订购数量: ENA1862A
TIG065E8
三洋半导体
数据表
TIG065E8
特点
N沟道IGBT
光控制Flash应用程序
低饱和电压
Enhansment类型
安装高度0.9毫米,安装面积8.12毫米
2
无卤合规
低电压驱动( 2.5V )
内置栅极至发射极保护二极管
dv / dt的保证*
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 发射极电压
门极 - 发射极电压( DC )
门极 - 发射极电压(脉冲)
集电极电流(脉冲)
最大集电极 - 发射极的dv / dt
通道温度
储存温度
符号
VCES
VGES
VGES
ICP
dv / dt的
总胆固醇
TSTG
PW≤1ms
VGE = 2.5V , CM = 100μF
VCE
≤320V,
开始总胆固醇= 25°C
条件
评级
400
±4
±5
150
400
150
-40到+150
单位
V
V
V
A
V /
μs
°C
°C
*
:关于dv / dt的(集电极电压在导通截止时的斜率) ,将100%的屏幕中检测到如图所示的电路。 1 。
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7011A-004
顶视图
0.25
2.9
0.15
产品&包装信息
包
: ECH8
JEITA , JEDEC
:-
最小包装数量: 3000个/卷。
TIG065E8-TL-H
包装类型: TL
5
0吨 0.02
记号
8
ZE
TL
2.8
2.3
LOT号
0.25
1
0.65
4
0.3
电气连接
8
7
6
5
0.9
1 :发射器
2 :发射器
3 :发射器
4 :门
5 :收藏家
6 :收藏家
7 :收藏家
8 :收藏家
博特吨OM查看
0.07
三洋: ECH8
1
2
3
4
http://semicon.sanyo.com/en/network
60612 TKIM / N2410PJ TKIM TC- 00002514号A1862-1 / 8
TIG065E8
电气特性
在TA = 25℃
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
门极 - 发射极漏电流
门极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V( BR ) CES
冰
IGES
VGE (关闭)
VCE ( SAT )
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
条件
IC = 2毫安, VGE = 0V
VCE = 320V , VGE = 0V
VGE = ± 4V , VCE = 0V
VCE = 10V , IC = 1毫安
IC = 100A , VGE = 2.5V
VCE = 10V , F = 1MHz的
评级
民
400
10
±10
0.4
4.2
3100
30
23
0.9
7
典型值
最大
单位
V
μA
μA
V
V
pF
pF
pF
图1大电流R LOAD开关电路
RL
CM
RG
+
VCC
TIG065E8
VGE
100kΩ
注1 。集电极电压梯度的dv / dt必须大于400V较小/
μs
保护的栅极串联的设备
电阻RG,当它处于关闭状态。
订购信息
设备
TIG065E8-TL-H
包
ECH8
航运
3,000pcs./reel
备忘录
无铅和无卤素
150
IC - VCE
V
V
GE =
4.0
3.0
V
125
125
集电极电流, IC - 一个
集电极电流, IC - 一个
100
100
1.8V
75
75
50
50
25
25
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
25
2.5
°
C
75
2.5V
TC =
--25
°
C
°
C
3.0
Tc=25
°
C
150
IC - VGE
VCE=10V
3.5
4.0
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT16024
栅极 - 发射极电压VGE - V
IT16025
第A1862-2 / 8
TIG065E8
10
VCE - VGE
TC = --25
°
C
集电极 - 发射极电压VCE - V
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1.0
1.5
VCE - VGE
Tc=25
°
C
集电极 - 发射极电压VCE - V
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
IC=150A
130A
100A
IC = 150A
130A
100A
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
栅极 - 发射极电压VGE - V
10
VCE - VGE
IT16026
栅极 - 发射极电压VGE - V
10
9
VCE (SAT) - 锝
IT16027
Tc=75
°
C
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - V
集电极 - 发射极电压VCE - V
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
IC = 150A
130A
=150A
= 3V ,我
C
V GE
00A
V,I
C=1
V GE = 2.5
100A
栅极 - 发射极电压VGE - V
门极 - 发射极截止电压, VGE (关闭) - V
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
--50
--25
0
25
50
75
100
VGE (关闭) - 锝
IT16028
10000
7
5
3
2
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
125
150
10
0
2
资本投资者入境计划,卓越中心, Cres的 - VCE
资本投资者入境计划
外壳温度,TC -
°
C
IT16029
VCE=10V
IC=1mA
f=1MHz
资本投资者入境计划,卓越中心, Cres的 - pF的
卓越中心
CRES
4
6
8
10
12
14
16
18
20
外壳温度,TC -
°
C
10000
7
SW时间 - ICP
IT16030
10000
7
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT16031
切换时间, SW时间 - NS
3
2
切换时间, SW时间 - NS
5
tf
开关测试电路图1
VGE=2.5V
VCC=320V
RG=140Ω
CM=100μF
PW=50μs
TD (
关闭
)
SW时间 - RG
5
3
2
开关测试电路图1
VGE=2.5V
VCC=320V
ICP=150A
CM=100μF
PW=50μs
tf
1000
7
5
3
2
100
10
1000
7
5
3
2
100
tr
)
吨D(上
tr
TD (关闭)
)
吨D(上
2
3
5
7
100
2
3
5
集电极电流(脉冲) , ICP - 一个
1000
IT16032
7
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
门串联电阻RG -
Ω
IT16033
第A1862-3 / 8
TIG065E8
600
dv / dt的 - RG
集电极电流(脉冲) , ICP - 一个
开关测试电路图1
VGE=2.5V
VCC=320V
ICP=150A
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
ICP - VGE
VCE=320V
CM=100μF
500
关闭dv / dt的 - V /
μs
Tc=25
°
C
Tc=70
°
C
400
300
200
100
0
0
50
100
150
200
250
300
350
IT16103
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
门串联电阻RG -
Ω
300
CM - ICP
栅极 - 发射极电压VGE - V
500
450
CM - ICP
IT16104
250
VCE=320V
VGE=2.5V
VCE=320V
VGE=3V
主电容, CM -
μF
Tc=70
°
C
200
主电容, CM -
μF
400
350
300
250
200
150
100
50
Tc=25
°
C
Tc=70
°
C
Tc=25
°
C
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
集电极电流(脉冲) , ICP - 一个
500
IT16036
dv / dt的 - 关闭IC
集电极电流(脉冲) , ICP - 一个
IT16037
关闭的dv / dt , dv / dt的 - V /
μs
Tc=25
°
C
VCE
≤320V
400
300
200
100
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
关闭集电极电流,关闭IC - 一个
IT16038
第A1862-4 / 8
TIG065E8
的dv / dt的德网络nition
的dv / dt是德网络连接中断开时间段定义为在下面的VCE曲线的最大斜率。
的dv / dt =
Δ
VCE /
Δ
t=
Δ
VCE/100ns
总体波形
关断期间
V,I
VCE
关闭VCE
Δt=100ns
IC
ICP
TURN OFF IC
的关断期间的放大图像
ΔV
CE
IC
t
VCE
IT15323
切换时间去连接nition
VGE
VGE : 90 %
VGE : 10 %
t
VCE
VCE :90%
VCE :10%
VCE :10%
t
IC
TD (上)
tr
TD (关闭)
集成电路:90%
集成电路:10%
t
tf
IT15324
第A1862-5 / 8