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微波功率GaAs FET
微波半导体
TIM1011-8L
技术参数
特点
低互调失真
IM3 = -45 dBc的在噘= 28.0dBm
单载波电平
高功率
的P1dB = 39.5 dBm的10.7 GHz到11.7 GHz的
高增益
G1dB = 6.0分贝在10.7 GHz到11.7 GHz的
宽带内部匹配FET
密封包装
RF性能规格
特征
在1分贝增益输出功率
压缩点
功率增益1分贝增益
压缩点
漏电流
功率附加效率
3
rd
阶互调
失真
漏电流
通道温度上升
符号
P
1dB
G
1dB
I
DS1
（ TA = 25
°
C )
单位
DBM
dB
A
%
dBc的
A
°
C
分钟。
38.5
5.0
-42
典型值。马克斯。
39.5
6.0
3.4
22
-45
3.4
4.4
4.4
80
条件
VDS = 9V
F = 10.7到11.7GHz
η
添加
IM3
IDS2
ΔTch
双音测试
PO = 28 。为0dBm
（单载波电平）
（ VDS X IDS +引脚 - 的P1dB ）
X的Rth （ C-C ）
推荐的栅极电阻（RG） ： RG = 150
Ω
（ MAX 。 ）
电气特性（Ta = 25 ° C）
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH（ C-C ）
条件
V
DS
= 3V
I
DS
= 4.0 A
V
DS
=
3V
I
DS
= 120毫安
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -120μA
渠道情况
单位
mS
V
A
V
°
C / W
分钟。
-2.0
-5
典型值。
2400
-3.5
8.0
1.6
马克斯。
-5.0
2.5
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任
专利的任何侵犯第三方或其他权利承担TOSHIBA ，就可能导致其使用，
没有获发牌照以暗示或以其他方式在东芝或他人的任何专利或专利权。
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。这是为此建议联系东芝
以前在进行设备纳入本产品的设计。
2007年五月牧师
TIM1011-8L
绝对最大额定值
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
总功率耗散（TC = 25
°
C)
通道温度
储存温度
（ TA = 25
°
C )
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
T
T
ch
T
英镑
单位
V
V
A
W
°
C
°
C
等级
15
-5
10.4
60
175
-65到+175
包装外形（ 2-11C1B ）
以毫米单位
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
注意事项关于封装模式
烙铁应接地和工作时间不应超过10秒
在260℃下。
2
TIM1011-8L
射频性能
输出功率（噘）与频率的关系
的Pout （ dBm的）
VDS=9V
41
40
39
38
37
IDS3.4A
PIN = 33.5 dBm的
10.7
11.2
11.7
频率（GHz ）
输出功率（噘）与输入功率（PIN）
42
freq.=11.7GHz
41
40
39
VDS=9V
IDS3.4A
噘
40
30
的Pout （ dBm的）
37
36
35
34
33
27
29
31
33
35
37
20
ηadd
10
0
PIN （ DBM）
3
ηadd （％）
38
TIM1011-8L
功耗（ PT ）与外壳温度（TC ）
60
PT （W）的
30
0
0
40
80
TC （
°
C )
120
160
200
IM3与输出功率特性
-10
VDS=9V
-20
freq.=11.7GHz
Δf=5MHz
-30
IM3(dBc)
-40
-50
-60
23
25
27
29
31
33
的Pout （ dBm的） @Single载波电平
4
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