THS9000
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SLOS425B - 2003年12月 - 修订2006年4月
50 MHz至400 MHz的可级联放大器
特点
高动态范围
- OIP
3
= 36 dBm的
- NF < 4.5分贝
单电源电压
高速
– V
S
= 3 V至5 V
– I
S
- 可调节
输入/输出阻抗
– 50
应用
IF放大器
- TDMA的GSM， IS-136 ， EDGE / UWE -136
- CDMA ：IS- 95 ，UMTS， CDMA2000
无线本地环路
- 无线局域网： 802.11
描述
该THS9000是一个中等功率，可级联，增益高IF频率优化的模块。该放大器
包含内部阻抗匹配到50
.
装在标准的EVM的部分达到更高的
比从50 MHz到325 MHz的V 15 - dB的输入和输出回波损耗
S
= 5 V ，R
（偏置）
= 237
,
L
（ COL）
= 470 nH的。
设计只需要2隔直流电容，1个电源旁路电容，1个RF扼流圈和1偏置电阻。
功能框图
V
S
C(
BYP
)
L
（ COL）
C
（ BLK ）
6
5
4
IF
（下）
THS9000
1
IF
（中）
C
（ BLK ）
2
3
V
S
R
（偏置）
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2003-2006 ，德州仪器
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
可选项
封装器件
(1)
THS9000DRDT
THS9000DRDR
THS9000DRWT
THS9000DRWR
(1)
(2)
2× 2的QFN
(2)
套餐类型
传输介质， QUANTITY
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录结束
本文件，或查看TI网站
www.ti.com 。
在使用PowerPad是所有其他引脚的电隔离。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度（除非另有说明）
(1)
单位
电源电压， GND到V
S
输入电压
连续功率耗散
最高结温，T
J
最高结温，连续运转，长期可靠性，T
J
贮藏温度，T
英镑
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
HBM
ESD额定值：
清洁发展机制
MM
(1)
(2)
(2)
5.5 V
GND到V
S
见耗散额定值表
150°C
125°C
-65 ℃150 ℃的
300°C
2000
1500
100
在任何情况下的绝对最大额定值是由硅工艺的制约的限制。强调以上这些评级可能
会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会降低设备的可靠性。这些都是
只强调额定功率，以及设备在这些功能操作或超出规定的其他条件是不是暗示。
最高结温为连续运行是由包约束的限制。操作高于此温度可
导致可靠性降低和/或该设备的寿命。
额定功耗表
包
DRD
(2) (3)
DRW
(2) (3)
(1)
(2)
(3)
Θ
JA
（ ° C / W）
91
91
额定功率
(1)
T
A
≤
25°C
1.1 W
1.1 W
T
A
= 85°C
440毫瓦
440毫瓦
额定功率为125 ° C的结温是确定的。最终PCB的热管理应努力保持
结温低于125 ℃，以获得最佳性能。
采用JEDEC标准的High-K PCB测试得到该数据。
该THS9000集成在芯片下侧的使用PowerPad 。这作为一个散热器和必须连接到热
散热面进行适当的功率耗散。如果不这样做，可能会导致超过最高结温，这可能
永久性损坏设备。请参见TI技术简介SLMA002关于利用使用PowerPad 的更多信息
热增强型封装
推荐工作条件
民
电源电压
经营自由的空气温度，T
A
电源电流
2.7
-40
100
喃
最大
5
85
单位
V
°C
mA
2
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电气特性
典型性能（V
S
= 5 V ，R
（偏置）
= 237
,
L
（ COL）
= 470 nH的）（除非另有说明）
参数
收益
OIP
3
1 - dB压缩
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
测试条件
F = 50MHz的
F = 350 MHz的
F = 50MHz的
F = 350 MHz的
F = 50MHz的
F = 350 MHz的
F = 50MHz的
F = 350 MHz的
F = 50MHz的
F = 350 MHz的
F = 50MHz的
F = 350 MHz的
F = 50MHz的
F = 350 MHz的
民
典型值
15.9
15.6
36
35
20.8
20.6
15
19.7
17.2
15.1
21
20
3.6
4
最大
单位
dB
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
引脚分配
IF
（中）
1
GND
2
BIAS
3
6
V
S
L
（ COL）
IF
（下）
5
4
终端功能
PIN号码
1
2
3
4
5
6
名字
IF
（中）
GND
BIAS
IF
（下）
L
（ COL）
V
S
描述
信号输入
负电源输入
偏置电流调节输入
信号输出
输出晶体管的负载电感
正电源输入
简化的原理图
V
S
L
（ COL）
BIAS
IF
（中）
IF
（下）
GND
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3
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典型特征
表图的
科幻gure
S21频率响应
S22频率响应
S11频率响应
S12频率响应
S21 VS
（偏置）
输出功率与输入功率
OIP
2
与频率
噪声系数与频率
OIP
3
与频率
I
S
电源电流与
（偏置）
S21频率响应
S22频率响应
S11频率响应
S12频率响应
噪声系数与频率
OIP
2
与频率
输出功率与输入功率
OIP
3
与频率
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
作为安装在该EVM采用V S参数THS9000的
S
= 5 V ，R
（偏置）
= 237
,
和L
（ COL）
= 68 nH的470 nH的
在室温下进行。
S21频率响应
17
16
15
S21 - 分贝
14
S22 - 分贝
L
（ COL）
= 470 nH的
L
（ COL）
= 220 nH的
L
（ COL）
= 330 nH的
5
L
（ COL）
= 100 nH的
0
S22频率响应
L
（ COL）
= 68 nH的
10
L
（ COL）
= 220 nH的
L
（ COL）
= 330 nH的
13
L
（ COL）
= 100 nH的
12
11
10
1M
10 M
L
（ COL）
= 68 nH的
V
S
= 5 V,
R
（偏置）
= 237W,
100 M
1G
的F - 频率 - 赫兹
15
L
（ COL）
= 470 nH的
V
S
= 5 V,
R
（偏置）
= 237W,
1M
10 M
100 M
1G
20
的F - 频率 - 赫兹
图1 。
图2中。
4
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S11频率响应
0
5
10
S11 - 分贝
15
20
25
30
L
（ COL）
= 100 nH的
S12 - 分贝
L
（ COL）
= 220 nH的
L
（ COL）
= 330 nH的
L
（ COL）
= 470 nH的
20
L
（ COL）
= 68 nH的
15
S12频率响应
V
S
= 5 V,
R
（偏置）
= 237W,
L
（ COL）
= 470 nH的
L
（ COL）
= 330 nH的
25
L
（ COL）
= 220 nH的
30
L
（ COL）
= 100 nH的
L
（ COL）
= 68 nH的
35
40
45
1M
10 M
100 M
的F - 频率 - 赫兹
1G
V
S
= 5 V,
R
（偏置）
= 237W,
35
40
1M
10 M
100 M
的F - 频率 - 赫兹
1G
网络连接gure 3 。
图4中。
作为安装在该EVM采用V S参数THS9000的
S
= 3 V和5 V ，R
（偏置）
=不同，和L
（ COL）
= 470 nH的
在室温。
S21
vs
R
（偏置）
17
16
PO - 输出功率 - dBm的
R
（偏置）
= 237
W,
V
S
= 5 V
R
（偏置）
= 56.2
W,
V
S
= 3 V
22
V
S
= 5 V，I
S
= 97毫安
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
S
= 3至5伏，
R
（偏置）
=各不相同，
L
（ COL）
= 470 nH的
1M
10 M
100 M
的F - 频率 - 赫兹
1G
12
11
10
6
4
2
0
2
4
6
8
P
I
- 输入功率 - dBm的
10
12
14
V
S
= 3 V，I
S
= 91毫安
V
S
= 3 V，I
S
= 69毫安
V
S
= 3 V，I
S
= 49毫安
V
S
= 5 V，I
S
= 48毫安
R
（偏置）
= 97.7W,
V
S
= 3 V
R
（偏置）
= 340
W,
V
S
= 5 V
R
（偏置）
= 174
W,
V
S
= 3 V
R
（偏置）
= 549
W,
V
S
= 5 V
12
V
S
= 5 V，I
S
= 71毫安
输出功率
vs
输入功率
15
S21 - 分贝
14
13
11
10
图5中。
图6 。
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