TH
S6
214
TH
S6
21
4
THS6214
www.ti.com
.......................................................................................................................................................................................................
SBOS431 - 2009年5月
双端口，差分， VDSL2线路驱动放大器
1
特点
描述
该THS6214是一个双端口，电流反馈
体系结构，差动线路驱动放大器系统
适用于xDSL系统。该设备是针对
在VDSL2 （甚高比特率数字用户使用
2号线）线路驱动系统，使大于
+ 14.5dBm线路电源，支持G.993.2 VDSL2
17A的个人资料。它也足够快，以支持
为+ 14.5dBm线路功率局端传输
高达30MHz 。
该THS6214用途的独特架构
同时还实现很小的静态电流
高线性度。差的失真，在满偏
条件是-93dBc在1MHz和减少只
-73dBc在10MHz 。的固定倍数偏置设置
放大器可以增强电源节省线路
长度，其中放大器的全部性能
不是必需的。以允许更大的灵活性和
积蓄力量，可调电流引脚（I
ADJ
）是
可进一步降低偏置电流。
43.2V的宽输出摆幅
PP
（ 100Ω差分
负载）与± 12V电源，加上过
416毫安电流驱动器（ 25Ω负载） ，允许宽
动态余量，保持失真极小。
该THS6214可在一个QFN -24或
TSSOP -24使用PowerPad 封装。
低功耗：
- 21毫安/端口（全偏置模式）
- 16.2毫安/端口（中偏置模式）
- 11.2毫安/端口（低偏置模式）
- 低功耗关断模式
– I
ADJ
引脚可变偏置
低噪音：
- 2.7nV / √Hz的噪声电压
- 17pA / √Hz的反相电流噪声
- 1.2pA / √Hz的同相电流噪声
低失真MTPR ：
- 70分贝与+ 20.5dBm的G.993.2 - 8B简介
-93dBc HD3 （ 1MHz时， 100Ω差分）
高输出电流： > 416毫安（ 25Ω负载）
宽输出摆幅： 43.2V
PP
(±12V, 100
差分负载）
宽带宽： 150MHz的（G
差异
= 10V/V)
PSRR ： 50分贝以1MHz为良好的隔离
宽电源电压范围： 10V至28V
23
应用
最适用于VDSL2系统
向后兼容
ADSL / ADSL2 + / ADSL2 +系统
+12V
R
S
R
T
R
F
R
P
R
G
R
P
R
F
100W
R
S
R
T
+12V
I
ADJ
图1.典型的VDSL2线路驱动器电路使用一个端口THS6214的
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2009年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
THS6214
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
PACKAGE -LEAD
(2)
QFN-24
TSSOP-24
包
代号
RHF
PWP
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
记号
6214
THS6214
订购
数
THS6214IRHFT
THS6214IRHFR
THS6214IPWP
THS6214IPWPR
运输
媒体， QUANTITY
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 60
磁带和卷轴， 2000
产品
THS6214
THS6214
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
在使用PowerPad 是所有其他引脚的电隔离。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明。
THS6214
电源电压，V
S–
到V
S+
输入电压V
I
差分输入电压，V
ID
输出电流，I
O
：静态直流
(2)
连续功率耗散
在任何条件
(3)
最大结
温度T
J
连续操作，长期可靠性
只有RHF包
(4)
单位
V
V
V
mA
°C
°C
°C
°C
V
V
V
28
±V
S
±2
±500
+150
+130
+140
-65到+150
2000
500
100
SEE
耗散额定值
表
连续操作，长期可靠性
(4)
只有PWP包
人体模型（ HBM ）
存储温度范围，T
英镑
ESD额定值
带电器件模型（ CDM）
机器模型（ MM ）
(1)
(2)
(3)
(4)
超出上述上市
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出标明的任何其他条件，只有和功能操作不暗示。暴露在绝对
长时间的最大额定条件下可能会降低设备的可靠性。
该THS6214集成在芯片下侧的PowerPAD的。此垫充当散热器和必须连接到一个
热散热面进行适当的功率耗散。如果不这样做，可能会导致超过最高结温，
这可能会永久损坏设备。请参见TI技术简介
SLMA002
关于利用PowerPAD的更多信息
热增强型封装。根据高频交流操作（大于10kHz时） ，短期输出电流能力是多少
比连续直流输出电流额定值越大。这种短期的输出电流额定值约为8.5倍， DC功能，或约
±850mA.
在任何条件下的绝对最大结温是由硅工艺的约束的限制。
绝对最大结温为连续操作由包约束的限制。操作上面这
温度可能会导致可靠性降低和/或设备的寿命。
耗散额定值
包
QFN - 24 （ RHF ）
HTSSOP - 24 （ PWP ）
(1)
θ
JP
（ ° C / W）
5
7
θ
JA
（ ° C / W）
(1)
30
45
对于高功率耗散的应用，焊接将PowerPAD到PCB是必需的。如果不这样做，可能会导致可靠性降低
和/或该设备的寿命。请参见TI技术简介
SLMA002
有关使用耐热增强型的PowerPAD的更多信息
封装。
2
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销刀豆网络gurations
(1)(2)
QFN-24
RHF包装
（ TOP VIEW ）
BIAS-2/D1D2
BIAS-1/D1D2
HTSSOP-24
PWP封装
（ TOP VIEW ）
D1 OUT
V
S-
BIAS-1/D1D2
BIAS-2/D1D2
1
2
3
4
5
6
使用PowerPad
7
8
9
10
11
12
(1)
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
S+
D1 OUT
D1 FB
D2 FB
D2 OUT
NC
NC
(4)
(4)
24
23
22
V
S-
21
V
S+
20
19
18
17
D1 IN +
D2 IN +
GND
(3)
1
2
3
4
5
6
7
使用PowerPad
(1)
D1 FB
D2 FB
D2 OUT
NC
(4)
D1 IN +
D2 IN +
GND
(3)
I
ADJ
NC
(4)
16
15
14
13
D3输出
D3 FB
D4 FB
I
ADJ
D3 IN +
D4 IN +
BIAS-2/D3D4
BIAS-1/D3D4
V
S-
D3 IN +
D4 IN +
D3输出
D3 FB
D4 FB
D4 OUT
V
S+
11
V
S+
BIAS-2/D3D4
BIAS-1/D3D4
V
S-
10
(1)
在将PowerPAD是从所有其他引脚电隔离，并且可以从连接到任何电势电压范围
V
S–
到V
S+
。典型地，将PowerPAD连接到GND层，因为该平面趋向于物理上是
最大，并且能够耗散最多的热量。
该THS6214默认为关闭（禁止）状态，如果没有信号的偏置引脚。
GND引脚范围为V
S–
到（Ⅴ
S+
– 5V).
NC =无连接。
(2)
(3)
(4)
D4 OUT
12
8
9
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电气特性： V
S
= ±12V
在T
A
= + 25 ° C，G
差异
= + 10V / V ，其中R
L
= 100Ω差分负载，R
ADJ
= 0Ω ，有源阻抗电路结构，并充分
偏压，除非另有说明。每个端口都独立测试。
粗体
值的100 ％ ，在+ 25°C的测试。
THS6214IRHF ， IPWP
参数
AC性能
小信号带宽-3dB
G
差异
= + 5V / V ，R
F
= 1.5KΩ ，V
O
= 2V
PP
G
差异
= + 10V / V ，R
F
= 1.5KΩ ，V
O
= 2V
PP
在-40 ° C至+ 85 °C温度范围
0.1分贝带宽平坦度
大信号带宽
压摆率（10％至90 ％的水平）
G
差异
= + 10V / V ，R
F
= 1.24k
G
差异
= + 10V / V ，R
F
= 1.24kΩ ，V
O
= 20V
PP
G
差异
= +10V/V, V
O
= 20V一步，差
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
上升和下降时间
谐波失真
二阶谐波
G
差异
= +10V/V, V
O
= 2V
PP
G
差异
= +10V/V, V
O
= 2V
PP
, R
L
= 100Ω差分
满偏， F = 1MHz的
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
低偏置， F = 1MHz的
第三谐波
满偏， F = 1MHz的
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
低偏置， F = 1MHz的
二阶谐波
满偏， F = 10MHz时
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
低偏置， F = 10MHz时
第三谐波
满偏， F = 10MHz时
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
低偏置， F = 10MHz时
差分输入电压噪声
F = 1MHz时，输入参考
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
差动电流同相
噪音
F = 1MHz的
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
差分反相电流噪声
F = 1MHz的
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
直流性能
开环增益跨阻
R
L
= 100
330
300
输入失调电压
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
输入失调电压漂移
输入失调电压匹配
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
通道1至2和3至4只
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
同相输入偏置电流
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
同相输入端偏置电流漂移
反相输入偏置电流
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
反相输入偏置电流漂移
反相输入偏置电流匹配
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
±8
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
±8
±1
±0.5
±15
±50
±60
±155
±5
±7
±3.5
±5.5
±30
±45
±55
±154
±30
±40
700
k
k
mV
mV
μV/°C
mV
mV
A
A
NA / ℃，
A
A
NA / ℃，
A
A
A
B
A
B
B
A
B
A
B
B
A
B
B
A
B
17
1.2
–58
2.7
3.2
3.5
1.4
1.6
20
24
–72
–73
-65
-53
–85
–75
-70
-65
–96
–89
-85
-80
–100
-95
-90
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
PA / ÷赫兹
3200
3000
5
120
100
114
120
3800
160
150
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
V / μs的
ns
C
B
B
C
C
B
B
C
C
B
B
C
B
B
C
B
B
C
B
B
C
B
B
B
B
B
B
条件
民
典型值
最大
单位
TEST
水平
(1)
(1)
测试等级： （ A） + 25° C 100 ％测试。过温限制由特性和仿真设置。 （二）限制由特性设置
和仿真。 （ C）仅作为参考的典型值。
4
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电气特性： V
S
= ± 12V （续）
在T
A
= + 25 ° C，G
差异
= + 10V / V ，其中R
L
= 100Ω差分负载，R
ADJ
= 0Ω ，有源阻抗电路结构，并充分
偏压，除非另有说明。每个端口都独立测试。
粗体
值的100 ％ ，在+ 25°C的测试。
THS6214IRHF ， IPWP
参数
输入特性
共模输入范围
每个输入
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
共模抑制比
每个输入
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
同相输入电阻
反相输入电阻
输出特性
输出电压摆幅
(2)
条件
民
典型值
最大
单位
TEST
水平
(1)
±9
±8.6
53
49
±9.5
V
V
A
B
A
B
C
C
65
dB
dB
500 || 2
50
kΩ的|| pF的
R
L
= 100Ω ，每路输出
R
L
= 50Ω ，每路输出
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
R
L
= 25Ω ，每路输出
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
±10.6
±10.4
±10.2
±10
±408
±400
±10.9
±10.8
V
V
V
C
A
B
A
B
A
B
C
C
C
±10.4
V
V
输出电流（采购和下沉）
R
L
= 25Ω ，基于V
OUT
试验
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
±416
mA
mA
输出短路电流
输出阻抗
相声
电源
工作电压
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
I
S+
静态电流
每个端口，满偏（偏- 1 = 0 ，偏置-2 = 0 ）
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
每个端口，中间偏（偏- 1 = 1 ，偏置-2 = 0 ）
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
每端口，低偏置（偏置- 1 = 0 ，偏置2 = 1 ）
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
每个端口，偏压关（偏置-1 = 1，偏置2 = 1）
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
I
S–
静态电流
每个端口，满偏（偏- 1 = 0 ，偏置-2 = 0 ）
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
每个端口，中间偏（偏- 1 = 1 ，偏置-2 = 0 ）
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
每端口，低偏置（偏置- 1 = 0 ，偏置2 = 1 ）
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
每个端口，偏压关（偏置-1 = 1，偏置2 = 1）
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
电流通过GND引脚
电源抑制比
（ + PSRR ）
每个端口，满偏（偏- 1 = 0 ，偏置-2 = 0 ）
迪FF erential
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
电源抑制比
（ -PSRR ）
迪FF erential
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
54
52
52
50
18.5
16
14
11.8
9
7.1
±5
±5
19.5
17
15
12.8
10
8.1
F = 1MHz时，差
F = 1MHz时， V
OUT
= 2V
PP
，端口1到端口2
1
0.2
–90
A
dB
±12
±14
±14
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
dB
dB
A
C
A
B
A
B
A
B
A
B
A
B
A
B
A
B
A
B
C
A
B
A
B
21
22.5
24
16.2
17.4
18.6
11.2
12.4
13.2
0.4
0.8
1
20
21.5
23
15.2
16.4
17.6
10.2
11.6
11.4
0.1
0.3
0.8
1
66
65
dB
dB
(2)
测试电路示于
图1 。
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