订购数量： ENA1794
TIG066SS
三洋半导体
数据表
TIG066SS
特点
N沟道IGBT
光控制Flash应用程序
低饱和电压
Enhansment类型
高速开关
4.0V驱动
内置栅极至发射极保护二极管
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 发射极电压（ DC ）
集电极 - 发射极电压（脉冲）
门极 - 发射极电压（ DC ）
门极 - 发射极电压（脉冲）
集电极电流（脉冲）
最大集电极 - 发射极的dv / dt
通道温度
储存温度
符号
VCES
VCESP
VGES
VGESP
ICP
dv / dt的
总胆固醇
TSTG
PW≤1ms
PW≤1ms
CM=600μF
VCE
≤320V,
开始总胆固醇= 25°C
条件
评级
400
450
±6
±8
150
1500
150
-40到+150
单位
V
V
V
V
A
V /
μs
°C
°C
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7005A-008
5.0
0.8
8
5
0.2
0.3
产品&包装信息
包
： SOP8
JEITA ， JEDEC
： SC - 87 ， SOT96
最小包装数量：1000个/卷。
包装类型： TL
记号
0.1
6.0
4.4
TL
TIG
066
LOT号
0.8
1
1.27
4
0.43
1.8最大
1.5
1 ：发射器
2 ：发射器
3 ：发射器
4 ：门
5 ：收藏家
6 ：收藏家
7 ：收藏家
8 ：收藏家
三洋： SOP8
电气连接
5至8
0.7
4
1至3个
http://semicon.sanyo.com/en/network
90810PJ TK IM TC- 00002414号A1794-1 / 6
TIG066SS
电气特性
在TA = 25℃
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
门极 - 发射极漏电流
门极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
下降时间
符号
V（ BR ） CES
冰
IGES
VGE （关闭）
VCE （ SAT ）
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
tf
条件
IC = 2毫安， VGE = 0V
VCE = 320V ， VGE = 0V
VGE = ± 6V ， VCE = 0V
VCE = 10V ， IC = 1毫安
IC = 150A ， VGE = 4V
VCE = 10V ， F = 1MHz的
VCE = 10V ， F = 1MHz的
VCE = 10V ， F = 1MHz的
IC = 150A ， VCC = 320V ，负载电阻VGE = 4V ， RG = 36Ω
0.4
3.8
5100
59
43
270
评级
民
400
10
±10
1.0
5
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
V
pF
pF
pF
ns
Fig1大电流R LOAD开关电路
RL
CM
RG
+
VCC
TIG066SS
4V
0V
100kΩ
注1 。门串联电阻RG
≥
36
Ω
推荐用于保护目的，在关断的时间。不过，
如果dv / dt的
≤
1500V /
μs
是SATIS网络版在客户的实际设定的评估， RG < 36
Ω
也可以使用。
注2 。集电极电压梯度的dv / dt必须大于1500V较小/
μs
保护装置，当它处于关闭状态。
第A1794-2 / 6
TIG066SS
200
IC - VCE
Tc=25
°
C
4.0
V
3.
0V
200
175
IC - VGE
Tc
=
--2
5
VCE=5V
175
2.5V
集电极电流， IC - 一个
°
C
°
C
75
集电极电流， IC - 一个
125
100
75
50
25
0
VG
E=5
.0 V
150
150
125
100
75
50
25
0
°
C
25
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
集电极 - 发射极电压VCE - V
10
VCE - VGE
IT15734
10
栅极 - 发射极电压VGE - V
VCE - VGE
IT15735
TC = --25
°
C
集电极 - 发射极电压VCE - V
Tc=25
°
C
集电极 - 发射极电压VCE - V
9
8
7
6
5
4
3
2
1
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
9
8
7
6
5
4
3
2
1
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
IC=150A
130A
IC=150A
130A
100A
4.0
4.5
5.0
100A
4.0
4.5
5.0
栅极 - 发射极电压VGE - V
10
VCE - VGE
IT15736
栅极 - 发射极电压VGE - V
6
VCE （SAT） - 锝
IT15737
TC = 75
°
C
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） - V
集电极 - 发射极电压VCE - V
VGE=4V
9
8
7
6
5
4
3
2
1
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
1
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
5
4
0A
I C = 15
130A
100A
IC=150A
130A
100A
3
2
栅极 - 发射极电压VGE - V
门极 - 发射极截止电压， VGE （关闭） - V
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
--50
--25
0
25
50
75
100
IT15738
10000
7
5
3
2
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
125
150
10
0
2
4
VGE （关闭） - 锝
资本投资者入境计划，卓越中心， Cres的 - VCE
资本投资者入境计划
外壳温度，TC -
°
C
IT15739
VCE=10V
IC=1mA
f=1MHz
资本投资者入境计划，卓越中心， Cres的 - pF的
卓越中心
CRES
6
8
10
12
14
16
18
20
外壳温度，TC -
°
C
IT15540
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT15741
第A1794-3 / 6
TIG066SS
3
2
SW时间 - ICP
切换时间， SW时间 - NS
开关测试电路图1
VGE=4V
VCC=320V
TD （关闭）
RG=36Ω
tf
3
2
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
SW时间 - RG
开关测试电路图1
VGE=4V
VCC=320V
f)
吨D（的
ICP=150A
tf
切换时间， SW时间 - NS
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
10
tr
)
吨D（上
tr
TD （上）
2
3
5
7
100
2
3
2
0
20
40
60
80
100
120
IT15924
集电极电流（脉冲） ， ICP - 一个
3000
dv / dt的 - RG
IT15923
180
门串联电阻RG -
Ω
ICP - VGE
2500
集电极电流（脉冲） ， ICP - 一个
关闭dv / dt的 - V /
μs
开关测试电路图1
VGE=4V
VCC=320V
ICP=150A
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
Tc≤70°C
CM=600μF
2000
1500
1000
500
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
7
8
9
门串联电阻RG -
Ω
800
700
CM - ICP
IT15745
2000
1750
1500
1250
1000
750
500
250
0
栅极 - 发射极电压VGE - V
dv / dt的 - 关闭IC
IT15746
VGE=4V
VCE=320V
Tc≤70°C
VCE=320V
最大的电容器， CM -
μF
500
400
300
200
100
0
Tc=70
°
C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
的dv / dt ， dv / dt的 - V /
μs
600
Tc=25
°
C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
集电极电流（脉冲） ， ICP - 一个
IT15747
关闭集电极电流，关闭IC - 一个
IT15748
第A1794-4 / 6
TIG066SS
的dv / dt的德网络nition
的dv / dt是德网络连接中断开时间段定义为在下面的VCE曲线的最大斜率。
的dv / dt =
Δ
VCE /
Δ
t=
Δ
VCE/100ns
总体波形
关断期间
V，I
VCE
关闭VCE
Δt=100ns
IC
ICP
TURN OFF IC
的关断期间的放大图像
ΔV
CE
IC
t
VCE
IT15323
切换时间去连接nition
VGE
VGE ： 90 ％
VGE ： 10 ％
t
VCE
VCE ：90％
VCE ：10％
VCE ：10％
t
IC
TD （上）
tr
TD （关闭）
集成电路：90％
集成电路：10％
t
tf
IT15324
第A1794-5 / 6
QQ：2880707522 复制
