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TIC108系列

可控硅整流器器

1971年4月 - 修订1997年3月

5 A连续通态电流

20 A浪涌电流

玻璃钝化硅片

400 V到800 V断态电压

我最大

毫安1

的TO-220封装

（ TOP VIEW ）

销2与安装底座的电接触。

MDC1ACA

绝对最大额定值

在工作情况下（除非另有说明）

等级

TIC108D

重复峰值断态电压（见注1 ）

TIC108M

TIC108S

TIC108N

TIC108D

反向重复峰值电压

TIC108M

TIC108S

TIC108N

持续通态电流（或低于） 80 ℃的外壳温度（见注2 ）

平均通态电流（180°导通角），在（或低于） 80℃的情况下，温度

（见注3 ）

浪涌通态电流（见注4 ）

峰正栅极电流（脉冲宽度

≤

300

栅极峰值功率耗散（脉冲宽度

≤

300

平均门功耗（见注5 ）

工作温度范围

存储温度范围

焊接温度1.6毫米案件从10秒

T（ RMS ）

T（ AV ）

G（ AV ）

英镑

RRM

DRM

符号

价值

400

600

700

800

400

600

700

800

3.2

0.2

1.3

0.3

-40到+110

-40到+125

230

°C

单位

注释：1.这些值适用于当栅极 - 阴极电阻R

= 1 k.

2.这些值适用于带电阻性负载连续直流操作。高于80 °C减免线性到零上110 ℃。

3.该值可以连续下单相50赫兹正弦半波动作与电阻负载应用。高于80 °C减免

线性到零，在110 ℃。

4.该值适用于一个50Hz的正弦半波时，该设备是在工作（或以下）的峰值反向电压的额定值

和通态电流。浪涌可以重复元件后返回到原来的热平衡。

5.该值适用于20ms的最大平均时间。

产品

信息

信息为出版日期。产品符合根据规格

随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

TIC108系列

可控硅整流器器

1971年4月 - 修订1997年3月

在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）

参数

DRM

RRM

重复峰值

FF-态电流

重复峰值

反向电流

门极触发电流

=额定V

DRM

=额定V

RRM

= 6 V

P（ G）

≥

20 s

门极触发电压

= 6 V

P（ G）

≥

20 s

= 6 V

P（ G）

≥

20 s

= 6 V

保持电流

开始我

= 20毫安

= 6 V

开始我

= 20毫安

dv / dt的

记

峰值通态

电压

的临界上升率

断态电压

= 5 A

=额定V

（见注6 ）

= 1 k

= 110°C

= 1 k

测试条件

= 1 k

= 0

= 100

= 1 k

= 100

= 1 k

= 100

= 1 k

= - 40°C

= 110°C

0.4

0.2

1.7

V / μs的

0.6

= 110°C

P（ G）

≥

= - 40°C

0.2

民

典型值

最大

400

1.2

单位

6 ：该参数必须使用脉冲技术进行测量，T

= 300微秒，占空比

≤

2％。电压检测-接触，分离

载流触点，位于内从装置主体3.2毫米。

热特性

参数

结到外壳热阻

结到自由空气的热阻

民

典型值

最大

3.5

62.5

单位

° C / W

在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性

参数

门控

开启时间

回路换向

打开-O FF时间

= 5 A

测试条件

= 10毫安

= 8 A

见图1

见图2

民

典型值

2.9

13.3

最大

单位

产品

信息

TIC108系列

可控硅整流器器

1971年4月 - 修订1997年3月

参数测量信息

30 V

90%

PMC1AA

DUT

10%

图1.门控开启时间

30 V

0.1

0.5

DUT

0.1

监视器）

TH1

注意事项： A.电阻R1调整为指定的值

我

B.电阻R2的值是30 / I

，在那里我

为

拿着晶闸管TH1的当前值。

C.可控硅TH1是相同的设备类型为

DUT 。

D.脉冲发生器，G1和G2 ，是

同步，以产生通态阳极

电流波形用下面的

特性：

= 50微秒到300微秒

占空比= 1 ％

E.脉冲发生器， G1和G2 ，具有输出

脉冲幅度，V

中，

≥

20 V和持续时间

10微秒到20微秒。

G2吨

同步

PMC1AB

图2.电路换向关断时间

产品

信息

TIC108系列

可控硅整流器器

1971年4月 - 修订1997年3月

典型特征

平均阳极通态电流

降额曲线

T（ AV ）

- 最大平均阳极正向电流 - 一个

连续直流

TI23AA

MAX连续阳极耗散功率

连续阳极通态电流

- 最大连续阳极耗散功率 - 含

100

= 110 °C

TI23AB

= 180°

0°

180°

传导

角

100

110

- 连续阳极正向电流 - 一个

100

- 外壳温度 - C

网络连接gure 3 。

图4中。

浪涌通态电流

电流持续时间周期

100

≤

80°C

- 峰值半正弦波电流 - 一个

事先没有传导设备

门控制保证

TI23AC

瞬态热阻

电流持续时间周期

JC （T ）

- 瞬态热阻 - C / W

TI23AD

连续50赫兹正弦半波周期

100

0·1

连续50赫兹正弦半波周期

100

图5中。

图6 。

产品

信息

TIC108系列

可控硅整流器器

1971年4月 - 修订1997年3月

典型特征

门极触发电流

外壳温度

= 6 V

- 栅极触发电流 - 毫安

P（ G）

≥

20 s

- 栅极触发电压 - V

= 100

0·8

TC23AA

门极触发电压

外壳温度

0·9

= 6 V

= 100

= 1 k

P（ G）

≥

20 s

0·7

TC23AB

0·6

0·5

0·1

-60

-40

-20

100

120

0·4

-50

-25

100

125

- 外壳温度 - C

图7 。

网络连接gure 8 。

门正向电压

门正向电流

100

= 0

- 门正向电压 - V

= 25 °C

= 300 s

占空比

≤

2 %

TC23AC

保持电流

外壳温度

= 6 V

= 1 k

开始我

= 20毫安

- 保持电流 - 毫安

TC23AD

0·1

100

1000

-50

-25

100

125

- 门正向电流 - 毫安

- 外壳温度 - C

图9 。

网络连接gure 10 。

产品

信息

半导体

TIC108A ， TIC108B ， TIC108C ， TIC108D ， TIC108E ， TIC108M ，

TIC108N ， TIC108S

P-N - P-N硅反向阻断型三极管

晶闸管

5 A连续通态电流

20 A浪涌电流

玻璃钝化硅片

100 V到800 V断态电压

我最大

毫安1

符合RoHS指令

绝对最大额定值

符号

DRM

RRM

T（ RMS ）

T（ AV ）

G（ AV ）

英镑

评级

重复峰值断态电压

（见注1）

反向重复峰值电压

持续通态电流

（或低于） 80℃的情况下的温度（

见注2 ）

平均通态电流

（180°导通角），在（或低于）

80 ℃的外壳温度（见注3 ）

浪涌通态电流（见注4 ）

峰正栅极电流

（脉冲宽度

≤300

峰值功耗

（脉冲宽度

≤300

平均门功耗

（见注5 ）

工作温度范围

存储温度范围

从案例铅温度1.6毫米

10秒

价值

单位

°C

100 200 300 400 500 600 700 800

3.2

0.2

1.3

0.3

-40到+110

-40到+125

230

02/10/2012

半导体COMSET

1|3

半导体

TIC108A ， TIC108B ， TIC108C ， TIC108D ， TIC108E ， TIC108M ，

TIC108N ， TIC108S

热特性

符号

θJC

θJA

评级

门控

= 30 V ，R

= 6

开启时间

GK （ EFF ）

= 5 KΩ ，V

= 50 V

电路交流

= 30 V ，R

= 6

打开-O FF时间

≈

8 A

结到外壳热阻

结到自由空气的热阻

价值

2.9

单位

13.3

≤

3.5

≤

62.5

° C / W

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

DRM

RRM

评级

重复峰值断态

当前

反向重复峰值

当前

门极触发电流

测试条件（S ）

=额定V

DRM

= 1千欧，T

= 110°C

=额定V

RRM

, I

= 0

= 110°C

= 6 V ，R

= 100

P（ G）

≥

20s

= 6 V ，R

= 100

= 1千欧，T

P（ G）

≥

20s

= -40°C

= 6 V ，R

= 100

= 1千欧，T

P（ G）

≥

20s

= 6 V ，R

= 100

= 1千欧，T

P（ G）

≥

20s

= 110°C

= 6 V ，R

= 1 k

开始我

= 20毫安

= 6 V ，R

= 1 k

开始我

= 20毫安

= -40°C

= 5A （见注6 ）

=额定V

, R

= 1 k

= 110°C

民

0.2

0.4

0.2

典型值

0.6

最大

400

200

1.2

单位

门极触发电压

保持电流

1.7

V / μs的

dv / dt的

峰值通态电压

崛起的断态临界速率

电压

02/10/2012

半导体COMSET

2|3

半导体

TIC108A ， TIC108B ， TIC108C ， TIC108D ， TIC108E ， TIC108M ，

TIC108N ， TIC108S

注意事项：

这些值适用于当栅极 - 阴极电阻R

= 1k

这些值适用于带电阻性负载连续直流操作。高于80 °C减免线性地

零，在110 ℃。

这个值可以连续地在单相50赫兹正弦半波动作与应用

阻性负载。高于80 °C减免线性到零上110 ℃。

该值适用于一个50Hz的半正弦波，当设备工作在（或以下）的额定

峰值反向电压和通态电流值。浪涌可以重复该装置具有后

返回到原来的热平衡。

该值适用于20ms的最大平均时间。

该参数必须使用脉冲技术进行测量，T

= 300μS ，占空比

≤

2％，电压 -

感知接触，分离了courrent承载触点，位于内3.2毫米（1/8英寸）的

从德装置主体。

机械数据案例TO- 220

02/10/2012

半导体COMSET

3|3

半导体

TIC108A ， TIC108B ， TIC108C ， TIC108D ， TIC108E ， TIC108M ，

TIC108N ， TIC108S

钉扎

引脚1 ：

引脚2 ：

3脚：

Kathode

阳极

门

修订后的2012年9月

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在生命支持设备或系统中的关键组件。

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02/10/2012

半导体COMSET

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