THS4521-HT
www.ti.com.cn
ZHCS261C
–
2011年4月
–
经修订的2011年12月
极½功率，负电源½输入，
½到½输出，完全差分放大器
查询样品:
THS4521-HT
1
特性
完全差分架构
带½：40.7
兆赫（210℃ ）
½换率：353.5
用V / s （210℃ ）
HD
2
：为1kHz时为
–96dBc
(1 V
RMS
, R
L
= 1千欧）（ 210℃）
HD
3
： 1kHz时
时为
–91.5dBc
(1 V
RMS
, R
L
= 1千欧）（ 210℃）
输入电压噪音：19.95
内华达州/ √Hz的（ F = 100千赫）
开环路增益： 90分贝（典型值） （ 210 ° C）
NRI
—
负电源½输入
RRO
—
½到½输出
输出共模控制 （具有½补偿和漂移）
电源:
–
电压：
2.5 V (±1.25 V)
至
3.3 V (±1.65 V)
–
电流：
1.4毫安/通道（ CH ） （ 3.3 V ）
断电½力：
10
A（典型值）(210°C)
应用范围
½孔打钻
高温环境
司
公
限
有 2
件
技 83 器
科 16 元
子 29 子
电 -8 电
创 55 温
德 07 高
鸿 话 油
圳 电 石
深 系 理
联 代
业
专
支持极端温度环境下的应用
(1)
可定制工½温度范围
1 KW
1.5 nF的
3.3 V
49.9
W
AINP1
THS4521
49.9
W
2.2 nF的
ADS1278 （ CH 1 ）
AINN1
1.5 nF的
1 KW
可控基线
一个组装/测试场所
一个制造场所
可在极端温度范围
(–55°C/210°C)
下工½
(1)
延长的产品生½周期
延长产品的变更通知周期
产品可½溯性
德州仪器（ TI ）高温产品利用高度优化的硅（芯
片）解决方案，此解决方案对设计和制造工艺进行
了提升以在拓展的温度范围内大大地提高性½。
说明
THS4521
是一款极½功率，完全差分运算放大器，此放大器具有½到½输出和一个包括负电源½在内的输入共模
范围。 这个放大器设计用于½功率数据采集系统和高密度应用，在此类应用中功率耗散是一个关键参数，此放大器
还在音频应用中提供出色的性½。
THS4521
特有精确输出共模控制，此控制可在驱动模数½换器
器（ADC）
时实现
dc
耦合。 与一个½于负电源½和½
到½输出的输入共模范围相耦合，这个控制可以很容易的实现与单端，地面基准信号源对接。 除此之外，这个器件
非常适合用于驱动逐次逼近寄存器
（ SAR ）
和只½用
2.5V
至
3.3V
和地面电源的三角积分
（ ΔΣ ） ADC 。
THS4521
运行温度范围为
–55°C
至
210°C。
1 KW
V
IN +
V
IN-
1 KW
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
幅度（ DBV）
0
2k
4k
6k
8k 10k 12k 14k 16k 18k 20k
频率（Hz）
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权
2011年，德州仪器
英文资料：
SBOS548
THS4521-HT
ZHCS261C
–
2011年4月
–
经修订的2011年12月
www.ti.com.cn
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
裸芯片信息
模具厚度
11密耳。
背面完成
硅与研磨用
背面
潜力
漂浮的
焊盘
金属化成分
铝 - 铜（0.5％）
焊盘
厚度
1380纳米
详细描述
V
IN-
V
S+
V
S+
V
S+
V
OCM
V
OUT +
V
OUT-
V
S-
V
S-
V
S-
PD
V
IN +
司
公
限
有 2
件
技 83 器
科 16 元
子 29 子
电 -8 电
创 55 温
德 07 高
鸿 话 油
圳 电 石
深 系 理
联 代
|
业
专
½
922
m
m
12
11
10
9
8
7
76.8
m
m
6
1
2
3
4
5
0.0
75.8
m
m
表1.债券垫坐标以微米
X敏
80.7
310.6
敏
3.7
3.7
3.7
3.7
3.7
1
3
4
5
盘数
2
X最大
165.7
490.6
585.6
680.6
395.6
½
Y轴最大值
88.7
88.7
88.7
88.7
88.7
222.55
519.7
653.6
653.6
653.6
653.6
653.6
405.6
500.6
595.6
6
7
8
9
679.6
679.6
595.6
500.6
405.6
310.6
80.7
10
11
12
2
|
0.0
137.55
434.7
568.6
568.6
568.6
568.6
568.6
764.6
764.6
680.6
585.6
490.6
395.6
165.7
版权
2011年，德州仪器
809
m
m
½
½
THS4521-HT
www.ti.com.cn
ZHCS261C
–
2011年4月
–
经修订的2011年12月
订购信息
(1)
T
A
–55°C
to175°C
–55°C
至210℃
(1)
(2)
包
(2)
D
KGD （裸片）
HKJ
订购型号
THS4521HD
THS4521SKGD1
THS4521SHKJ
顶部端标记
THS4521
NA
THS4521SHKJ
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明） 。
电源电压，V
S–
到V
S+
输入/输出电压，V
I
(V
IN-
, V
OUT-
, V
OCM
销）
差分输入电压，V
ID
输出电流，I
O
输入电流I
I
(V
IN-
, V
OCM
销）
连续功率耗散
最高结温，T
J
（连续操作，长期可靠性）
工作的自由空气的温度范围内，T
A
存储温度范围，T
英镑
ESD
评分：
包
人体模型（ HBM ）
充电设备模型（ CDM）
机器模型（ MM ）
司
公
限
有 2
件
技 83 器
科 16 元
子 29 子
电 -8 电
创 55 温
德 07 高
鸿 话 油
圳 电 石
深 系 理
联 代
业
专
3.6
(V
S–
)
–
0.7- （Ⅴ
S+
) + 0.7V
1
100
10
(2)
单位
V
V
V
mA
mA
见热特性规格
217
°C
°C
°C
V
V
V
–40
175
–55
到210
–65
到210
1300
KGD ， HKJ包
1000
50
(1)
(2)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出标明的任何其他条件，只有和功能操作不暗示。接触
绝对最大额定条件下长时间可能会影响器件的可靠性。
请参阅
图1
对预期寿命的时间。
热特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
结到外壳热阻（到机箱底部）
θ
JC
θ
jc的（1）
θ
JA
(1)
民
典型值
最大
5.7
13.7
72.5
118.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
HKJ包
结到外壳热阻（以盒盖顶部 - 为
如果形成死虫）
结到外壳热阻
结至环境热阻
作为每JESD51 。
HKJ包
包
包
版权
2011年，德州仪器
3
THS4521-HT
ZHCS261C
–
2011年4月
–
经修订的2011年12月
www.ti.com.cn
电气特性： V
S+
–
V
S–
= 3.3 V
在V
S+
= 3.3 V, V
S–
= 0 V, V
OCM
=打开，V
OUT
= 2 V
PP
（差）中，R
L
= 1 kΩ的差异，G = 1 V / V ，单端输入，
差分输出，输入和输出参考中间电源电压，除非另有说明。
-55 ° C至125°C
参数
AC性能
小信号带宽
V
OUT
= 100 mV的
PP
,
G=1
V
OUT
= 100 mV的
PP
,
G=2
V
OUT
= 100 mV的
PP
,
G=5
104.3
42
12.2
8.1
81
40.7
12.5
3.15
2.2
22
40.7
12.5
3.15
2.2
22
22
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
V / μs的
%
%
ns
ns
ns
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
条件
民
典型值
最大
民
175°C
典型值
最大
-55 ° C至210℃
民
典型值
最大
单位
TEST
水平
(1)
司
公
限
有 2
件
技 83 器
科 16 元
子 29 子
电 -8 电
创 55 温
德 07 高
鸿 话 油
圳 电 石
深 系 理
联 代
业
专
V
OUT
= 100 mV的
PP
,
G = 10
V
OUT
= 100 mV的
PP
,
G = 10
V
OUT
= 2 V
PP
, G = 1
84
22
V
OUT
= 2 V
PP
, G = 1
V
OUT
= 2 -V步骤，
G = 1，R
L
= 200
18.1
5.4
5.4
377.5
353.5
392.5
8.85
353.5
V
OUT
= 2 -V步骤，
G = 1，R
L
= 200
422.5
6.75
392.5
8.85
V
OUT
= 2 -V步骤，
G = 1，R
L
= 200
V
OUT
= 2 -V步骤，
G = 1，R
L
= 200
V
OUT
= 2 -V步骤，
G = 1，R
L
= 200
V
OUT
= 2 -V步骤，
G = 1，R
L
= 200
V
OUT
= 2 -V步骤，
G = 1，R
L
= 200
F = 1千赫
V
OUT
= 1 V
RMS
,
G = 1
(2)
,
差分输入
7.85
11.45
15.9
14.6
23.5
11.45
15.9
14.6
23.5
13.5
11.4
18.5
–115
–96
–96
F = 1MHz时，
V
OUT
= 2 V
PP
, G = 1
F = 1千赫
V
OUT
= 1 V
RMS
,
G = 1
(2)
,
差分输入
–77
–68.5
–68.5
–116
–91.5
–91.5
F = 1MHz时，
V
OUT
= 2 V
PP
, G = 1
–80.5
–68.5
–68.5
双音，女
1
= 2 kHz时，
f
2
= 500赫兹，
V
OUT
= 1 V
RMS
信封
–91.5
–79.5
–79.5
双音，女
1
= 2 kHz时，
f
2
= 500赫兹，
V
OUT
= 1 V
RMS
信封
f
＆ GT ;
10千赫
f
＆ GT ;
100千赫
高速模式=
±0.5
V
V
OUT
= 100 mV时，
f
≤
2兆赫（差动输入）
F = 1兆赫（差分）
–95.5
9.05
1.8
116.5
–51.5
0.3
–79.5
–79.5
19.95
2.45
126
–45.5
19.95
2.45
126
–45.5
增益带宽
产品
大信号带宽
带宽为0.1分贝
平整度
上升的转换率
（差分）
下降的压摆率
（差分）
冲
冲
上升时间
下降时间
建立时间为1 ％
谐波失真
dBc的
C
二阶谐波
dBc的
C
dBc的
C
第三谐波
dBc的
C
二阶
互
失真
三阶
互
失真
dBc的
C
dBc的
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
ns
dB
C
C
C
C
C
C
输入电压噪声
输入电流噪声
过载恢复
时间
输出平衡误差
闭环输出
阻抗
(1)
(2)
测试电平：
(A)
100 ％测试。
(B)
限制由特性和仿真设置。
(C)
仅供参考的典型值。
不直接可测量的;使用101噪声增益计算。
4
版权
2011年，德州仪器
THS4521-HT
www.ti.com.cn
ZHCS261C
–
2011年4月
–
经修订的2011年12月
电气特性： V
S+
–
V
S–
= 3.3 V （续）
在V
S+
= 3.3 V, V
S–
= 0 V, V
OCM
=打开，V
OUT
= 2 V
PP
（差）中，R
L
= 1 kΩ的差异，G = 1 V / V ，单端输入，
差分输出，输入和输出参考中间电源电压，除非另有说明。
-55 ° C至125°C
参数
直流性能
开环电压
增益（A
OL
)
输入失调
电压
输入失调电压
漂移
(3)
输入偏置电流
输入偏置电流
漂移
(3)
102
±0.1
±1
±5
±28
81.9
±0.13
±10
90
±0.43
±2
±11.5
±50
dB
mV
μV/°C
μA
NA / ℃，
A
NA / ℃，
A
A
B
A
B
A
B
条件
民
典型值
最大
民
175°C
典型值
最大
-55 ° C至210℃
民
典型值
最大
单位
TEST
水平
(1)
输入失调电流
输入失调电流
漂移
(3)
输入
共模输入
电压低
共模输入
电压高
共模
抑制比
（ CMRR ）
输入阻抗
产量
输出电压低
输出电压高
输出电流驱动
（线性工作）
电源
指定操作
电压
静态工作
电流，每通道
电源
抑制比
（ -PSRR ）
掉电
开启电压
门槛
关闭电压
门槛
禁用引脚偏置
当前
掉电静态
当前
开启时间延迟
关断延时
V
OCM
电压控制
小信号带宽
司
公
限
有 2
件
技 83 器
科 16 元
子 29 子
电 -8 电
创 55 温
德 07 高
鸿 话 油
圳 电 石
深 系 理
联 代
业
专
±0.75
±3.3
±0.3
±1.1
±3.3
±14
±0.75
±4.7
±4.5
±0.78
±4.8
±1.7
±8
±0.5
±3.2
±0.5
±3.6
±1.26
–0.1
1.9
0
-0.1
1.9
–0.1
1.9
0
1.8
1.8
80
105
95
74
98
154∥3.
2
12.3∥4
6
12.3∥4
6
0.09
0.25
0.3
0.09
2.95
3.11
3.11
2.85
3.05
R
L
= 50
±35
(4)
±33
(4)
±33
(4)
2.5
3.6
2.5
3.6
2.5
0.85
1
1.3
0.9
1.16
1.4
0.9
1.1
66
85
62.5
74
60
80
保证
on
上述2.2 V
保证
关闭
低于0.7 V
1
2.2
1
2.2
1
0.7
1.6
1
0.7
1.6
1
0.7
1.6
1
2
10
10
时间到V
OUT
= 90％的最终
值，V
IN
= 2 V ，R
L
= 200
时间到V
OUT
作者= 10％
原始值，
V
IN
= 2 V ，R
L
= 200
86.5
99
99
136
145
144.5
21
13
13
±4.5
±17
±3.5
±9
V
V
A
A
dB
A
kΩ∥pF
C
0.31
V
V
mA
A
A
C
3.6
1.4
V
A
A
mA
dB
A
2.2
V
V
μA
μA
ns
A
A
C
C
C
ns
C
兆赫
C
(3)
(4)
输入失调电压漂移，输入偏置电流漂移和输入偏置电流漂移的计算，采取的数据，在-55°C平均值
和125 ℃下，计算的差与分割由180高的温度漂移数据是通过取数据在计算平均值
-55 ° C和210 ° C，计算差值和潜水265 。
连续操作的高电流负载在升高的温度可能会影响产品的可靠性。是指工作寿命表
（图
1).
5
版权
2011年，德州仪器
THS4521-HT
www.ti.com
SBOS548D - 2011年4月 - 修订2012年5月
非常低的功率，负轨输入，
轨到轨输出全差动放大器
检查样品：
THS4521-HT
1
特点
全差分结构
带宽： 40.7兆赫（ 210 ° C）
压摆率： 353.5 V / μs的（ 210 ° C）
HD
2
： -96 dBc的1 kHz时
(1 V
RMS
, R
L
= 1千欧）（ 210℃）
HD
3
： -91.5 dBc的1 kHz时
(1 V
RMS
, R
L
= 1千欧）（ 210℃）
输入电压噪声： 19.95内华达州/ √Hz的（ F = 100千赫）
开环增益90分贝（典型值） （ 210 ° C）
NRI -负轨输入
RRO轨到轨输出
输出共模控制（带低
偏移和漂移）
电源：
- 电压： 2.5 V （ ± 1.25 V）至3.3 V （ ± 1.65 V ）
- 电流1.4毫安/通道（ 3.3 V ）
省电功能： 10 μA （典型值） （ 210 ° C）
应用
潜孔钻
高温度环境下
SUPPORTS极端气温
应用
控制基线
一个封装/测试网站
一个网站制作
可在极端（ -55°C / 210 ° C）
温度范围
(1)
延长产品生命周期
扩展产品更改通知
产品可追溯性
德州仪器的高温产品
利用高度优化的硅（芯片）解决方案
与设计和工艺改进
在扩展性能最大化
温度。
自定义的温度范围内工作
(1)
描述
该THS4521是一个非常低的功耗，全差分运算放大器具有轨到轨输出和输入共模
范围包括负轨。该放大器是专为低功耗数据采集系统和高
密度的应用中功耗是一个关键的参数，并提供了在特殊性能
音频应用。
该THS4521功能精确的输出共模控制驾驶模拟到时，允许直流耦合
数字转换器（ADC ） 。这种控制，加上一个输入共模范围的负供电轨以下为
以及轨到轨输出，可用于单端，接地参考信号源之间的轻松连接。
此外，该器件非常适合用于驱动两个逐次逼近寄存器（ SAR）和Δ-
只使用一个单一的2.5 V至3.3 V和地面电源西格玛（ ΔΣ ）模数转换器。
该THS4521的特点是操作从-55°C至210 ℃。
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2011-2012 ，德州仪器
THS4521-HT
SBOS548D - 2011年4月 - 修订2012年5月
1 KW
1.5 nF的
3.3 V
49.9
W
AINP1
THS4521
V
IN-
1 KW
49.9
W
2.2 nF的
ADS1278 （ CH 1 ）
AINN1
www.ti.com
1 KW
V
IN +
1.5 nF的
1 KW
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
幅度（ DBV）
0
2k
4k
6k
8k 10k 12k 14k 16k 18k 20k
频率（Hz）
2
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SBOS548D - 2011年4月 - 修订2012年5月
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
裸芯片信息
模具厚度
11密耳。
背面完成
硅与研磨用
背面
潜力
漂浮的
焊盘
金属化成分
铝 - 铜（0.5％）
焊盘
厚度
1380纳米
12
11
10
9
8
7
76.8
m
m
6
1
0.0
2
3
4
5
0.0
75.8
m
m
表1.债券垫坐标以微米
详细描述
V
IN-
V
OCM
V
S+
V
S+
V
S+
V
OUT +
V
OUT-
V
S-
V
S-
V
S-
PD
V
IN +
盘数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
X敏
80.7
310.6
405.6
500.6
595.6
679.6
679.6
595.6
500.6
405.6
310.6
80.7
敏
3.7
3.7
3.7
3.7
3.7
137.55
434.7
568.6
568.6
568.6
568.6
568.6
X最大
165.7
395.6
490.6
585.6
680.6
764.6
764.6
680.6
585.6
490.6
395.6
165.7
Y轴最大值
88.7
88.7
88.7
88.7
88.7
222.55
519.7
653.6
653.6
653.6
653.6
653.6
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THS4521-HT
½
809
m
m
½
½
922
m
m
½
|
|
3
THS4521-HT
SBOS548D - 2011年4月 - 修订2012年5月
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订购信息
(1)
T
A
-55°C to175 ℃，
-55°C至210℃
包
(2)
D
KGD （裸片）
HKJ
HKQ
(1)
(2)
订购型号
THS4521HD
THS4521SKGD1
THS4521SHKJ
THS4521SHKQ
顶部端标记
THS4521
NA
THS4521SHKJ
THS4521SHKQ
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明） 。
单位
电源电压，V
S–
到V
S+
输入/输出电压，V
I
(V
IN-
, V
OUT-
, V
OCM
销）
差分输入电压，V
ID
输出电流，I
O
输入电流I
I
(V
IN-
, V
OCM
销）
连续功率耗散
最高结温，T
J
（连续操作，长期可靠性）
工作的自由空气的温度范围内，T
A
存储温度范围，T
英镑
人体模型（ HBM ）
ESD
评分：
充电设备模型（ CDM）
机器模型（ MM ）
包
KGD ， HKJ ， HKQ包
(2)
3.6
(V
S–
） - 0.7对（Ⅴ
S+
) + 0.7V
1
100
10
V
V
V
mA
mA
见热特性规格
217
-40至175
-55 210
-65 210
1300
1000
50
°C
°C
°C
V
V
V
(1)
(2)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
该设备在这些或超出标明的任何其他条件，只有和功能操作不暗示。置身于absolute-
长时间最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
请参阅
图1
对预期寿命的时间。
热特性对于三角形包装
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
θ
jc的（1）
θ
JA
(1)
结到外壳热阻
结至环境热阻
作为每JESD51 。
民
典型值
最大
72.5
118.5
单位
° C / W
° C / W
热特性FOR HKJ或HKQ包装
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
θ
JC
结到外壳热阻
以案件的陶瓷面
到壳体的盖的顶部（金属壳的侧面）
民
典型值
最大
5.7
13.7
单位
° C / W
4
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电气特性： V
S+
– V
S–
= 3.3 V
在V
S+
= 3.3 V, V
S–
= 0 V, V
OCM
=打开，V
OUT
= 2 V
PP
（差）中，R
L
= 1 kΩ的差异，G = 1 V / V ，单端输入，
差分输出，输入和输出参考中间电源电压，除非另有说明。
-55 ° C至125°C
参数
AC性能
小信号带宽
V
OUT
= 100 mV的
PP
,
G=1
V
OUT
= 100 mV的
PP
,
G=2
V
OUT
= 100 mV的
PP
,
G=5
V
OUT
= 100 mV的
PP
,
G = 10
增益带宽
产品
大信号带宽
带宽为0.1分贝
平整度
上升的转换率
（差分）
下降的压摆率
（差分）
冲
冲
上升时间
下降时间
建立时间为1 ％
谐波失真
F = 1千赫
V
OUT
= 1 V
RMS
,
G = 1
(2)
,
差分输入
F = 1MHz时，
V
OUT
= 2 V
PP
, G = 1
F = 1千赫
V
OUT
= 1 V
RMS
,
G = 1
(2)
,
差分输入
F = 1MHz时，
V
OUT
= 2 V
PP
, G = 1
二阶
互
失真
三阶
互
失真
输入电压噪声
输入电流噪声
过载恢复
时间
输出平衡误差
闭环输出
阻抗
双音，女
1
= 2 kHz时，
f
2
= 500赫兹，
V
OUT
= 1 V
RMS
信封
双音，女
1
= 2 kHz时，
f
2
= 500赫兹，
V
OUT
= 1 V
RMS
信封
F > 10千赫
F > 100千赫
过载= ± 0.5 V
V
OUT
= 100 mV时，
f
≤
2兆赫（差动输入）
F = 1兆赫（差分）
V
OUT
= 100 mV的
PP
,
G = 10
V
OUT
= 2 V
PP
, G = 1
V
OUT
= 2 V
PP
, G = 1
V
OUT
= 2 -V步骤，
G = 1，R
L
= 200
V
OUT
= 2 -V步骤，
G = 1，R
L
= 200
V
OUT
= 2 -V步骤，
G = 1，R
L
= 200
V
OUT
= 2 -V步骤，
G = 1，R
L
= 200
V
OUT
= 2 -V步骤，
G = 1，R
L
= 200
V
OUT
= 2 -V步骤，
G = 1，R
L
= 200
V
OUT
= 2 -V步骤，
G = 1，R
L
= 200
104.3
42
12.2
8.1
81
84
18.1
377.5
422.5
6.75
7.85
13.5
11.4
18.5
40.7
12.5
3.15
2.2
22
22
5.4
353.5
392.5
8.85
11.45
15.9
14.6
23.5
40.7
12.5
3.15
2.2
22
22
5.4
353.5
392.5
8.85
11.45
15.9
14.6
23.5
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
V / μs的
%
%
ns
ns
ns
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
条件
民
典型值
最大
民
175°C
典型值
最大
-55 ° C至210℃
民
典型值
最大
单位
TEST
水平
(1)
–115
–96
–96
dBc的
C
二阶谐波
–77
–68.5
–68.5
dBc的
C
–116
–91.5
–91.5
dBc的
C
第三谐波
–80.5
–68.5
–68.5
dBc的
C
–91.5
–79.5
–79.5
dBc的
C
–95.5
9.05
1.8
116.5
–51.5
0.3
–79.5
19.95
2.45
126
–45.5
–79.5
19.95
2.45
126
–45.5
dBc的
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
ns
dB
C
C
C
C
C
C
(1)
(2)
测试电平：
(A)
100 ％测试。
(B)
限制由特性和仿真设置。
(C)
仅供参考的典型值。
不直接可测量的;使用101噪声增益计算。
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