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微波功率GaAs FET
微波半导体
TIM3438-16SL
初步
技术参数
特点
n
低互调失真
IM3 = -45 dBc的在噘= 31.5dBm
单载波电平
n
高功率
P1dB为42.5dBm =在3.4 GHz至3.8GHz
n
高增益
G1dB = 12.5分贝在3.4GHz的至3.8GHz
n
宽带内部匹配FET
n
密封包装
RF性能参数（ TA = 25
°
C )
特征
在1分贝增益输出功率
压缩点
功率增益1分贝增益
压缩点
漏电流
增益平坦度
功率附加效率
三阶互调
失真
漏电流
通道温度上升
符号
P
1dB
G
1dB
I
DS1
G
条件
单位
DBM
dB
A
dB
%
dBc的
A
°
C
分钟。
41.5
11.5
-42
典型值。马克斯。
42.5
12.5
4.4
38
-45
4.4
5.0
±0.8
5.0
100
VDS = 10V
F = 3.4至3.8GHz
η
添加
IM
3
I
DS2
ΔTch
双音测试
Po=31.5dBm
（单载波电平）
（ VDS X IDS +引脚的P1dB ）
X的Rth （ C-C ）
推荐的栅极电阻（RG） ：100
（ MAX 。 ）
电气特性（ TA = 25
°
C )
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH（ C-C ）
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 5.2A
V
DS
= 3V
I
DS
= 70毫安
V
DS
= 3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -210
A
渠道情况
单位
mS
V
A
V
°
C / W
分钟。
-1.0
-5
典型值。
3200
-2.5
10
1.4
马克斯。
-4.0
2.0
u
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以前在进行设备纳入本产品的设计。
修订版2006年6月
TIM3438-16SL
绝对最大额定值（ TA = 25
°
C )
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功率耗散（TC = 25
°
C)
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
英镑
单位
V
V
A
W
°
C
°
C
等级
15
-5
13
75
175
-65到+175
包装外形（ 2-16G1B ）
0.7
±
0.15
4
–
C1.0
(1)
以毫米单位
2.5分钟。
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
(2)
(2)
(3)
20.4
±
0.3
0.1 -
0.05
24.5最大。
16.4 MAX 。
+0.1
2.5分钟。
2.6
±
0.3
17.4
±
0.4
8.0
±
0.2
最大0.2 。
1.4
±
0.3
注意事项关于封装模式
烙铁应接地和工作时间不应超过10秒
在260℃下。
2
2.4
±
0.3
5.5最大。
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推荐型号
TLC0831CD
TLV2781IDBVRG4
TMV1212D
TSV1212S
TPS77701D
TB61
TLV2781IP
TISP7320F3DR
TX36/23/15-3E5
TL384X
TPS76930DBVTG4
TGA6345-EEU
TA648B
TL070MD
TMP175AIDGKRG4
TC74AC32FT
TAS5142DDVG4
TB429
TC1303C-AA2EMF
TP3067WM
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    TIM3438-16SL
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