TIL111M ， TIL117M ， MOC8100M - 通用型6引脚光电晶体管光耦合器
2009年9月
TIL111M ， TIL117M ， MOC8100M
通用6引脚光电晶体管光耦合器
特点
■
UL认证（文件号E90700 ）
■
VDE认可（文件＃ 102497白包）
概述
该MOC8100M ， TIL111M和TIL117M光电耦合器
由砷化镓红外发光二极管
驱动硅光电晶体管，采用6引脚双列直插式
封装。
- 添加选项V（例如， TIL111VM ）
应用
■
电源稳压器
■
数字逻辑输入
■
微处理器的输入
■
家电传感器系统
■
工业控制
概要
阳极1
6基地
包装纲要
阴极2
5收藏家
NC 3
4发射器
2005仙童半导体公司
TIL111M ， TIL117M ， MOC8100M版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
TIL111M ， TIL117M ， MOC8100M - 通用型6引脚光电晶体管光耦合器
绝对最大额定值
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能不能正常运行或
操作上面推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。
此外，过度暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值仅为应力额定值。
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
辐射源
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
参数
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
设备
所有
所有
所有
所有
价值
-40到+150
-40至+100
260 ，持续10秒
250
2.94
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
V
V
V
mW
毫瓦/°C的
DC /平均正向电流输入
反向输入电压
正向电流 - 峰值（ 300μS ， 2 ％占空比）
LED功耗@ T
A
= 25 °C
减免上述25℃
所有
TIL111M
MOC8100M ， TIL117M
所有
所有
60
3
6
3
120
1.41
探测器
V
首席执行官
V
CBO
V
ECO
V
EBO
P
D
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
发射极 - 基极电压
探测器功耗@ T
A
= 25 °C
减免上述25℃
所有
所有
TIL111M ， TIL117M
所有
所有
30
70
7
7
150
1.76
2005仙童半导体公司
TIL111M ， TIL117M ， MOC8100M版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
2
TIL111M ， TIL117M ， MOC8100M - 通用型6引脚光电晶体管光耦合器
电气特性
(T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
输入正向电压
I
F
= 16毫安
I
F
= 10毫安的
MOC8100M,
I
F
= 16毫安;为
TIL117M
I
R
反向漏电流V
R
= 3.0V
V
R
= 6.0V
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 基
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
发射极 - 集电极
击穿电压
集电极 - 发射极暗
当前
I
C
= 1.0毫安，我
F
= 0
I
C
= 10μA ，我
F
= 0
I
E
= 10μA ，我
F
= 0
I
F
= 100μA ，我
F
= 0
V
CE
= 10V ，我
F
= 0
V
CE
= 5V ，T
A
= 25°C
V
CE
= 30V ，我
F
= 0, T
A
= 70°C
I
CBO
I
CBO
C
CE
集电极 - 基极暗
当前
电容
V
CB
= 10V
V
CB
= 5V
V
CE
= 0V ， F = 1MHz的
T
A
= 25°C
T
A
= 0°C–70°C
T
A
= -55°C
T
A
= +100°C
TIL111M ， TIL117M
MOC8100M
所有
所有
所有
TIL111M ， TIL117M
TIL111M ， TIL117M
MOC8100M
TIL117M,
MOC8100M
TIL111M ， TIL117M
MOC8100M
所有
8
30
70
7
7
TIL111M
MOC8100M,
TIL117M
1.2
1.2
1.32
1.10
0.001
0.001
100
120
10
10
1
0.5
0.2
50
25
50
20
10
10
10
A
A
V
V
V
V
nA
nA
A
nA
nA
pF
1.4
1.4
V
参数
测试条件
设备
分钟。 （典型值） *最大。单位
探测器
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
BV
ECO
I
首席执行官
*在T所有典型值
A
= 25°C
2005仙童半导体公司
TIL111M ， TIL117M ， MOC8100M版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
3
TIL111M ， TIL117M ， MOC8100M - 通用型6引脚光电晶体管光耦合器
电气特性
（续） （T
A
= 25°C除非另有规定。 ）
传输特性
符号
CTR
CE
参数
电流传输比，
集电极到发射极
测试条件
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V
I
F
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
F
= 1mA时， V
CE
= 5V,
T
A
= 0 ° C至+ 70°C
设备
TIL117M
MOC8100M
民
50
50
30
典型*
最大
单位
%
%
DC特性
I
C（ ON）
通态集电极电流
（光电晶体管操作）
通态集电极电流
（光电二极管操作）
I
F
= 16毫安，V
CE
= 0.4V
I
F
= 16毫安，V
CB
= 0.4V
I
C
= 500μA ，我
F
= 10毫安
I
C
= 2毫安，我
F
= 16毫安
I
C
= 100μA ，我
F
= 1毫安
TIL111M
2
7
mA
A
0.4
0.4
0.5
20
10
20
10
2
2
10
s
s
s
s
V
V
CE （SAT）
集电极 - 发射极饱和
电压
TIL117M
TIL111M
MOC8100M
MOC8100M
TIL117M
MOC8100M
TIL117M
MOC8100M
TIL117M
AC特性
T
ON
T
关闭
t
r
t
f
t
r
t
f
开启时间
打开-O FF时间
上升时间
下降时间
上升时间
（光电晶体管操作）
下降时间
（光电晶体管操作）
I
C（ ON）
= 2毫安，V
CC
= 10V,
R
L
= 100
（图11）
I
C
= 2毫安，V
CC
= 10V,
R
L
= 100
（图11）
TIL111M
隔离特性
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
特征
输入输出隔离电压
绝缘电阻
隔离电容
测试条件
F = 60赫兹，吨= 1秒。
V
我-O
= 500 VDC
V
我-O
= 0,
F = 1MHz的
分钟。
7500
10
11
TYP 。 *
马克斯。
单位
V
AC （ RMS）
0.2
pF
*在T所有典型值
A
= 25°C
2005仙童半导体公司
TIL111M ， TIL117M ， MOC8100M版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
4
TIL111M ， TIL117M ， MOC8100M - 通用型6引脚光电晶体管光耦合器
安全性和绝缘等级
按照IEC 60747-5-2 ，这是光电耦合器适用于仅在安全限制数据“安全的电气绝缘” 。
符合安全等级，由保护电路装置来保证。
符号
参数
根据DIN VDE 0110安装分类网络阳离子/ 1.89
表1
额定主电压< 150Vrms
额定电压主要< 300Vrms
气候分类科幻阳离子
污染度（ DIN VDE 0110 / 1.89 ）
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
Ⅰ-Ⅳ
Ⅰ-Ⅳ
55/100/21
2
175
1594
V
PEAK
CTI
V
PR
漏电起痕指数
输入到输出的测试电压，方法B ，
V
IORM
X 1.875 = V
PR
， 100 ％生产测试
用TM = 1秒，局部放电< 5PC
输入到输出的测试电压，方法a ，
V
IORM
×1.5 = V
PR
，类型和样品测试
用TM = 60秒，局部放电< 5PC
1275
V
PEAK
V
IORM
V
IOTM
马克斯。工作绝缘电压
最高允许过电压
外部爬电距离
外部间隙
绝缘厚度
850
6000
7
7
0.5
10
9
V
PEAK
V
PEAK
mm
mm
mm
RIO
在TS ，V绝缘电阻
IO
= 500V
2005仙童半导体公司
TIL111M ， TIL117M ， MOC8100M版本1.0.2
www.fairchildsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
