TIC236系列
硅双向可控硅
版权所有 2000年，创新动力有限公司， UK
1971年12月 - 修订2000年6月
G
G
G
G
G
大电流双向可控硅
12有效值
玻璃钝化硅片
400 V到800 V断态电压
我最大
GT
为50 mA （象限1 - 3 ）
MT1
MT2
G
1
2
3
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
销2与安装底座的电接触。
MDC2ACA
在工作情况下的绝对最大额定值（除非另有说明）
等级
TIC236D
重复峰值断态电压（见注1 ）
TIC236M
TIC236S
TIC236N
全周期RMS通态电流（或低于） 70 ℃的外壳温度（见注2 ）
峰值通态浪涌电流全正弦波在（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注3 ）
栅极峰值电流
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米案件从10秒
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
GM
T
C
T
英镑
T
L
V
DRM
符号
价值
400
600
700
800
12
100
±1
-40到+110
-40到+125
230
A
A
A
°C
°C
°C
V
单位
注： 1.这些值适用于双向门和主终端1之间的电阻为任意值。
2.该值适用于50赫兹，电阻性负载全正弦波操作。超过70 °C减免线性至110 ° C的温度在
为300毫安/ ℃的速率。
3.该值适用于一个50赫兹的全正弦波当设备在运行（或低于）峰值反向电压的额定值
和通态电流。浪涌可以重复元件后返回到原来的热平衡。
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
I
DRM
重复峰值
FF-态电流
门极触发
当前
V
D
=额定V
DRM
V
供应
= +12 V
I
GT
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= +12 V
V
GT
门极触发
电压
通态电压
保持电流
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= -12 V
V
T
I
H
I
TM
= ±17 A
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
测试条件
I
G
= 0
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
I
G
= 50毫安
I
G
= 0
I
G
= 0
T
C
= 110°C
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
（见注4 ）
初始化“我
TM
= 100毫安
初始化“我
TM
= -100毫安
12
-19
-16
34
0.8
-0.8
-0.8
0.9
±1.4
22
-12
2
-2
-2
2
±2.1
40
-40
V
mA
V
民
典型值
最大
±2
50
-50
-50
mA
单位
mA
所有的电压都是相对于主终端1 。
注4 ：该参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
=
≤
1毫秒，占空比
≤
2％。电压检测触点分开
载流触点位于内从装置主体3.2毫米。
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
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硅双向可控硅
1971年12月 - 修订2000年6月
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明） （续）
参数
I
L
dv / dt的
dv / dt的
(c)
的di / dt
闭锁电流
的临界上升率
断态电压
关键崛起
整流电压
的临界上升率
在通态电流
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
D
=额定V
D
V
D
=额定V
D
的di / dt = 0.5我
T（ RMS ）
/女士
V
D
=额定V
D
di
G
/ DT = 50毫安/微秒
I
GT
= 50毫安
测试条件
（见注5 ）
I
G
= 0
T
C
= 110°C
T
C
= 80°C
I
T
= 1.4 I
T（ RMS ）
T
C
= 110°C
±1.2
±400
±9
±100
民
典型值
最大
80
-80
单位
mA
V / μs的
V / μs的
A / μs的
所有的电压都是相对于主终端1 。
注5：三端双向可控硅通过由具有以下特征的发电机供给的15 -V（开路幅度）脉冲触发：
R
G
= 100
,
t
P（ G）
= 20
s,
t
r
=
≤
15纳秒， F = 1千赫。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
2
62.5
单位
° C / W
° C / W
典型特征
门极触发电流
vs
外壳温度
1000
TC08AA
门极触发电压
vs
外壳温度
10
TC08AB
I
GT
- 栅极触发电流 - 毫安
100
V
GT
- 栅极触发电压 - V
10
1
1
V
供应
I
GTM
+
+
+
-
-
-
-
+
-40
-20
0
20
40
60
V
AA
= ± 12 V
R
L
= 10
t
P（ G）
= 20 s
80
100
120
V
供应
I
GTM
+
+
+
-
-
-
-
+
}
V
AA
= ± 12 V
R
L
= 10
t
P（ G）
= 20 s
0
20
40
60
80
100
120
0·1
-60
0·1
-60
-40
-20
T
C
- 外壳温度 - C
图1 。
T
C
- 外壳温度 - C
图2中。
产品
信息
2
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硅双向可控硅
1971年12月 - 修订2000年6月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO-220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,32
14,55
1,32
1,23
18,0 TYP 。
6,1
5,6
0,97
0,66
1
2
3
1,47
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,68
2,90
2,40
0,64
0,41
以毫米为单位所有长度
记
答：中心销是与安装选项卡中的电接触。
产品
信息
4
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1971年12月 - 修订2000年6月
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信息
5
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