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微波功率GaAs FET

微波半导体

TIM1414-15L

技术参数

特点

低互调失真

IM3 = -45 dBc的在噘= 30.0dBm

单载波电平

高功率

P1dB为42.0dBm =在14.0GHz至14.5GHz

高增益

G1dB = 6.0分贝在14.0 GHz至14.5GHz

宽带内部匹配FET

密封包装

RF性能参数（ TA = 25

C )

特征

在1分贝增益输出功率

压缩点

功率增益1分贝增益

压缩点

漏电流

增益平坦度

功率附加效率

阶互调

失真

漏电流

通道温度上升

符号

1dB

DS1

条件

单位

DBM

dBc的

分钟。

41.0

5.0

-42

典型值。马克斯。

42.0

6.0

4.5

-45

4.5

5.5

±0.8

5.5

100

VDS = 9V

F = 14.0 14.5GHz

添加

IM3

IDS2

ΔTch

双音测试

宝= 30.0 dBm的

（单载波电平）

（ VDS X IDS +引脚 - 的P1dB ）

X的Rth （ C-C ）

推荐的栅极电阻（RG）： RG = 100

（ MAX 。）

电气特性（ TA = 25

C )

特征

跨

捏-O FF电压

饱和漏极电流

栅源击穿

电压

热阻

符号

条件

= 3V

= 4.8A

= 145毫安

= 0V

= -145A

渠道情况

单位

C / W

分钟。

-1.5

-5

典型值。

3000

-3.0

10.0

2.0

马克斯。

-4.5

2.5

GSoff

DSS

GSO

TH（ C-C ）

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没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。

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以前在进行设备纳入本产品的设计。

修订版2006年7月

TIM1414-15L

绝对最大额定值（ TA = 25

C )

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

总功率耗散（TC = 25

通道温度

储存温度

符号

英镑

单位

等级

-5

11.5

175

-65到+175

包装外形（ 2-11C1B ）

2.0分钟。

以毫米单位

4-R3.0

(1)

(2)

（ 1 ）门

(2)

（ 2 ）资料来源

12.9±0.2

3.2±0.3

（ 3 ）排水

(3)

0.6±0.15

17.0±0.3

21.5最大..

0.1

-0.0

+0.1

最大0.2 。

注意事项关于封装模式

烙铁应接地和工作时间不应超过10秒

在260℃下。

1.7±0.3

2.6±0.3

5.0最大。

11.0最大。

2.0分钟。

TIM1414-15L

射频性能

输出功率（噘）与频率的关系

的Pout （ dBm的）

VDS=9V

IDS4.5A

PIN = 36.0 dBm的

14.0

14.25

14.5

频率（GHz ）

输出功率（噘）与输入功率（PIN）

freq.=14.5GHz

VDS=9V

IDS4.0A

噘

的Pout （ dBm的）

ηadd

PIN （ DBM）

ηadd （％）

TIM1414-15L

功耗（ PT ）与外壳温度（TC ）

PT （W）的

TC （

C )

120

160

200

IM3与输出功率特性

-10

VDS=9V

-20

freq.=14.5GHz

f=5MHz

-30

IM3(dBc)

-40

-50

-60

的Pout （ dBm的） @Single载波电平

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