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DGN8
DGK8
D8
www.ti.com
THS4502
THS4503
SLOS352D - 2002年4月 - 修订2004年1月
宽带宽,低失真全差动放大器
特点
D
D
D
D
D
D
D
全差分结构
带宽: 370 MHz的
压摆率: 2800 V / μs的
IMD
3
: -95 dBc的30兆赫
OIP
3
51 dBm的30兆赫
输出共模控制
宽电源电压范围: 5 V ,
±5
V,
12 V, 15 V
应用
D
高线性度模拟数字转换器
D
D
D
差分线路驱动器
D
差分信号的有源滤波
V
IN-
V
OCM
V
S+
V
OUT +
1
2
3
4
8
7
6
5
前置放大器
无线通信接收器链
单端至差分转换
V
IN +
PD
V
S
V
OUT-
D
中心的输入共模范围
D
省电功能( THS4502 )
D
评估模块可用
描述
该THS4502和THS4503是高性能全
德州仪器(TI)的差分放大器。该
THS4502 ,具有关断功能,以及
THS4503 ,无需关断功能,设置新的
对于全差分放大器的性能标准
与无与伦比的线性度,支持14位运算
通过40兆赫。封装选项包括8引脚
SOIC和8引脚MSOP与PowerPAD了
更小的体积,增强AC性能,并且
提高散热能力。
应用电路图
10 pF的
392
5V
50
V
S
374
+
56.2
1
F
V
OCM
+
0.1
F
10
F
5V
24.9
在ADC
14位/ 80 MSPS
在V
REF
相关器件
DEVICE(1)
THS4500/1
THS4502/3
THS4120/1
THS4130/1
THS4140/1
THS4150/1
(1)
描述
370兆赫, 2800 V / μs的,V
ICR
包括V
S
370兆赫, 2800 V / μs的,居中V
ICR
3.3 V , 100兆赫, 43 V / μs的, 3.7 nV√Hz
±15
V, 150兆赫, 51 V / μs的, 1.3 nV√Hz
±15
V, 160兆赫, 450 V / μs的, 6.5 nV√Hz
±15
V, 150兆赫, 650 V / μs的, 7.6 nV√Hz
偶数器件具有关断功能
IMD 3 - 三阶互调失真 - dBc的
三阶互调
失真
62
50
V
S
374
2.5 V
56.2
402
392
5V
V
OCM
10
68
74
80
+
V
OUT
800
+
5 V
392
12
14
16
THS4502
24.9
0.1
F
10
F
392
10 pF的
402
5 V
86
92
98
0
20
40
60
80
100
的F - 频率 - 兆赫
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
除非另有说明本文件包含生产数据
信息为出版日期。产品符合每规格
德州仪器标准保修条款。生产加工不
不一定包括所有参数进行测试。
版权
2002-2004年,德州仪器
THS4502
THS4503
SLOS352D - 2002年4月 - 修订2004年1月
www.ti.com
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内,除非另有说明
(1)
单位
电源电压,V
S
输入电压V
I
输出电流,I
O (2)
差分输入电压,V
ID
连续功率耗散
最高结温,T
J (3)
最高结温,连续
操作,长期可靠性牛逼
J (4)
工作自由空气
温度范围,T
A
后缀
我的后缀
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯州
仪器建议所有集成电路
用适当的预防措施处理。如果不遵守
正确的处理和安装程序,可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完整的设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到损害,因为很小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布的规格。
16.5 V
±
V
S
150毫安
4V
见耗散额定值表
包装耗散额定值
θ
JC
( ° C / W)
38.3
4.7
54.2
θ
JA
(1)
( ° C / W)
97.5
58.4
260
额定功率
(2)
T
A
25°C
1.02 W
1.71 W
385毫瓦
T
A
= 85°C
410毫瓦
685毫瓦
154毫瓦
150°C
125°C
D( 8针)
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-65_C到150_C
300°C
4000 V
1000 V
100 V
(1)
(2)
DGN ( 8针)
DGK ( 8针)
存储温度范围,T
英镑
焊接温度
从案例10 1.6毫米( 1/16英寸)
HBM
ESD额定值:
(1)
清洁发展机制
MM
采用JEDEC标准的High-K PCB测试得到该数据。
额定功率为125 ° C的结温是确定的。
这就是失真开始大幅增加点。
最终PCB的热管理应努力保持
在或低于125 ° C的结温为最佳性能和
长期可靠性。
推荐工作条件
双电源
电源电压
工作自由
空气温度,
TA
单电源
后缀
我的后缀
4.5
0
40
±5
5
最大
±7.5
15
70
85
°C
°
单位
V
强调以上这些额定值可能会造成永久性的损害。
长期在绝对最大条件下工作
可能会降低设备的可靠性。这些压力额定值只,和
该器件在这些或任何其他条件的功能操作
超出这些规定的,是不是暗示。
(2)
该THS450x可以结合使用PowerPad上的下侧
该芯片。这作为一个散热器和必须连接到一个
热耗散飞机进行适当的功率耗散。失败
这样做可能会导致超过最大结
温度可能永久损坏设备。请参见TI
技术简介SLMA002关于利用的详细信息
PowerPAD热增强型封装。
(3)
在任何条件下的绝对最高温度为
受限于硅工艺的约束。
(4)
最高结温为连续操作
受包装限制。操作高于此温度
可能会导致可靠性降低和/或设备的寿命。
封装/订购信息
订购及包装和数量
温度
塑料
小尺寸
(D)
THS4502CD
THS4503CD
THS4502ID
THS4503ID
塑料MSOP
(1)
使用PowerPad
( DGN )
THS4502CDGN
THS4503CDGN
THS4502IDGN
THS4503IDGN
符号
BCG
BCK
BCI
BCL
塑料MSOP
(1)
( DGK )
THS4502CDGK
THS4503CDGK
THS4502IDGK
THS4503IDGK
符号
ATX
ATY
ASX
ASY
0 ° C至70℃
°
°
-40 ° C至85°C
°
°
(1)
所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准数量是2500的T后缀的标准数量是250 (例如, THS4502DT ) 。
2
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THS4502
THS4503
SLOS352D - 2002年4月 - 修订2004年1月
引脚分配
THS4502
( TOP VIEW )
V
IN-
V
OCM
V
S+
V
OUT +
1
8
D, DGN , DGK
THS4503
( TOP VIEW )
V
IN-
V
OCM
V
S+
V
OUT +
1
8
D, DGN , DGK
V
IN +
PD
V
S
V
OUT-
V
IN +
NC
V
S
V
OUT-
2
7
2
7
3
6
3
6
4
5
4
5
电气特性V
S
=
±5
V
RF = RG = 499
,
RL = 800
,
G = 1 ,单端输入,除非另有说明。
THS4502与THS4503
参数
测试条件
典型值
25°C
AC性能
G = 1 ,P
IN
= -20 dBm的,R
f
= 392
小信号带宽
G = 2 ,P
IN
= -30 dBm的,R
f
= 1 k
G = 5 ,P
IN
= -30 dBm的,R
f
= 1.3 k
G = 10 ,P
IN
= -30 dBm的,R
f
= 1.3 k
增益带宽积
带宽0.1分贝平整度
大信号带宽
压摆率
上升时间
下降时间
建立时间0.01%
0.1%
谐波失真
2
nd
谐波
3
rd
谐波
三阶互调
失真
三阶输出截取点
输入电压噪声
输入电流噪声
过驱动恢复时间
直流性能
开环电压增益
输入失调电压
平均失调电压漂移
输入偏置电流
平均偏置电流漂移
输入失调电流
0.5
1
4
4.6
55
1
52
4 / +2
50
5 / +3
±10
5
±10
2
50
6 / +4
±10
5.2
±10
2
dB
mV
μV/°C
A
NA / ℃,
A
最大
典型值
最大
典型值
最大
3
摹> +10
P
IN
= -20 dBm的
V
P
= 2 V
4 V
PP
2 V
PP
2 V
PP
V
O
= 4 V
PP
V
O
= 4 V
PP
G = 1 ,V
O
= 2 V
PP
F = 8 MHz的
F = 30 MHz的
F = 8 MHz的
F = 30 MHz的
V
O
= 2V
PP
, f
c
= 30 MHz时,
R
f
= 392
,
200 kHz音调间距
f
c
= 30兆赫,R
f
= 392
,
参考50
F > 1兆赫
F > 100千赫
过载= 5.5 V
83
74
97
78
94
52
6.8
1.7
75
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
DBM
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
ns
370
175
70
30
300
150
220
2800
0.8
0.6
8.3
6.3
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
ns
ns
ns
ns
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
25°C
过温
0℃至
70°C
-40 ° C至
85°C
单位
MIN /
典型值/
最大
THS4502
THS4503
SLOS352D - 2002年4月 - 修订2004年1月
www.ti.com
电气特性V
S
=
±5
V(续)
RF = RG = 499
,
RL = 800
,
G = 1 ,单端输入,除非另有说明。
THS4502与THS4503
参数
测试条件
典型值
25°C
平均失调电流漂移
输入
共模输入范围
共模抑制比
输入阻抗
产量
差分输出电压摆幅
差分输出电流驱动
输出平衡误差
闭环输出阻抗
(单端)
输出共模电压控制
小信号带宽
压摆率
最小增益
最大增益
共模失调电压
输入偏置电流
输入电压范围
输入阻抗
默认情况下的最大电压
最低默认电压
电源
额定工作电压
最大静态电流
最低静态电流
电源抑制比( PSRR ± )
POWER DOWN ( THS4502 ONLY)
开启电压阈值
禁用电压阈值
掉电静态电流
输入偏置电流
输入阻抗
Turnon时间延迟
关断延时
设备启用
ON
以上-2.9 V
设备停用
关闭
低于-4.3 V
800
200
50 || 1
1000
800
2.9
4.3
1000
240
1200
260
1200
260
V
V
A
A
kΩ的|| pF的
ns
ns
最大
最大
最大
典型值
典型值
典型值
±5
23
23
80
±8.25
28
18
76
±8.25
32
14
73
±8.25
34
12
70
V
mA
mA
dB
最大
最大
V
OCM
左浮动
V
OCM
左浮动
V
OCM
= 2.5 V
R
L
= 400
2 V
PP
180
87
1
1
+2
100
±4
25 || 1
0
0
0.05
0.05
0.10
0.10
0.10
0.10
0.98
1.02
1.6/+6.8
150
±3.7
0.98
1.02
3.6/+8.8
170
±3.4
0.98
1.02
4.6/+9.8
170
±3.4
兆赫
V / μs的
V/V
V/V
mV
A
V
kΩ的|| pF的
V
V
典型值
典型值
最大
最大
最大
典型值
最大
R
L
= 1 k
R
L
= 20
P
IN
= -20 dBm时, F = 100千赫
F = 1 MHz的
±8
120
58
0.1
±7.6
110
±7.4
100
±7.4
100
V
mA
dB
典型值
典型值
±4.0
80
10
7
|| 1
±3.7
74
±3.4
70
±3.4
70
V
dB
|| pF的
典型值
25°C
过温
0℃至
70°C
±40
-40 ° C至
85°C
±40
单位
NA / ℃,
MIN /
典型值/
最大
典型值
4
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THS4502
THS4503
SLOS352D - 2002年4月 - 修订2004年1月
电气特性V
S
= 5 V
RF = RG = 499
,
RL = 800
,
G = 1 ,单端输入,除非另有说明。
THS4502与THS4503
参数
测试条件
典型值
25°C
AC性能
G = 1 ,P
IN
= -20 dBm的,R
f
= 392
小信号带宽
G = 2 ,P
IN
= -30 dBm的,R
f
= 1 k
G = 5 ,P
IN
= -30 dBm的,R
f
= 1.3 k
G = 10 ,P
IN
= -30 dBm的,R
f
= 1.3 k
增益带宽积
带宽为0.1 dB平坦度
大信号带宽
压摆率
上升时间
下降时间
建立时间0.01%
0.1%
谐波失真
2
nd
谐波
3
rd
谐波
输入电压噪声
输入电流噪声
过驱动恢复时间
直流性能
开环电压增益
输入失调电压
平均失调电压漂移
输入偏置电流
平均偏置电流漂移
输入失调电流
平均失调电流漂移
输入
共模输入范围
共模抑制比
输入阻抗
产量
差分输出电压摆幅
输出电流驱动
输出平衡误差
闭环输出阻抗
(单端)
R
L
= 1千欧,引用到2.5伏
R
L
= 20
P
IN
= -20 dBm时, F = 100千赫
F = 1 MHz的
±3.3
100
58
0.1
±2.8
90
±2.6
80
±2.6
80
V
mA
dB
典型值
典型值
1/4
80
10
7
|| 1
1.3 / 3.7
74
1.6 / 3.4
70
1.6 / 3.4
70
V
dB
|| pF的
典型值
0.5
0.7
4
4.6
54
0.6
51
3.6/+2.4
49
±10
5
±10
1.2
±20
49
±10
5.2
±10
1.2
±20
dB
mV
μV/°C
A
NA / ℃,
A
NA / ℃,
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
4.6/+3.4 5.6/+4.4
摹> +10
P
IN
= -20 dBm的
V
P
= 1 V
2 V
PP
2 V
PP
2 V
PP
V
O
= 2 V步骤
V
O
= 2 V步骤
V
O
= 2 V
PP
F = 8 MHz时,
F = 30 MHz的
F = 8 MHz的
F = 30 MHz的
F > 1兆赫
F > 100千赫
过载= 5.5 V
81
60
74
62
6.8
1.6
75
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
ns
320
160
60
30
300
180
200
1300
0.6
0.8
13.1
8.3
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
ns
ns
ns
ns
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
25°C
过温
0℃至
70°C
-40 ° C至
85°C
单位
MIN /
典型值/
最大
5
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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    THS4502IDT
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    THS4502IDT
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:800888908 复制
    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    THS4502IDT
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13530983348
联系人:朱小姐
地址:深圳市华强北赛格广场4709B
THS4502IDT
TI
21+
32600
原封装
百分百公司原装现货,假一赔十!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
THS4502IDT
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