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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第110页 > TIL11X
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
特点
TIL11X系列: TIL111 , TIL117
MCT2X系列: MCT2 , MCT2E
输入和输出之间的高隔离电压
维索= 5000 Vrms的
爬电距离>7.6毫米
紧凑型双列直插式封装
工作温度可达+ 110℃
无铅并符合RoHS标准。
UL认证( E214129号)
VDE认证( 132249号)
SEMKO认证
NEMKO认可
DEMKO批准
FIMKO批准
CSA认证
CQC批准
TIL11X系列
MCT2X系列
描述
该TIL11X系列和MCT2X系列中各器件
由一个红外发光二极管的光耦合到的
光电晶体管探测器。
它们封装在一个6引脚DIP封装,并提供
宽引线间距和SMD选项。
概要
应用
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
电器系统
工业控制
1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.基地
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
文件编号: DPC- 0000048
1
第3版
http://www.everlight.com
2009年12月28日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
绝对最大额定值(T
A
=25°C)
参数
正向电流
峰值正向电流( T = 10微秒)
输入
反向电压
功耗
降额因子(高于100 ℃)
集电极耗散功率
降额因子(高于100 ℃)
产量
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
总功耗
隔离电压
*2
工作温度
储存温度
焊接温度
*3
符号
I
F
I
FM
V
R
P
D
TIL11X系列
MCT2X系列
等级
60
1
6
100
3.8
150
9.0
80
80
7
200
5000
-55~+110
-55~+125
260
单位
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
mW
VRMS
°C
°C
°C
P
C
V
首席执行官
V
CBO
V
ECO
P
合计
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
笔记
* 1交流电进行1分钟, RH = 40 60%RH下在该测试中,引脚1,2 & 3短接在一起,并且引脚4,5 & 6
被短接在一起。
* 2 10秒。
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
文件编号: DPC- 0000048
2
第3版
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2009年12月28日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
电气特性(T
A
= 25° ,除非另有规定)
输入
参数
TIL111
符号
分钟。
-
-
正向电压
TIL117
MCT2
MCT2E
反向电流
I
R
V
F
-
-
-
-
TYP 。 *
1.22
-
1.32
1.1
1.23
-
马克斯。
1.4
1.4
-
-
1.5
10
A
V
单位
TIL11X系列
MCT2X系列
条件
I
F
= 16毫安
T
A
=0-70℃, I
F
= 16毫安
T
A
= -55℃, I
F
= 16毫安
T
A
=110℃, I
F
= 16毫安
I
F
= 20mA下
V
R
= 6V
产量
参数
集电极 - 基
暗电流
集电极 - 发射极暗
当前
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
所有
I
首席执行官
TIL117
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
BV
EBO
-
80
80
7
7
0.2
-
-
-
-
50
-
-
-
-
nA
V
V
V
V
符号
I
CBO
分钟。
-
-
TYP 。 *
-
1
马克斯。
20
50
单位
nA
nA
条件
V
CB
= 10V
V
CE
= 10V ,我
F
= 0毫安
V
CE
= 30V ,我
F
= 0毫安,
T
A
=70℃
I
C
= 1毫安
I
C
= 0.01毫安
I
E
= 0.1毫安
I
E
= 0.1毫安
传输特性
参数
集电极电流
(光电晶体管
操作)
集电极电流
(光电二极管
操作)
电流传输
符号
分钟。
2
TIL111
I
C( ON)
7
TIL117
MCT2
MCT2E
CTR
50
20
-
-
-
-
-
-
%
A
I
F
= 16毫安,V
CB
= 0.4V
I
F
= 10毫安,V
CE
= 10V
I
F
= 10毫安,V
CE
= 10V
TYP 。 *
-
马克斯。
-
单位
mA
条件
I
F
= 16毫安,V
CE
= 0.4V
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
文件编号: DPC- 0000048
3
第3版
http://www.everlight.com
2009年12月28日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
传输特性
参数
集电极 - 发射极
饱和电压
绝缘电阻
输入输出电容
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
TIL117
TIL117
TIL117
TIL111
TIL117
TIL111
MCT2
MCT2E
MCT2
MCT2E
MCT2
MCT2E
MCT2
MCT2E
所有
V
CE ( SAT )
TIL117
R
IO
C
IO
T
on
T
关闭
t
r
t
f
T
on
T
关闭
t
r
t
f
符号
分钟。
-
-
10
11
-
-
-
-
-
-
-
-
-
TYP 。 *
-
-
-
-
10
9
6
8
3
3
3
3
马克斯。
0.4
V
0.4
-
2
12
12
10
10
10
10
s
10
10
s
Ω
pF
单位
TIL11X系列
MCT2X系列
条件
I
F
= 16毫安,我
C
= 2毫安
I
F
= 10毫安,我
C
- 0.5毫安
V
IO
= 500V直流
V
IO
= 0中,f = 1MHz的
V
CC
= 10V,
I
C
= 2毫安,R
L
= 100Ω
V
CC
= 10V,
I
F
= 10毫安,R
L
= 100Ω
*在T典型值
a
= 25°C
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
文件编号: DPC- 0000048
4
第3版
http://www.everlight.com
2009年12月28日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
典型性能曲线
TIL11X系列
MCT2X系列
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
文件编号: DPC- 0000048
5
第3版
http://www.everlight.com
2009年12月28日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
特点
TIL11X系列: TIL111 , TIL117
MCT2X系列: MCT2 , MCT2E
输入和输出之间的高隔离电压
维索= 5000 Vrms的
爬电距离>7.6毫米
紧凑型双列直插式封装
工作温度可达+ 110℃
无铅并符合RoHS标准。
UL认证( E214129号)
VDE认证( 132249号)
SEMKO认证( No.716108 / 716109号)
NEMKO认可(编号P06206474 )
DEMKO批准(编号313924 )
FIMKO批准(编号FI 22807 )
CSA认证( No.1969132 )
TIL11X系列
MCT2X系列
描述
该TIL11X系列和MCT2X系列中各器件
由一个红外发光二极管的光耦合到的
光电晶体管探测器。
它们封装在一个6引脚DIP封装,可
在宽引线间距和SMD选项。
概要
应用
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器的输入
电器系统
工业控制
1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.基地
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
文件编号: PDS - ELST -117第2版
1
http://www.everlight.com
2008年4月1日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
绝对最大额定值(T
A
=25°C)
参数
正向电流
峰值正向电流( T = 10微秒)
输入
反向电压
功耗
降额因子(高于100 ℃)
集电极耗散功率
降额因子(高于100 ℃)
产量
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
总功耗
隔离电压
*2
工作温度
储存温度
焊接温度
*3
符号
I
F
I
FM
V
R
P
D
TIL11X系列
MCT2X系列
等级
50
1
6
70
3.8
150
单位
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
mW
VRMS
°C
°C
°C
P
C
9.0
V
首席执行官
V
CBO
V
ECO
P
合计
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
80
80
7
200
5000
-55~+110
-55~+125
260
笔记
* 1交流电进行1分钟, RH = 40 60%RH下在该测试中,引脚1,2 & 3短接在一起,并且引脚4,5 & 6
被短接在一起。
* 2 10秒。
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
文件编号: PDS - ELST -117第2版
2
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2008年4月1日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
电气特性(T
A
= 25° ,除非另有规定)
输入
参数
TIL111
符号
分钟。
-
-
正向电压
TIL117
MCT2
MCT2E
反向电流
I
R
V
F
-
-
-
-
TYP 。 *
1.22
-
1.32
1.1
1.23
-
马克斯。
1.4
1.4
-
-
1.5
10
A
V
单位
TIL11X系列
MCT2X系列
条件
I
F
= 16毫安
T
A
=0-70℃, I
F
= 16毫安
T
A
= -55℃, I
F
= 16毫安
T
A
=110℃, I
F
= 16毫安
I
F
= 20mA下
V
R
= 6V
产量
参数
集电极 - 基
暗电流
所有
I
首席执行官
TIL117
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
BV
EBO
-
80
80
7
7
0.2
-
-
-
-
50
-
-
-
-
A
V
V
V
V
符号
I
CBO
分钟。
-
-
TYP 。 *
-
1
马克斯。
20
50
单位
nA
nA
条件
V
CB
= 10V
V
CE
= 10V ,我
F
= 0毫安
V
CE
= 30V ,我
F
= 0毫安,
T
A
=70℃
I
C
= 1毫安
I
C
= 0.01毫安
I
E
= 0.1毫安
I
E
= 0.1毫安
集电极 - 发射极暗
当前
传输特性
参数
集电极电流
(光电晶体管
操作)
集电极电流
(光电二极管
操作)
电流传输
符号
分钟。
2
TIL111
I
C( ON)
7
TIL117
MCT2
MCT2E
CTR
20
-
-
50
-
-
-
-
%
I
F
= 10毫安,V
CE
= 10V
A
I
F
= 16毫安,V
CB
= 0.4V
I
F
= 10毫安,V
CE
= 10V
TYP 。 *
-
马克斯。
-
单位
mA
条件
I
F
= 16毫安,V
CE
= 0.4V
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
文件编号: PDS - ELST -117第2版
3
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2008年4月1日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
传输特性
参数
集电极 - 发射极
饱和电压
绝缘电阻
输入输出电容
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
TIL117
TIL117
TIL117
TIL111
TIL117
TIL111
MCT2
MCT2E
MCT2
MCT2E
MCT2
MCT2E
MCT2
MCT2E
所有
V
CE ( SAT )
TIL117
R
IO
C
IO
T
on
T
关闭
t
r
t
f
T
on
T
关闭
t
r
t
f
-
10
11
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
9
6
8
3
3
3
3
0.4
-
2
12
12
10
10
10
10
s
10
10
s
Ω
pF
符号
分钟。
-
TYP 。 *
-
马克斯。
0.4
V
单位
TIL11X系列
MCT2X系列
条件
I
F
= 16毫安,我
C
= 2毫安
I
F
= 10毫安,我
C
- 0.5毫安
V
IO
= 500V直流
V
IO
= 0中,f = 1MHz的
V
CC
= 10V,
I
C
= 2毫安,R
L
= 100Ω
V
CC
= 10V,
I
F
= 10毫安,R
L
= 100Ω
*在T典型值
a
= 25°C
典型性能曲线
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 , LTD 。
文件编号: PDS - ELST -117第2版
4
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2008年4月1日
6引脚DIP PHOTOTRANSISTOR
光电耦合器
TIL11X系列
MCT2X系列
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2008年4月1日
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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