特性

= 10 V

2.2A

频率= 3.45GHz

F = 5MHz时

-20

-30

IM3 （ DBC）

-40

-50

-60

宝（ DBM） @单载波电平

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