TIL113
光耦合隔离器
PHOTODARLINGTON输出
认证
l
2.54
6.4
6.2
1.54
8.8
8.4
1
2
3
尺寸（mm）
UL认证，文件号E91231
“X”规格认证
l
VDE 0884待定
6
5
4
4.3
4.1
0.5
0.3
7.8
7.4
描述
该TIL113是光学耦合型隔离器
由红外线发光二极管的
在一个空间和NPN硅光电复合
高效的双列直插式塑料封装。
0.5
3.3
9.6
8.4
绝对最大额定值
（ 25°C除非另有说明）
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
工作温度
-55 ° C至+ 100°C
引线焊接温度
（ 1/16英寸（ 1.6毫米）从案例10秒） 260℃
输入二极管
正向电流
反向电压
功耗
输出晶体管
集电极 - 发射极电压BV
首席执行官
集电极 - 基极电压BV
CBO
发射极 - 集电极电压BV
ECO
功耗
功耗
30V
30V
7V
150mW
80mA
5V
105mW
特点
l
选项： -
10毫米铅蔓延 - 部分后加G无。
表面贴装 - 部分后添加SM没有。
Tape&reel - 部分后添加SMT&R没有。
l
高电流传输比
l
高隔离电压（ 5.3kV
RMS
,7.5kV
PK
)
l
所有电气参数100％测试
l
定制电可用的选项
应用
l
电脑终端机
l
工业系统控制器
l
测量仪器
l
的系统之间的信号传输
不同的潜能和阻抗
OPTION SM
表面贴装
选项G
5.08
马克斯。
1.2
0.6
1.4
0.9
0.26
10.16
总功耗
250mW
（减免线性3.3mW / ° C以上25 ° C）
10.2
9.5
ISOCOM COMPONENTS LTD
单元25B ，公园景观西路，
公园景工业村，布伦达路
哈特尔浦， TS25 1YD England电话： （ 01429 ） 863609
传真： （ 01429 ） 863581电子邮件sales@isocom.co.uk
http://www.isocom.com
19/4/99
DB91047-AAS/A1
6 PIN PHOTODARLINGTON
光电耦合器
产品特点：
4NXX系列： 4N29 ， 4N30 ， 4N31 ， 4N32 ， 4N33
H11BX系列： H11B1 ， H11B2 ， H11B3 ， H11B255
输入端之间的高隔离电压
和输出（维索= 5000 V有效值）
爬电距离>7.62毫米
符合或超过所有JEDEC规格注册
无铅并符合RoHS标准。
UL认证（ E214129号）
VDE认证（ No.132249 ）
SEMKO批准
NEMKO认可
DEMKO批准
FIMKO批准
CSA认证（ 2007798号）
TIL113
4NXX系列
H11BX系列
描述
该TIL113 ， 4NXX和H11BX系列中各器件
由一个红外发光二极管的光耦合到的
照片达林顿管检测器。
它们封装在一个6引脚DIP封装，可
在宽引线间距和SMD选项。
应用
低功耗逻辑电路
电信设备
便携式电子产品
接口不同的潜能和阻抗耦合系统
1
2
3
概要
6
5
4
引脚配置
1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.基地
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： DPC- 0000021
1
第1版
http://www.everlight.com
2009年2月5日
6 PIN PHOTODARLINGTON
光电耦合器
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
参数
正向电流
峰值正向电流（ T = 10微秒）
输入
反向电压
功耗
无需降额
功耗
无需降额
产量
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
发射极 - 基极电压
总功耗
隔离电压
*1
工作温度
储存温度
焊接温度
*2
符号
I
F
I
FM
V
R
P
D
TIL113
4NXX系列
H11BX系列
等级
60
1
6
120
3.8
150
单位
mA
A
V
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
V
mW
V有效值
°C
°C
°C
P
C
6.5
V
首席执行官
V
CBO
V
ECO
V
EBO
P
合计
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
55
55
7
7
200
5000
-55~+100
-55~+125
260
笔记
* 1交流电进行1分钟， RH = 40 60％RH下在该测试中，引脚1,2 & 3短接在一起，并且引脚4,5 & 6
被短接在一起。
* 2 10秒。
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： DPC- 0000021
2
第1版
http://www.everlight.com
2009年2月5日
6 PIN PHOTODARLINGTON
光电耦合器
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
输入
参数
正向电压
反向电流
输入电容
符号
V
F
I
R
C
in
分钟。
-
-
-
TYP 。 *
1.2
-
50
马克斯。
1.5
10
-
单位
V
A
pF
TIL113
4NXX系列
H11BX系列
条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安的H11B3
V
R
= 6V
V = 0 ， F = 1MHz的
产量
参数
集电极 - 发射极暗
当前
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
*在T典型值
a
= 25°C
符号
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
分钟。
-
55
55
7
TYP 。 *
-
-
-
-
马克斯。
100
-
-
-
单位
nA
V
V
V
条件
V
CE
= 10V
I
c
=1mA
I
C
=0.1mA
I
E
=0.1mA
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： DPC- 0000021
3
第1版
http://www.everlight.com
2009年2月5日
6 PIN PHOTODARLINGTON
光电耦合器
传输特性（T
a
= 25C除非另有规定）
参数
4N32
4N33
4N29
4N30
当前
转让
比
4N31
H11B1
H11B2
H11B3
H11B255
TIL113
4N29
4N30
4N32
4N33
4N31
TIL113
H11B1
H11B2
H11B3
H11B255
绝缘电阻
输入输出电容
R
IO
C
IO
V
CE （ SAT ）
CTR
符号
分钟。
500
100
50
500
200
100
100
300
-
TYP 。 *
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
%
单位
TIL113
4NXX系列
H11BX系列
条件
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V
I
F
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 1V
I
F
= 8毫安，我
c
= 2毫安
集电极 - 发射极
饱和
电压
-
-
-
10
11
-
-
-
-
-
0.8
1.2
1.0
1.0
-
-
V
I
F
= 8毫安，我
c
= 2毫安
I
F
= 1mA时，我
c
= 1毫安
I
F
= 50mA时我
c
= 50毫安
Ω
pF
V
IO
= 500V直流
V
IO
= 0中，f = 1MHz的
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： DPC- 0000021
4
第1版
http://www.everlight.com
2009年2月5日
6 PIN PHOTODARLINGTON
光电耦合器
传输特性
参数
H11B1
H11B2
H11B3
H11B255
开启时间
4N29
4N30
4N31
4N32
4N33
TIL113
H11B1
H11B2
H11B3
H11B255
打开-O FF时间
4N32
4N33
TIL113
花花公子
吨
-
-
5
符号
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
TIL113
4NXX系列
H11BX系列
条件
V
CC
= 10V ，我
F
= 10毫安，
R
L
= 100Ω
-
25
-
s
V
CC
= 10V ，我
C
= 50mA时
I
F
=200mA
-
18
-
V
CC
= 10V ，我
F
= 10毫安，
R
L
= 100Ω
-
-
100
s
V
CC
= 10V ，我
C
= 50mA时
I
F
=200mA
4N29
4N30
4N31
*在T典型值
a
= 25°C
-
-
40
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： DPC- 0000021
5
第1版
http://www.everlight.com
2009年2月5日
PHOTODARLINGTON光耦合器
描述
该CNX48U ， H11BX ， MOC8080和TIL113有
砷化镓红外发射器的光耦合到
硅平面光电复合。
CNX48U
H11B1
MOC8080 TIL113
H11B2
H11B255
H11B3
特点
高灵敏度，低输入驱动电流
符合或超过所有JEDEC规格注册
VDE 0884认证可以作为一个测试选项
-add选项.300 。 （例如， H11B1.300 ）
6
1
6
1
阳极1
6基地
概要
应用
低功耗逻辑电路
6
电信设备
便携式电子产品
固态继电器
接口不同的潜能和阻抗耦合系统。
阴极2
5收藏家
1
N / C 3
4发射器
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
辐射源
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 300微秒， 2 ％占空比）
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
设备
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
CNX48U ， TIL113
H11B1 ， H11B2
价值
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
250
3.3
100
6
3.0
100
1.8
30
25
55
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
集电极 - 发射极击穿电压
BV
首席执行官
H11B3
H11B255
MOC8080
CNX48U ， H11B1
H11B2 ， H11B3
V
30
V
集电极 - 基极击穿电压
BV
CBO
TIL113
H11B255
MOC8080
55
7
150
2.0
V
V
mW
毫瓦/°C的
发射极 - 集电极击穿电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
BV
ECO
P
D
所有
所有
6/1/00
200042A
PHOTODARLINGTON光耦合器
CNX48U
H11B1
MOC8080 TIL113
典型的电光特性曲线
（25 ℃下自由空气温度，除非另有说明） （续）
H11B2
H11B255
H11B3
V
CC
输入
R
L
R
IN
输入
脉冲
产量
产量
10%
1.5 V
90%
5V
t
on
I
F
t
关闭
测试电路（除了CNX48U设备）
开关波形（除CNX48U所有设备）
图。 7开关时间测试电路和波形（除CNX48U所有设备）
V
CC
输入
输入
R
BE
50
产量
R
E
t
on
90%
10%
t
关闭
测试电路（ CNX48U只）
开关波形（ CNX48U只）
图。 8开关时间测试电路和波形（ CNX48U只）
笔记
1.电流传输比（I
C
/I
F
）是检测器的集电极电流给LED的输入电流与V中的比率
CE
@ 10 V.
2.在本试验中， LED的引脚1和2是常用的和光电晶体管管脚4,5和6中是常见的。
6/1/00
200042A
PHOTODARLINGTON光耦合器
描述
该CNX48U ， H11BX ， MOC8080和TIL113有
砷化镓红外发射器的光耦合到
硅平面光电复合。
CNX48U
H11B1
MOC8080 TIL113
H11B2
H11B255
H11B3
特点
高灵敏度，低输入驱动电流
符合或超过所有JEDEC规格注册
VDE 0884认证可以作为一个测试选项
-add选项.300 。 （例如， H11B1.300 ）
6
1
6
1
阳极1
6基地
概要
应用
低功耗逻辑电路
6
电信设备
便携式电子产品
固态继电器
接口不同的潜能和阻抗耦合系统。
阴极2
5收藏家
1
N / C 3
4发射器
参数
设备总
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
辐射源
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 300微秒， 2 ％占空比）
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
探测器
符号
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
设备
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
所有
CNX48U ， TIL113
H11B1 ， H11B2
价值
-55到+150
-55到+100
260 ，持续10秒
250
3.3
100
6
3.0
100
1.8
30
25
55
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
集电极 - 发射极击穿电压
BV
首席执行官
H11B3
H11B255
MOC8080
CNX48U ， H11B1
H11B2 ， H11B3
V
30
V
集电极 - 基极击穿电压
BV
CBO
TIL113
H11B255
MOC8080
55
7
150
2.0
V
V
mW
毫瓦/°C的
发射极 - 集电极击穿电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
BV
ECO
P
D
所有
所有
6/1/00
200042A
PHOTODARLINGTON光耦合器
CNX48U
H11B1
MOC8080 TIL113
典型的电光特性曲线
（25 ℃下自由空气温度，除非另有说明） （续）
H11B2
H11B255
H11B3
V
CC
输入
R
L
R
IN
输入
脉冲
产量
产量
10%
1.5 V
90%
5V
t
on
I
F
t
关闭
测试电路（除了CNX48U设备）
开关波形（除CNX48U所有设备）
图。 7开关时间测试电路和波形（除CNX48U所有设备）
V
CC
输入
输入
R
BE
50
产量
R
E
t
on
90%
10%
t
关闭
测试电路（ CNX48U只）
开关波形（ CNX48U只）
图。 8开关时间测试电路和波形（ CNX48U只）
笔记
1.电流传输比（I
C
/I
F
）是检测器的集电极电流给LED的输入电流与V中的比率
CE
@ 10 V.
2.在本试验中， LED的引脚1和2是常用的和光电晶体管管脚4,5和6中是常见的。
6/1/00
200042A
6 PIN PHOTODARLINGTON
光电耦合器
产品特点：
4NXX系列： 4N29 ， 4N30 ， 4N31 ， 4N32 ， 4N33
H11BX系列： H11B1 ， H11B2 ， H11B3 ， H11B255
输入端之间的高隔离电压
和输出（维索= 5000 V有效值）
爬电距离>7.62毫米
符合或超过所有JEDEC规格注册
无铅并符合RoHS标准。
UL认证（ E214129号）
VDE认证（申请中）
SEMKO认证（申请中）
NEMKO认可（申请中）
DEMKO认证（申请中）
FIMKO认证（申请中）
CSA认证（申请中）
TIL113
4NXX系列
H11BX系列
描述
该TIL113 ， 4NXX和H11BX系列中各器件
由一个红外发光二极管的光耦合到的
照片达林顿管检测器。
它们封装在一个6引脚DIP封装，可
在宽引线间距和SMD选项。
应用
低功耗逻辑电路
电信设备
便携式电子产品
接口不同的潜能和阻抗耦合系统
1
2
3
概要
6
5
4
引脚配置
1.阳极
2.阴极
3.未连接
4.发射器
5.集热器
6.基地
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： PDS - ELSD -113版本0
1
http://www.everlight.com
2 2008年4月
6 PIN PHOTODARLINGTON
光电耦合器
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
参数
正向电流
峰值正向电流（ T = 10微秒）
输入
反向电压
功耗
功耗
集电极 - 发射极电压
产量
集电极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
发射极 - 基极电压
总功耗
隔离电压
*1
工作温度
储存温度
焊接温度
*2
V
CBO
V
ECO
V
EBO
P
合计
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
V
R
P
D
P
C
V
首席执行官
符号
I
F
I
FM
TIL113
4NXX系列
H11BX系列
等级
60
1
6
120
150
55
55
7
7
200
5000
-55~+100
-55~+125
260
单位
mA
A
V
mW
mW
V
V
V
V
mW
V有效值
°C
°C
°C
笔记
* 1交流电进行1分钟， RH = 40 60％RH下在该测试中，引脚1,2 & 3短接在一起，并且引脚4,5 & 6
被短接在一起。
* 2 10秒。
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： PDS - ELSD -113版本0
2
http://www.everlight.com
2 2008年4月
6 PIN PHOTODARLINGTON
光电耦合器
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
输入
参数
正向电压
反向电流
输入电容
符号
V
F
I
R
C
in
分钟。
-
-
-
TYP 。 *
1.2
-
50
马克斯。
1.5
10
-
单位
V
A
pF
TIL113
4NXX系列
H11BX系列
条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安的H11B3
V
R
= 6V
V = 0 ， F = 1MHz的
产量
参数
集电极 - 发射极暗
当前
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
*在T典型值
a
= 25°C
符号
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
分钟。
-
55
55
7
TYP 。 *
-
-
-
-
-
马克斯。
100
单位
nA
V
V
V
条件
V
CE
= 10V
I
c
=1mA
I
C
=0.1mA
I
E
=0.1mA
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： PDS - ELSD -113版本0
3
http://www.everlight.com
2 2008年4月
6 PIN PHOTODARLINGTON
光电耦合器
传输特性（T
a
= 25C除非另有规定）
参数
4N32
4N33
4N29
4N30
当前
转让
比
4N31
H11B1
H11B2
H11B3
H11B255
TIL113
4N29
4N30
4N32
4N33
4N31
TIL113
H11B1
H11B2
H11B3
H11B255
绝缘电阻
输入输出电容
R
IO
C
IO
10
11
-
-
0.8
V
CE （ SAT ）
CTR
符号
分钟。
500
100
50
500
200
100
100
300
-
-
1.0
-
-
-
-
%
TYP 。 *
-
马克斯。
-
单位
TIL113
4NXX系列
H11BX系列
条件
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V
I
F
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 1V
I
F
= 8毫安，我
c
= 2毫安
集电极 - 发射极
饱和
电压
-
-
-
-
1.2
1.0
1.0
-
-
V
I
F
= 8毫安，我
c
= 2毫安
I
F
= 1mA时，我
c
= 1毫安
I
F
= 50mA时我
c
= 50毫安
Ω
pF
V
IO
= 500V直流
V
IO
= 0中，f = 1MHz的
传输特性
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： PDS - ELSD -113版本0
4
http://www.everlight.com
2 2008年4月
6 PIN PHOTODARLINGTON
光电耦合器
参数
H11B1
H11B2
H11B3
H11B255
开启时间
4N29
4N30
4N31
4N32
4N33
TIL113
H11B1
H11B2
H11B3
H11B255
打开-O FF时间
4N32
4N33
TIL113
花花公子
吨
-
-
5
符号
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
单位
TIL113
4NXX系列
H11BX系列
条件
V
CC
= 10V ，我
F
= 10毫安，
R
L
= 100Ω
-
25
s
V
CC
= 10V ，我
C
= 50mA时
I
F
=200mA
-
18
V
CC
= 10V ，我
F
= 10毫安，
R
L
= 100Ω
-
-
100
s
V
CC
= 10V ，我
C
= 50mA时
I
F
=200mA
4N29
4N30
4N31
*在T典型值
a
= 25°C
40
EVERLIGHT ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
文件编号： PDS - ELSD -113版本0
5
http://www.everlight.com
2 2008年4月
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