THS4524-EP
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SBOS609 - 2012年6月
非常低的功率，负轨输入，轨到轨输出，
全差动放大器
检查样品：
THS4524-EP
1
特点
全差分结构
带宽： 145 MHz的
压摆率： 490 V / μs的
HD
2
： -133 dBc的在10千赫（1V
RMS
, R
L
= 1 k)
HD
3
： -140 dBc的在10千赫（1V
RMS
, R
L
= 1 k)
输入电压噪声： 4.6纳伏/ √Hz的（ F = 100千赫）
THD + N ： -112dBc （ 0.00025 ％）在1 kHz
（ 22 kHz的带宽，G = 1 ， 5 V
PP
)
开环增益： 119分贝
NRI -负轨输入
RRO轨到轨输出
输出共模控制（带低
偏移和漂移）
电源：
- 电压： + 2.5V （ ± 1.25 V ）至5.5 V（ ± 2.75 V）
- 电流：1.14毫安/通道
省电功能： 20
μA
（典型值）
23
支持国防，航天，
和医疗应用
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
提供军用（ -55°C / 125°C ）
温度范围
(1)
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
THS4524与ADS1278性能组合
1 KW
1.5 nF的
5V
1 KW
V
IN +
THS4524
V
IN-
1 KW
V
OCM
49.9
W
AINN1
49.9
W
2.2 nF的
ADS1278 （ CH 1 ）
AINP1
x1
0.1 μF的
1.5 nF的
1 KW
1 kHz的FFT
0
-20
G=1
R
F
= R
G
= 1千瓦
C
F
= 1.5 nF的
V
S
= 5 V
负载= 2× 49.9 W + 2.2 nF的
1/2
OPA2350
0.1 μF的
V
COM
应用
低功耗SAR和
ΔΣ
ADC驱动器
低功耗差动驱动器
低功耗差动信号调理
低功耗，高性能差分
音频放大器
幅度（ dBFS的）
-40
-60
-80
-100
-120
-140
-160
0
4
8
12
16
20
24 26
频率（kHz ）
音
（赫兹）
1k
信号
（ dBFS的）
-
0.50
SINAD
（ DBC）
105.5
SFDR
（ DBC）
113.7
SNR （ DBC）
109.1
总谐波失真（ DBC）
-
107.9
(1)
额外的温度范围内工作 - 联系工厂
描述
该THS4524是一个非常低的功耗，全差分运算放大器具有轨到轨输出和输入
共模范围包括负轨。该放大器是专为低功耗数据采集
系统和高密度的应用中，功耗是一个关键的参数，并提供卓越的
高性能音频应用。
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
2
I S是恩智浦半导体公司的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
版权所有2012，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这种全差分运算放大器的特点准确的输出共模控制，允许直流耦合时，
驱动模拟 - 数字转换器（ADC ） 。该控制中，加上下面所述的输入共模范围
负电压轨以及轨到轨输出，允许的单端，接地参考的轻松连接
信号源。此外， THS4524非常适合用于驱动两个逐次逼近寄存器
（ SAR）和只使用一个单一的+ 2.5 -V Δ-Σ （ ΔΣ ） ADC以+ 5 V和地面电源。
该THS4524全差动运算放大器的特点是操作在整个工业温度范围内
从-55°C至125°C 。
相关
制品
设备
THS4520
THS4121
THS4130
BW （兆赫）
570
100
150
I
Q
（MA ）
15.3
16
16
总谐波失真（ DBC）
在100千赫
–114
–79
–107
V
N
（NV / √Hz的）
2
5.4
1.3
轨到轨
OUT
IN / OUT
No
2
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
封装/订购信息
(1)
T
A
PACKAGE -LEAD
封装标识
磁带和卷轴，
2000
轨， 50
订购零件
数
THS4524MDBTREP
THS4524MDBTEP
顶部端标记
THS4524EP
THS4524EP
VID号
V62/12612-01XE
V62/12612-02XE
-55 ° C至125°C
TSSOP - 38
DBT
(1)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或者访问
器件产品文件夹在
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明） 。
THS4524
电源电压，V
S–
到V
S+
输入/输出电压，V
I
(V
IN-
, V
OUT-
, V
OCM
销）
差分输入电压，V
ID
输出电流，I
O
输入电流I
I
(V
IN-
, V
OCM
销）
连续功率耗散
最高结温，T
J
最高结温，T
J
（连续操作，长期可靠性）
工作的自由空气的温度范围内，T
A
存储温度范围，T
英镑
人体模型（ HBM ）
ESD
评分：
充电设备模型（ CDM）
机器模型（ MM ）
5.5
(V
S–
） - 0.7对（Ⅴ
S+
) + 0.7V
1
100
10
单位
V
V
V
mA
mA
见热特性规格
+150
+125
-55至125
-65到+150
1300
1000
50
°C
°C
°C
°C
V
V
V
(1)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出标明的任何其他条件，只有和功能操作不暗示。置身于absolute-
长时间最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
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3
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热信息
THS4524
热公制
(1)
θ
JA
θ
JCtop
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JCbot
结至环境热阻
(2)
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
(4)
结至顶部的特征参数
(5)
(3)
DBT
38针
106.9
59.8
66.5
17.1
66.1
不适用
单位
° C / W
结至电路板的特征参数
(6)
结至外壳（底部）热阻
(7)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
SPRA953.
在自然对流的结点至环境热阻是在一个JEDEC标准，高K板上的模拟获得，如
在JESD51-7指定，在JESD51-2a描述的环境。
通过模拟在封装顶部冷板试验获得的结到壳体（顶部）的热阻。没有具体JEDEC-
标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
通过模拟的环境中具有环冷板夹具来控制印刷电路板得到的结到电路板的热阻
温度，如在JESD51-8说明。
结至顶部的特征参数，
ψ
JT
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
结至电路板的特征参数，
ψ
JB
估计装置的结温在实际的系统中，并且被提取
从仿真数据用于获得
θ
JA
使用在JESD51-2a描述的方法（第6和7）。
通过在暴露的（功率）垫模拟冷板试验获得的结到壳体（底部）的热阻。没有具体
JEDEC标准测试存在，但密切描述可以在ANSI SEMI标准G30-88被发现。
电气特性： V
S+
– V
S–
= 3.3 V
在V
S+
= +3.3 V, V
S–
= 0 V, V
OCM
=打开，V
OUT
= 2 V
PP
（差）中，R
L
= 1 kΩ的差异，G = 1 V / V ，单端输入，
差分输出，以及输入和输出参考中间电源电压，除非另有说明。
T
A
= -55 ° C至125°C
参数
AC性能
小信号带宽
V
OUT
= 100 mV的
PP
, G = 1
V
OUT
= 100 mV的
PP
, G = 2
V
OUT
= 100 mV的
PP
, G = 5
V
OUT
= 100 mV的
PP
, G = 10
增益带宽积
大信号带宽
带宽为0.1 dB平坦度
上升斜率（差分）
落压摆率（差分）
冲
冲
上升时间
下降时间
建立时间为1 ％
谐波失真
二阶谐波
F = 1千赫，V
OUT
= 1 V
RMS
, G = 1
(2)
,
差分输入
F = 1MHz时， V
OUT
= 2 V
PP
, G = 1
第三谐波
F = 1千赫，V
OUT
= 1 V
RMS
, G = 1
(2)
,
差分输入
F = 1MHz时， V
OUT
= 2 V
PP
, G = 1
二阶互调失真
双音，女
1
= 2兆赫，女
2
= 2.2 MHz时，
V
OUT
= 2-V
PP
信封
–122
–85
–141
–90
–83
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
C
C
C
C
C
V
OUT
= 100 mV的
PP
, G = 10
V
OUT
= 2 V
PP
, G = 1
V
OUT
= 2 V
PP
, G = 1
V
OUT
= 2 -V的步骤，G = 1 ，R
L
= 200
V
OUT
= 2 -V的步骤，G = 1 ，R
L
= 200
V
OUT
= 2 -V的步骤，G = 1 ，R
L
= 200
V
OUT
= 2 -V的步骤，G = 1 ，R
L
= 200
V
OUT
= 2 -V的步骤，G = 1 ，R
L
= 200
V
OUT
= 2 -V的步骤，G = 1 ，R
L
= 200
V
OUT
= 2 -V的步骤，G = 1 ，R
L
= 200
135
49
18.6
9.3
93
95
20
420
460
1.2
2.1
4
3.5
13
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
V / μs的
%
%
ns
ns
ns
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
条件
民
典型值
最大
单位
TEST
水平
(1)
(1)
(2)
4
测试电平：
(A)
100 ％测试。
(B)
限制由特性和仿真设置。
(C)
仅供参考的典型值。
不直接可测量的;使用101的噪声增益的应用程序部分描述来计算，
音频性能。
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电气特性： V
S+
– V
S–
= 3.3 V （续）
在V
S+
= +3.3 V, V
S–
= 0 V, V
OCM
=打开，V
OUT
= 2 V
PP
（差）中，R
L
= 1 kΩ的差异，G = 1 V / V ，单端输入，
差分输出，以及输入和输出参考中间电源电压，除非另有说明。
T
A
= -55 ° C至125°C
参数
三阶互调失真
输入电压噪声
输入电流噪声
过驱动恢复时间
输出平衡误差
闭环输出阻抗
通道到通道的串扰
直流性能
开环电压增益（A
OL
)
输入失调电压
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入偏置电流漂移
(3)
输入失调电流
输入失调电流漂移
(4)
(3)
条件
双音，女
1
= 2兆赫，女
2
= 2.2 MHz时，
V
OUT
= 2-V
PP
信封
F > 10千赫
F > 100千赫
过载= ± 0.5 V
V
OUT
= 100 mV的，女
≤
2兆赫（差动输入）
F = 1兆赫（差分）
F = 10 kHz时，测得的差异
民
典型值
–90
4.6
0.6
80
–57
0.3
–125
最大
单位
dBc的
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
ns
dB
dB
TEST
水平
(1)
C
C
C
C
C
C
C
80
116
±0.5
±2
0.75
±1.75
±0.03
±0.1
±2.0
3.8
±7
dB
mV
μV/°C
μA
NA / ℃，
uA
NA / ℃，
A
A
C
A
C
A
C
(3)
(4)
输入失调电压漂移，输入偏置电流漂移和输入偏置电流漂移的计算，采取的数据，在-55°C平均值
和+ 125°C ，计算差值，并通过180分割。
输入失调电压漂移，输入偏置电流漂移和输入偏置电流漂移的计算，采取的数据，在-55°C平均值
和+ 125°C ，计算差值，并通过180分割。
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5
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