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微波功率GaAs FET

微波半导体

TIM1414-18L

技术参数

特点

高功率

宽带内部匹配FET

P1dB为42.5dBm =在14.0GHz至14.5GHz

高增益

密封包装

G1dB = 6.0分贝在14.0GHz至14.5GHz

低互调失真

IM3 （分钟） = - 25dBc宝= 36dBm的单载波电平

RF性能规格

特征

在1分贝增益输出功率

压缩点

功率增益1分贝增益

压缩点

漏电流

功率附加效率

三阶互调

失真

漏电流

通道温度上升

DS2

ΔTch

DS1

1dB

符号

1dB

（ TA = 25

C )

单位

DBM

分钟。

42.0

5.0

-25

典型值。马克斯。

42.5

6.0

5.5

6.0

100

条件

VDS

= 9

IDSQ4.4A

= 14.0 14.5GHz

添加

双音测试

宝= 36.0dBm

（单载波电平）

（ VDS X IDS +引脚 - 的P1dB ）

X的Rth （ C-C ）

dBc的

推荐的栅极电阻（RG）： RG = 100

（ MAX 。）

电气特性

特征

跨

捏-O FF电压

饱和漏极电流

栅源击穿

电压

热阻

符号

（ TA = 25

C )

单位

C / W

分钟。

-0.7

-5

典型值。马克斯。

4500

-2.8

10.0

1.8

-4.5

2.3

条件

= 3V

= 4.8A

= 145毫安

= 0V

= -145

GSoff

DSS

GSO

TH（ C-C ）

渠道情况

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没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。

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以前在进行设备纳入本产品的设计。

修订版2006年6月

TIM1414-18L

绝对最大额定值

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

总功率耗散（TC = 25

通道温度

存储

（ TA = 25

C )

符号

英镑

单位

等级

-5

11.5

175

-65到+175

包装外形（ 2-11C1B ）

以毫米单位

（ 1 ）门

（ 2 ）资料来源

（ 3 ）排水

注意事项关于封装模式

烙铁应接地和工作时间不应超过10秒

在260℃下。

TIM1414-18L

射频性能

41.7

42.1

42.3

42.1

41.7

输出功率与频率的关系

宝（ DBM）

= 9V

DSQ

4.4A

PIN = 36.5dBm

13.5

13.75

14.25

14.5

14.75

频率（GHz ）

输出功率与输入功率

的Pout （ dBm的）

PIN （ DBM）

f=14.25GHz

= 9V

DSQ

4.4A

IDS （ A）

IDS

TIM1414-18L

功耗对比外壳温度

100

PT （W）的

TC （ ℃）

120

160

200

IM3与输出功率特性

-20

= 9V

DSQ

4.4A

F = 14.25GHz

F = 5MHz时

-30

IM3(dBc)

-40

-50

-60

宝（DBM ），单载波电平

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