牛逼OP我（C S）
新
闻
发
表
新
商
品
2009年1月22日新闻发表
手机用超小型氙气灯
IGBT闪光
它以业界最小2.8mm
X 2.9毫米实现了ICP = 150A
安装高度实现了0.9mm!
最适用于带照相功½的手机。它实现了业界最小*安装面积。
*:
截至2009年1月22日
TIG058E8
2009年5月开始量产
三百万个/月(高峰期)
样片价格@18元
市场要求与TIG058E8的特长
目标市场
·
带相机功½的手机
·
超小型数码相机
相机闪光灯有：
相机闪光灯有：
氙气闪光灯/数码相机
光量大
光量大
电路板大
电路板大
Xenon型
300V/100A
30000W
LED闪光灯/手机
光量少
光量少
电路板小
电路板小
LED
5V / 1A 5W
FRD
IC
IGBT
IGBT驱动电路
IGBT驱动电路
POWER-
POWER-
LED的6000倍
LED的6000倍
IC
数码相机更小型化
TIG058E8
手机也希望像数码相机一样½用Xenon
FLASH擦除步骤
的照片。
【TIG058E8特长】
业界最小安装面积:
8.12mm
2
/
安装高0.9mm
/ ICP = 150A
与现行制品的比较
TIG030TS
现行制品
TIG058E8
新制品
封装
安装面积
安装高
驱动电压
V
CES
TIG030TS
TSSOP8
19.2mm
2
1.0mm
4V
400V
±6V
150A
400V/μs
TIG058E8
ECH8
8.12mm
2
0.9mm
4V
400V
±6V
150A
400V/μs
19.2mm
2
実装面積
約60%
½減!
8.12mm
2
高
約10%
½減!
V
GES
I
CP
此时dvCE / DT
TIG058E8在保持同等性½的同时,实现了
安装面积约60%½减！
安装高约10%½减！
*
此处记½½内容, 包括价格规格等, ½为记者发表会时的值。可½与最新情况有所不同。
http://semicon.cn.sanyo.com/
三洋半导½公司
20090122－1/2
新闻发表新商品
新商品技术
3.0
单½安装面积的电流容量比
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
手机用超小型氙气灯
IGBT闪光
封装技术
·
通过电极构造最适化,Chip的工½效率提
高了20%。
· Chip搭½½效率提高了10%。
·
½阻值导线(降至3分之1以下)。
晶圆技术
·
通过Cell构造最适化,性½提
TIG058E8的工½波½
测定电路图
[测定条件]
現
行
新
高了20%。
·
通过外围部耐压构造的最适化,
½有效工½面积提高了20%。
½
品
½
品
量产技术
确立了超小型150A以上
的大电流测定量产技术,
及构筑了新的生产线。
发光时的IGBT波½
VCE
(50V/div)
10μs/div
V
CC
=320V, V
GE
= 4V ，R
G
=200Ω, C
M
=400μF
V
CC
320V
1MΩ 0.033
μF
150μF
+
Xenon型
I
C
TND721
IGBT
200Ω
V
CE
GND
V
GE
100kΩ
10kΩ
GND
V
DD
4V
0.1μF
TRG
300V
VGE
(1V/div)
IC
(50A/div)
绿线表示的电流流过时,
氙管发光。
↓
以业界最小尺寸实现了ICP=150A的发光动½!
氙气闪光灯电路解决方案
RE0208DA
·
高耐压
·
反向恢复时间trr的短
·
业界最小2-pin封装
： VRRM 800V
： typ33nsec
： SOD- 323
特定网络阳离子
V
F
V
RRM
(V)
800
I
O
(A)
0.2
I
F
(A)
I
R
TRR
（纳秒）
33/55
典型值/最大值V
R
最大
(V)
（ V） （ μA ）
800
50
0.10 3.2/4.0
キセノン
管
IGBT系列
包
（W ×D×H ）
ECH8
(2.9×2.8×0.9)
TSSOP8
(3.0×6.4×1.0)
型号
TIG058E8
TIG030TS
TIG032TS
V
CES
400V
400V
400V
400V
I
CP
V
GE
（关闭）
V
CE
=10V,I
C
=1mA
150A最小0.5V最大值1.2V
150A
180A
150A
最小0.5V最大值1.2V
最小0.4V最大值1.0V
最小0.5V最大值1.2V
SOP8
TIG014SS
(5.0×6.0×1.8)
http://semicon.cn.sanyo.com/
三洋半导½公司
20090122－2/2
牛逼OP我（C S）
新闻发布产品主题
22.January 2009年发布
超小型氙气闪光灯IGBT的手机
取得ICP = 150A小
2.8毫米X 2.9毫米大小同行业之首
山高0.9毫米！
业界最小尺寸*这是最适合安装在手机上用的摄像头。
* ：为1月22日的2009年
TIG058E8
量产
：开始于2009年5月
3MPcs /月（高峰时间）
样品价格：25元
市场需求和TIG058E8的特点
目标市场
·手机带摄像头
·超小型数码相机
相机闪光灯
相机闪光灯
氙气闪光灯（数码相机）
高光强度
高光强度
电路PCB大
电路PCB大
氙管
300V/100A
30000W
LED闪光灯（手机）
低光强
低光强
电路PCB小
电路PCB小
LED
5V / 1A 5W
FRD
IC
IGBT
IGBT
IGBT
控制
控制
6000次
6000次
LED的功率
LED的功率
IC
对于更小的数码相机
TIG058E8
像使用数码相机，氙气闪光灯
期望被用于手机！
[TIG058E8]
业界最小的安装面积8.12毫米
2
/山高0.9毫米/ I
CP
=150A
工业
’
与当前产品比较
当前位置：
TIG030TS
19.2mm
2
新：
TIG058E8
安装面积：
约。 60 ％
降低！
身高：
Approx.10%
降低！
8.12mm
2
TIG030TS
PKG
芒区
高度
驱动电压
V
CES
V
GES
I
CP
此时dvCE / DT
TSSOP8
19.2mm
2
1.0mm
4V
400V
±6V
150A
400V/s
TIG058E8
ECH8
8.12mm
2
0.9mm
4V
400V
±6V
150A
400V/s
TIG058E8保持相同的性能
同时实现
约。在区域&减少60％
约。减少10 ％的高度！
* ：请谅解，上述规定包括价格和规格都作为新闻发布的时间，这可能与最新信息有所不同。
www.semiconductor-sanyo.com/network
20090122 - 1/2
发布产品主题
新产品技术。
每平方米'mount面积的电流容量比
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
超小型氙气闪光灯IGBT的手机
包装技术。
·电极结构优化→
芯片工作效率20 ％ UP
·芯片安装效率10 ％ UP
（ 1/3以下） ·低布线电阻
晶圆技术。
·细胞结构优化→
性能提高20％
·外围电压结构
优化
→
有效作业区
20％的改善
du
ct
pr
o
Pr
od
uc
t
量产技术。
Large-current(≥150A)
衡量MP
技术&新
生产线。
nt
Cu
RE
TIG058E8工作波形
测试电路
[条件]
V
CC
=320V, V
GE
= 4V ，R
G
=200Ω, C
M
=400F
V
CC
320V
1M
Ω
0.033F
+
Ne
w
发射波形IGBT
VCE
(50V/div)
10s/div
300V
氙管
I
C
TND721
VGE
(1V/div)
IC
(50A/div)
150F
V
DD
4V
0.1F
TRG
IGBT
200Ω
V
CE
GND
V
GE
100kΩ
10kΩ
GND
绿线区域：氙管发射。
↓
CP = 150A发射操作实现
拥有业内最小尺寸的产品！
氙气闪光灯电路解决方案
RE0208DA
· VRRM ： 800V · TRR ： typ.33nsec
·业界最小2引脚封装： SOD- 323
特定网络阳离子
V
F
V
RRM
(V)
800
I
O
(A)
0.2
I
F
(A)
0.10
典型值/最大值
(V)
3.2/4.0
V
R
(V)
800
I
R
最大
(A)
50
TRR
（纳秒）
33/55
XENON
管
IGBT系列
包
（W ×D×H ）
ECH8
(2.9×2.8×0.9)
TSSOP8
(3.0×6.4×1.0)
型号
TIG058E8
TIG030TS
TIG032TS
V
CES
I
CP
V
GE
（关闭）
V
CE
=10V,I
C
=1mA
400V 150A最小0.5V最大值1.2V
400V
400V
400V
150A最小0.5V最大值1.2V
180A最小0.4V最大值1.0V
150A最小0.5V最大值1.2V
SOP8
TIG014SS
(5.0×6.0×1.8)
www.semiconductor-sanyo.com/network
20090122 - 2/2
订购数量： ENA1381
TIG058E8
三洋半导体
数据表
TIG058E8
特点
N沟道IGBT
光控制Flash应用程序
低饱和电压。
低电压驱动（ 4V ） 。
Enhansment类型。
内置栅极至发射极保护二极管。
安装高度0.9毫米，安装面积8.12毫米
2
.
dv / dt的保证* 。
无卤素规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 发射极电压
门极 - 发射极电压（ DC ）
门极 - 发射极电压（脉冲）
集电极电流（脉冲）
最大集电极 - 发射极的dv / dt
通道温度
储存温度
符号
VCES
VGES
VGES
ICP
此时dvCE / DT
总胆固醇
TSTG
PW≤1ms
CM = 150μF ， VGE = 4V
VCE
≤320V,
开始总胆固醇= 25°C
条件
评级
400
±6
±8
150
400
150
-40到+150
单位
V
V
V
A
V /
μs
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
门极 - 发射极漏电流
符号
V（ BR ） CES
冰
IGES
条件
IC = 2毫安， VGE = 0V
VCE = 320V ， VGE = 0V
VGE = ± 6V ， VCE = 0V
评级
民
400
10
±10
典型值
最大
单位
V
μA
μA
标记： ZB
接下页。
*：关于的dv / dt （集电极电压在关断时的斜率） ， dv / dt的> 400V /
μs
将100％的屏幕中检测到如图所示的电路。 1 。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，
航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号
系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序
应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的，我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并
不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估
独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
D1008PJ MS IM TC- 00001783号A1381-1 / 5
TIG058E8
从接下页。
参数
门极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
VGE （关闭）
VCE （ SAT ）
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
条件
VCE = 10V ， IC = 1毫安
IC = 100A ， VGE = 4V
VCE = 10V ， F = 1MHz的
VCE = 10V ， F = 1MHz的
VCE = 10V ， F = 1MHz的
评级
民
0.4
4.0
2200
32
24
典型值
最大
0.9
5.6
单位
V
V
pF
pF
pF
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7011A-004
顶视图
0.25
2.9
0.15
8
5
0吨 0.02
2.8
2.3
电气连接
8
7
6
5
1 ：发射器
2 ：发射器
3 ：发射器
4 ：门
5 ：收藏家
6 ：收藏家
7 ：收藏家
8 ：收藏家
1
2
3
4
顶视图
0.25
1
0.65
4
0.3
0.9
1 ：发射器
2 ：发射器
3 ：发射器
4 ：门
5 ：收藏家
6 ：收藏家
7 ：收藏家
8 ：收藏家
博特吨OM查看
0.07
三洋： ECH8
图1大电流R LOAD筛选电路
RL
CM
RG
+
VCC
4V
0V
TIG058E8
100kΩ
注1 。门串联电阻RG
≥
230
Ω
推荐用于保护目的，在关断的时间。不过，
如果dv / dt的
≤
400V /
μs
是SATIS网络版在客户的实际设定的评估， RG < 230
Ω
也可以使用。
注2 。集电极电压梯度的dv / dt必须大于400V较小/
μs
保护装置，当它处于关闭状态。
第A1381-2 / 5
TIG058E8
200
180
IC - VCE
Tc=25
°
C
200
IC - VGE
VCE=10V
--
TC =
集电极电流， IC - 一个
集电极电流， IC - 一个
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
=5.0
VGE
4.0V
3.0V
180
160
140
120
100
80
60
40
20
C
25
°
5
°
C
2
75
°
C
2.5V
8
9
10
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
集电极 - 发射极电压VCE - V
11
VCE - VGE
IT14281
11
栅极 - 发射极电压VGE - V
VCE - VGE
IT14282
TC = --25
°
C
集电极 - 发射极电压VCE - V
Tc=25
°
C
集电极 - 发射极电压VCE - V
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
2
3
4
5
6
IT14283
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
2
3
4
5
6
IT14284
IC=150A
130A
IC = 150A
130A
100A
100A
栅极 - 发射极电压VGE - V
11
VCE - VGE
栅极 - 发射极电压VGE - V
12
11
VCE （SAT） - 锝
Tc=75
°
C
集电极 - 发射极
饱和电压VCE （SAT） - V
集电极 - 发射极电压VCE - V
VGE=4V
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
2
3
4
5
6
IT14285
10
9
8
7
6
5
4
3
2
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
IC = 15
0A
130A
15
我C
0A
130A
100A
100A
栅极 - 发射极电压VGE - V
门极 - 发射极截止电压， VGE （关闭） - V
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
--50
VGE （关闭） - 锝
5
3
2
资本投资者入境计划，卓越中心， Cres的 - VCE
资本投资者入境计划
外壳温度，TC -
°C
IT14286
f=1MHz
资本投资者入境计划，卓越中心， Cres的 - pF的
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7
卓越中心
CRES
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
--25
0
25
50
75
100
125
150
外壳温度，TC -
°C
IT14287
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT14288
第A1381-3 / 5
TIG058E8
注意： TIG058E8具有栅极和发射极，但处理之间的保护二极管，它需要苏夫网络cient护理
才能作出。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，
采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及
结构设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要
从有关根据上述法律，当局出口许可证。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
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否则，没有三洋半导体有限公司的事先书面同意。
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
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三洋半导体有限公司。你打算使用的产品。
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量产。
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党的它，是由于使用的技术信息和产品的知识产权
上面提到的。
该目录规定的12月， 2008年说明和信息，在此受
更改，恕不另行通知。
PS第A1381-5 / 5
QQ：2881677436 复制
