东芝
微波半导体
技术参数
特点
微波功率GaAs FET
TIM1011-2L
高功率
P1dB为33.5dBm =在10.7GHz至11.7GHz
高增益
G1dB = 7.5分贝在10.7GHz至11.7GHz
宽带内部匹配
密封包装
RF性能参数( TA = 25
°
C )
特征
输出功率在1分贝
压缩点
功率增益为1分贝
压缩点
漏电流
功率附加效率
三阶互调
失真
漏电流
通道温度上升
I
DS2
ΔTch
I
DS1
G
1dB
V
DS
=
9V
6.5
两个音测试
P=22dBm
(单载波电平)
符号
P
1dB
条件
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
32.5
33.5
7.5
0.85
24
-45
0.85
1.1
1.1
80
DBM
dB
A
%
dBc的
A
°C
f
=10.7-11.7GHz
η
添加
IM
3
-42
V
DS
X
I
DS
X
R
TH( C-C )
电气特性( TA = 25
°
C )
特征
跨
捏-O FF电压
饱和漏极电流
栅源击穿
电压
热阻
符号
gm
V
GSoff
I
DSS
V
GSO
R
TH( C-C )
条件
V
DS
= 3V
I
DS
=1.0A
V
DS
=
3V
I
DS
= 30毫安
V
DS
=
3V
V
GS
= 0V
I
GS
= -30A
渠道情况
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
600
mS
-2.0
-5
-3.5
2.0
5.0
-5.0
2.6
6.0
V
A
V
° C / W
该
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以前在进行设备纳入本产品的设计。
东芝公司
2000年4月
TIM1011-2L
P 2 O宽E R D所I S的IP一个TI 0:N V秒。 C A性S E T E M·P é R A牛逼ü
25
20
15
P
T
(W)
10
5
0
0
40
80
T C ( ℃ )
120
160
200
特征
IM3
输出功率特性
IM3主场迎战
与输出功率特性
-10
F = 11.7 GHz的
VDS = 9 V
IDS
1.0 A
F = 5MHz时
-20
IM3 ( DBC)
-30
-40
-50
-60
17
19
21
23
25
宝(DBM ) ,单嘉莉
宝(DBM ) ,单载波
4
27
29