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东芝
微波功率GaAs FET
低失真内部匹配功率GaAs场效应管（X ， Ku波段）
特点
低互调失真
- IM
3
= -45 dBc的宝= 25 dBm时，
- 单载波电平
高功率
- P
1dB
= 36.5 dBm的12.7 GHz到13.2 GHz的
高增益
- G
1dB
= 7.5分贝12.7 GHz到13.2 GHz的
广泛的波段内部匹配
密封包装
RF性能的特定网络连接的阳离子（ TA = 25
°
C)
特征
输出功率在1分贝
压缩点
功率增益为1分贝
压缩点
漏电流
增益平坦度
功率增加外汇基金fi效率
三阶互调失真
漏电流
通道温升
符号
P
1dB
G
1dB
I
DS1
G
η
添加
IM
3
I
DS2
T
ch
V
DS
xI
DS
xR
TH（ C-C ）
注1
A
°
C
–
–
1.7
–
2.2
70
条件
单位
DBM
dB
A
dB
%
dBc的
分钟。
35.5
6.5
–
–
–
-42
典型值。
36.5
7.5
1.7
–
24
-45
最大
–
–
2.2
±
0.8
–
–
TIM1213-4L
V
DS
= 9V
F = 12.7 13.2 GHz的
注1 ： 2音频测试（噘= 25 dBm的单载波电平） 。
电气特性（Ta = 25
°
C)
特征
跨导
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿电压
热阻
符号
gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH（ C-C ）
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 2.0A
V
DS
= 3V
I
DS
= 60毫安
V
DS
= 3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -60
A
通道
到案
单位
mS
V
A
V
°
C / W
分钟。
–
-2
–
-5
–
典型值。
1200
-3.5
4.0
–
2.9
最大
–
-5
5.2
–
3.5
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设备（的网络连接的CE设备，通信设备，测量设备，国内ELECTRI网络阳离子等），请确保您与我们协商，然后再在分析装备使用这些东芝的产品之前，
ments需要较高的质量和/或可靠性，并在其中可能主要影响到人类生活（原子能控制，飞船，科幻TRAF C信号，燃烧控制，各类福利设备
的安全装置，等等）。东芝不能接受责任这些东芝产品使用在上述设备不与东芝事先协商可能发生的情况下的任何损坏。
东芝公司
MW50230196
1/4
TIM1213-4L
绝对最大额定值（ TA = 25
°
C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功率耗散（T
c
= 25
°
C)
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
英镑
单位
V
V
A
W
C
C
等级
15
-5
5.2
30
175
-65~175
封装外形（ 2-9D1A ）
操作注意事项的包装类型
烙铁应接地，工作时间不应超过10秒260
°
C.
2/4
MW50230196
东芝公司
TIM1213-4L
RF性能
东芝公司
MW50230196
3/4
TIM1213-4L
功耗对比外壳温度
IM
3
与输出功率特性
4/4
MW50230196
东芝公司
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