TIC216系列
硅双向可控硅
●
●
●
●
●
敏感的双向可控硅门
6均方根
玻璃钝化硅片
400 V到800 V断态电压
我最大
GT
为5mA （象限1 - 3 ）
MT1
MT2
G
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDC2ACA
在工作情况下的绝对最大额定值（除非另有说明）
等级
TIC216D
重复峰值断态电压（见注1 ）
TIC216M
TIC216S
TIC216N
全周期RMS通态电流（或低于） 70 ℃的外壳温度（见注2 ）
峰值通态浪涌电流的全正弦waveat （或低于） 25 ℃的外壳温度（见注3 ）
栅极峰值电流
栅极峰值功率耗散（或低于） 85 ℃的情况下（脉冲宽度
≤
200
s)
平均门功耗在（或低于） 85°C的外壳温度（见注4 ）
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米案件从10秒
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
C
T
英镑
T
L
V
DRM
符号
价值
400
600
700
800
6
60
±1
2.2
0.9
-40到+110
-40到+125
230
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
V
单位
注： 1.这些值适用于双向门和主终端1之间的电阻为任意值。
2.该值适用于50赫兹，电阻性负载全正弦波操作。超过70 °C减免线性至110 ° C的温度在
为150毫安/℃的速率。
3.该值适用于一个50赫兹的全正弦波时，器件工作在开态电流（或以下）的测定值。浪涌
可以重复元件后返回到原来的热平衡。在激增，门控可能会丢失。
4.该值适用于20ms的最大平均时间。
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
I
DRM
重复峰值
FF-态电流
门极触发
当前
V
D
=额定V
DRM
V
供应
= +12 V
I
GT
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= -12 V
测试条件
I
G
= 0
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
T
C
= 110°C
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
民
典型值
最大
±2
5
-5
-5
10
mA
单位
mA
所有的电压都是相对于主终端1 。
1971年12月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
1
TIC216系列
硅双向可控硅
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明） （续）
参数
V
供应
= +12 V
V
GT
门极触发
电压
通态电压
保持电流
闭锁电流
的临界上升率
断态电压
关键崛起
整流电压
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= -12 V
V
T
I
H
I
L
dv / dt的
dv / dt的
(c)
I
T
= ±8.4 A
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
DRM
=额定V
DRM
V
DRM
=额定V
DRM
测试条件
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
I
G
= 50毫安
I
G
= 0
I
G
= 0
（见注6 ）
I
G
= 0
I
TRM
= ±8.4 A
T
C
= 110°C
T
C
= 70°C
±2
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
（见注5 ）
初始化“我
TM
= 100毫安
初始化“我
TM
= -100毫安
4
-2
±20
±5
民
典型值
最大
2.2
-2.2
-2.2
3
±1.7
30
-30
V
mA
mA
V / μs的
V / μs的
V
单位
所有的电压都是相对于主终端1 。
注： 5。该参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
=
≤
1毫秒，占空比
≤
2％。电压检测触点分开
载流触点位于内从装置主体3.2毫米。
6.三端双向可控硅通过由具有以下特征的发电机供给的15 -V（开路幅度）脉冲触发：
R
G
= 100
,
t
P（ G）
= 20
s,
t
r
=
≤
15纳秒， F = 1千赫。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
2.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
2
1971年12月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
TIC216系列
硅双向可控硅
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO-220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,32
14,55
1,32
1,23
18,0 TYP 。
6,1
5,6
0,97
0,66
1
2
3
1,47
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,68
2,90
2,40
0,64
0,41
以毫米为单位所有长度
记
答：中心销是与安装选项卡中的电接触。
1971年12月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
3
TIC216系列
硅双向可控硅
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1971年12月 - 修订1997年3月
q
q
q
q
q
敏感的双向可控硅门
6均方根
玻璃钝化硅片
400 V到800 V断态电压
我最大
GT
为5mA （象限1 - 3 ）
MT1
MT2
G
1
2
3
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
销2与安装底座的电接触。
MDC2ACA
绝对最大额定值
在工作情况下（除非另有说明）
等级
TIC216D
重复峰值断态电压（见注1 ）
TIC216M
TIC216S
TIC216N
全周期RMS通态电流（或低于） 70 ℃的外壳温度（见注2 ）
峰值通态浪涌电流全正弦波（见注3 ）
峰值通态浪涌电流正弦半波（见注4 ）
栅极峰值电流
栅极峰值功率耗散（或低于） 85 ℃的情况下（脉冲宽度
≤
200
s)
平均门功耗在（或低于） 85°C的外壳温度（见注5 ）
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米案件从10秒
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
TSM
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
C
T
英镑
T
L
V
DRM
符号
价值
400
600
700
800
6
60
70
±1
2.2
0.9
-40到+110
-40到+125
230
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
V
单位
注： 1.这些值适用于双向门和主终端1之间的电阻为任意值。
2.该值适用于50赫兹，电阻性负载全正弦波操作。超过70 °C减免线性至110 ° C的温度在
为150毫安/℃的速率。
3.该值适用于一个50赫兹的全正弦波时，器件工作在开态电流（或以下）的测定值。
浪涌可以重复元件后返回到原来的热平衡。在激增，门控可能会丢失。
4.该值适用于一个50赫兹的半正弦波，当器件工作在开态电流（或以下）的测定值。
浪涌可以重复元件后返回到原来的热平衡。在激增，门控可能会丢失。
5.该值适用于20ms的最大平均时间。
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
I
DRM
重复峰值
FF-态电流
峰值栅极触发
当前
V
D
=额定V
DRM
V
供应
= +12 V
I
GTM
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= +12 V
V
GTM
峰值栅极触发
电压
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= -12 V
所有的电压都是相对于主终端1 。
测试条件
I
G
= 0
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
T
C
= 110°C
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
民
典型值
最大
±2
5
-5
-5
10
2.2
-2.2
-2.2
3
V
mA
单位
mA
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIC216系列
硅双向可控硅
1971年12月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明） （续）
参数
V
TM
I
H
I
L
dv / dt的
dv / dt的
(c)
峰值通态电压
保持电流
闭锁电流
的临界上升率
断态电压
关键崛起
整流电压
I
TM
= ±8.4 A
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
DRM
=额定V
DRM
V
DRM
=额定V
DRM
测试条件
I
G
= 50毫安
I
G
= 0
I
G
= 0
（见注7 ）
I
G
= 0
I
TRM
= ±8.4 A
T
C
= 110°C
T
C
= 70°C
±5
（见注6 ）
初始化“我
TM
= 100毫安
初始化“我
TM
= -100毫安
50
-20
±50
民
典型值
最大
±1.7
30
-30
单位
V
mA
mA
V / μs的
V / μs的
所有的电压都是相对于主终端1 。
注： 6。该参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
=
≤
1毫秒，占空比
≤
2％。电压检测触点分开
载流触点位于内从装置主体3.2毫米。
7.可控硅通过由具有以下特征的发电机供给的15 -V（开路幅度）脉冲触发：
R
G
= 100
,
t
P（ G）
= 20
s,
t
r
=
≤
15纳秒， F = 1千赫。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
2.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
产品
信息
2
TIC216系列
硅双向可控硅
1971年12月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
3
TIC216系列
硅双向可控硅
1971年12月 - 修订1997年3月
重要通知
创新动力有限公司（ PI）保留随时更改其产品或终止任何权
半导体产品的通知或不通知的服务，并建议客户验证，在下订单之前，该
信息被依靠的电流。
其半导体产品的PI保证产品性能在销售的时候规格
按照PI的标准保修。测试和其它质量控制技术的利用程度PI
认为有必要支持这项保证。每个器件的所有参数的具体测试不一定
除非政府强制要求执行。
PI接受的应用协助，客户的产品设计，软件性能或侵犯任何责任
专利或服务的描述。也不是任何许可证，明示或暗示，任何专利授
权，版权，设计权，或PI覆盖其他知识产权或与之有关的任何组合，
机，或方法，其中，这种半导体产品或服务可能使用或正在使用。
PI半导体公司的产品不是设计，意，授权或保证TO BE
适合于在生命支持应用程序，设备或系统。
版权所有1997 ，创新电源有限公司
产品
信息
4
TIC216系列
硅双向可控硅
●
●
●
●
●
敏感的双向可控硅门
6均方根
玻璃钝化硅片
400 V到800 V断态电压
我最大
GT
为5mA （象限1 - 3 ）
MT1
MT2
G
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDC2ACA
在工作情况下的绝对最大额定值（除非另有说明）
等级
TIC216D
重复峰值断态电压（见注1 ）
TIC216M
TIC216S
TIC216N
全周期RMS通态电流（或低于） 70 ℃的外壳温度（见注2 ）
峰值通态浪涌电流的全正弦waveat （或低于） 25 ℃的外壳温度（见注3 ）
栅极峰值电流
栅极峰值功率耗散（或低于） 85 ℃的情况下（脉冲宽度
≤
200
s)
平均门功耗在（或低于） 85°C的外壳温度（见注4 ）
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米案件从10秒
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
C
T
英镑
T
L
V
DRM
符号
价值
400
600
700
800
6
60
±1
2.2
0.9
-40到+110
-40到+125
230
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
V
单位
注： 1.这些值适用于双向门和主终端1之间的电阻为任意值。
2.该值适用于50赫兹，电阻性负载全正弦波操作。超过70 °C减免线性至110 ° C的温度在
为150毫安/℃的速率。
3.该值适用于一个50赫兹的全正弦波时，器件工作在开态电流（或以下）的测定值。浪涌
可以重复元件后返回到原来的热平衡。在激增，门控可能会丢失。
4.该值适用于20ms的最大平均时间。
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
I
DRM
重复峰值
FF-态电流
门极触发
当前
V
D
=额定V
DRM
V
供应
= +12 V
I
GT
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= -12 V
测试条件
I
G
= 0
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
T
C
= 110°C
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
民
典型值
最大
±2
5
-5
-5
10
mA
单位
mA
所有的电压都是相对于主终端1 。
1971年12月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
1
TIC216系列
硅双向可控硅
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明） （续）
参数
V
供应
= +12 V
V
GT
门极触发
电压
通态电压
保持电流
闭锁电流
的临界上升率
断态电压
关键崛起
整流电压
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= -12 V
V
T
I
H
I
L
dv / dt的
dv / dt的
(c)
I
T
= ±8.4 A
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
供应
= +12 V
V
供应
= -12 V
V
DRM
=额定V
DRM
V
DRM
=额定V
DRM
测试条件
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
I
G
= 50毫安
I
G
= 0
I
G
= 0
（见注6 ）
I
G
= 0
I
TRM
= ±8.4 A
T
C
= 110°C
T
C
= 70°C
±2
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
t
P（ G）
＆ GT ; 20
s
（见注5 ）
初始化“我
TM
= 100毫安
初始化“我
TM
= -100毫安
4
-2
±20
±5
民
典型值
最大
2.2
-2.2
-2.2
3
±1.7
30
-30
V
mA
mA
V / μs的
V / μs的
V
单位
所有的电压都是相对于主终端1 。
注： 5。该参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
=
≤
1毫秒，占空比
≤
2％。电压检测触点分开
载流触点位于内从装置主体3.2毫米。
6.三端双向可控硅通过由具有以下特征的发电机供给的15 -V（开路幅度）脉冲触发：
R
G
= 100
,
t
P（ G）
= 20
s,
t
r
=
≤
15纳秒， F = 1千赫。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
2.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
2
1971年12月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
TIC216系列
硅双向可控硅
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO-220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,32
14,55
1,32
1,23
18,0 TYP 。
6,1
5,6
0,97
0,66
1
2
3
1,47
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,68
2,90
2,40
0,64
0,41
以毫米为单位所有长度
记
答：中心销是与安装选项卡中的电接触。
1971年12月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
3
半导体
TIC216A ， TIC216B ， TIC216D ， TIC216M ， TIC216N ， TIC216S
硅双向晶闸管
6均方根
玻璃钝化硅片
100 V到800 V断态电压
我最大
GT
为5mA （象限1-3）
敏感的双向可控硅门
符合RoHS指令
描述
这个设备是一个双向晶闸管（可控硅），其可以从关闭状态触发
在导通状态由门控信号的任一极性与主终端2在任一极性。
绝对最大额定值
价值
A
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
TSM
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
C
T
英镑
T
L
重复峰值断态电压
（见注1）
全周期RMS通态电流（或
如下图） 70 ℃的外壳温度（见注2 ）
峰值通态浪涌电流全正弦波
（见注3 ）
峰值通态浪涌电流正弦半波
（见注4 ）
栅极峰值电流
栅极峰值功率耗散（或低于）
85°C的外壳温度（脉冲宽度
≤200
s)
在门的平均功耗（或
如下图） 85°C的情况下（见注5）
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米从案例10
秒
100
符号
评级
B
200
单位
S
700
D
400
6
60
70
±1
2.2
0.9
M
600
N
800
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
-40到+110
-40到+125
230
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半导体
TIC216A ， TIC216B ， TIC216D ， TIC216M ， TIC216N ， TIC216S
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
这些值适用于双向地对电阻的栅极与主终端之间的任意值
1.
此值适用于带阻性负载50赫兹全正弦波操作。高于70 °C减免
线性地以150mA /速率℃， 110℃的情况下的温度。
该值适用于一个50赫兹的全正弦波时，器件工作在（或以下）的额定
通态电流的值。电涌可能会重复后，设备又恢复到原来的热
平衡状态。在激增，门控可能会丢失。
该值适用于一个50赫兹的半正弦波，当器件工作在（或以下）的额定
通态电流的值。电涌可能会重复后，设备又恢复到原来的热
平衡状态。在激增，门控可能会丢失。
该值适用于20ms的最大平均时间。
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
评级
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
价值
≤
2.5
≤
62.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
DRM
评级
场外重复峰值
目前状态
门极触发电流
测试条件（S ）
V
D
=额定V
DRM
, , I
G
= 0,
T
C
= 110°C
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= -12 V ，R
L
= 10
,
t
P（ G）
= > 20微秒
V
供应
= + 12V ，我
G
= 0,
开始我
TM
= 100毫安
V
供应
= -12 V ，我
G
= 0,
开始我
TM
= -100毫安
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
±5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
-20
-
±50
-
±2
5
-5
-5
10
2.2
-2.2
-2.2
3
30
mA
-30
-
-
±1.7
-
V / μs的
-
mA
V
mA
I
GT
mA
V
GT
门极触发电压
V
I
H
保持电流
I
L
V
TM
dv / dt的
dv / dt的
闭锁电流
峰值通态电压
的临界上升率
断态电压
关键崛起
交流电压
V
供应
= + 12V （ seeNote7 ）
V
供应
= -12 V （ seeNote7 ）
I
TM
= ± 8.4 A，I
G
= 50 MA（见注6 ）
V
DRM
=额定V
DRM
, I
G
= 0
T
C
= 110°C
V
DRM
=额定V
DRM
, I
TRM
= ± 8.4A
T
C
= 70°C
所有的电压都是白衣对于主终端1 。
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半导体
TIC216A ， TIC216B ， TIC216D ， TIC216M ， TIC216N ， TIC216S
注6 ：此参数必须使用脉冲技术进行测量，T
W
=
≤1s,
占空比
≤
2％ ，电压传感
接触，分离了courrent承载触点位于内从德装置主体3.2毫米（1/8英寸） 。
注7 ：本端双向可控硅开关是通过与发电机提供的15 -V （开路幅度）脉冲触发
以下特征：v
G
= 100,
TP （G ）
= 20微秒，T
r
=
≤
为15ns ， F = 1千赫。
机械数据案例TO- 220
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
主终端1
主终端2
门
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