【TIL3009 ， TIL3010 ， TIL3011 ， TIL3012光耦合器/光隔离器SOES】,IC型号TIL3012,TIL3012 PDF资料,TIL3012经销商,ic,电子元器件-51电子网

TIL3009 ， TIL3010 ， TIL3011 ， TIL3012

光耦合器/光隔离器

SOES027A - 1987年12月 - 修订1998年4月

250 -V可控硅驱动器输出

砷化镓二极管的红外源

和光耦合硅可控硅驱动器

（双向开关）

UL认证。。。文件编号E65085

高隔离度。。。 3535 V峰值

输出驱动器，设计用于115伏交流

标准的6引脚塑料DIP

TIL30xx包装

（ TOP VIEW ）

阳极

阴极

主要TERM

TRIAC SUB

主要TERM

请勿端连接

NC - 无内部连接

典型的115V交流电（ RMS ）的应用

螺线管/阀门控制

灯镇流器

接口微处理器115 -VAC

外设

电机控制

白炽灯调光器

逻辑图

描述

每个设备包括一个砷化镓红外发光二极管光耦合到一个硅光敏可控硅的

安装在非导电塑料复合封装在一个6针引线框架。的情况下

承受钎焊温度不变形。设备性能特点保持稳定时，

在高湿度条件下操作。

在25℃下的自由空气的绝对最大额定值（除非另有说明）

输入至输出电压峰值， 5 s的最大持续时间， 60赫兹（见注1 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3.535千伏

输入二极管的反向电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3 V

输入二极管的正向电流，连续的。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 50毫安

输出重复峰值断态电压。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 250 V

输出通态电流，总均方根值（ 50-60赫兹，全正弦波）：T已

= 25° 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。百毫安

= 70 ° 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 50毫安

输出驱动器的非重复性峰值通态电流（T

= 10毫秒，占空比= 10 ％，参见图7）。。。。。。 1.2 A

连续功率耗散（或低于） 25℃自由空气的温度：

红外发光二极管（见注2 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 100毫瓦

可控硅（见注3 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 300毫瓦

总的设备（见注4 ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 330毫瓦

工作结温范围，T

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 40℃ 100℃

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 40℃ 150℃

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 260℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注释：1.输入 - 输出峰值电压是器件内部的电介质击穿的评价。

2.减免线性至100℃自由空气的温度在1.33毫瓦/ ℃的速率。

3.减免线性至100℃自由空气的温度在4毫瓦/ ℃的速率。

4.减免线性至100℃自由空气的温度为4.4毫瓦/ ℃的速率。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1998年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

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SOES027A - 1987年12月 - 修订1998年4月

电特性的25℃下的自由空气的温度范围内（除非另有说明）

参数

IDRM

dv / dt的

dv / dt的（C ）

静态反向电流

静态正向电压

断态重复当前，任何一个方向

断态电压临界上升率

整流电压临界上升率

TIL3009

IFT

输入触发电流任一方向

TIL3010

TIL3011

TIL3012

VTM

峰值通态电压，任一方向

保持电流，两个方向

ITM =百毫安

1.8

100

输出电源电压= 3V

测试条件

VR = 3 V

IF = 10毫安

VDRM = 250 V ，

见图1

IO = 15 mA时，

见注5

见图1

民

典型值

0.05

1.2

0.15

最大

100

1.5

100

单位

V / μs的

注5 ：测试电压必须在dv / dt的评级被应用。

参数测量信息

VCC

VIN = 30 V RMS

10 k

2N3904

输入

（见注一）

注： A.断态电压上升的临界速度， dv / dt的，测量的输入设置为0伏。 Vin的频率增加

直到光敏可控硅导通。该频率随后被用于dv / dt的，根据下列公式来计算：

DT的dV

换向电压， dv / dt的（ c）所示，上升的临界速度是通过将偶尔5伏的脉冲与输入测量和

增加Vin的输入脉冲后的频率，直到光敏可控硅保持在（锁存器）已经停止。没有进一步的输入

脉冲Vin的频率，然后逐渐下降，直到光敏可控硅截止。关断发生时的频率

然后，可以使用根据以上所示的公式来计算的dv / dt （ c）所示。

崛起测试电路如图1爆击率

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典型特征

发光二极管触发电流（归）

自由空气的温度

1.4

发光二极管触发电流（归）

800

600

我TM - 峰值通态电流 - 毫安

1.3

400

200

– 200

– 400

– 600

– 800

–3

通态特性

输出TW = 80

IF = 20毫安

F = 60赫兹

TA = 25°C

1.2

1.1

0.9

0.8

– 50

– 25

100

TA - 自由空气的温度 -

°C

–2

–1

VTM - 峰值通态电压 - V

图2

RISE输出电压的爆击率

科幻gure 3

关闭状态dv / dt和换向dv / dt的（C ）

负载电阻

TA = 25°C

见图1

关闭状态

0.4

1.6

0.8

1.2

RL - 负载电阻 - kΩ的

dv / dt的

dv / dt的（C ）

换向

0.18

0.16

0.14

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

换向dv / dt的（C ） - V /

0.20

0.24

0.22

关闭状态的dv / dt - V /

图4

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典型特征

关闭状态dv / dt和换向dv / dt的

自由空气的温度

dv / dt的

dv / dt的（C ）

见图1

0.24

关闭状态的dv / dt - V /

0.2

换向dv / dt的 - V /

0.16

0.12

RL = 510

RL = 2 kΩ的

0.08

0.04

TA - 自由空气的温度 -

°C

100

图5

RMS施加电压

（对于DV / DT （C ） = 0.15 V / μs）内

频率

RL = 1 kΩ的

TA = 25°C

的dv / dt = 2

√

2πF输入电压

见图1

I TSM - 非重复性峰值通态电流 - 毫安

1000

400

VIN - RMS应用电压 - V

TA = 25°C

非重复性峰值通态电流

脉冲持续时间

100

的dv / dt = 0.15 V / μs的

100

400

10 k

40 k

100 k

0.01

0.1

100

的F - 频率 - 赫兹

TW - 脉冲持续时间 - 毫秒

图6

图7

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应用信息

180

凛

VCC

TIL3009 ， TIL3012

120伏， 60赫兹

图8.阻性负载

凛

VCC

TIL3009 ， TIL3012

180

2.4 k

0.1

120伏， 60赫兹

IGT

≤

15毫安

图9.感性负载敏感栅TRAIC

凛

VCC

TIL3009 ， TIL3012

180

1.2 k

0.2

120伏， 60赫兹

15毫安< IGT < 50毫安

图10.感性负载不敏感栅可控硅

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