www.ti.com
D8
DBV5
DGQ10
DGN8
DGK8
THS4221 ， THS4225
THS4222 ， THS4226
SLOS399G - 2002年8月 - 修订2004年1月
低失真，高速，轨到轨输出
运算放大器
特点
D
轨到轨输出摆幅
V
O
= 4.8/4.8 (R
L
= 2 k)
应用
D
低电压模拟数字转换器
D
D
前置放大器
有源滤波
视频应用
THS4222
D， DGN ，或DGK包装
（ TOP VIEW ）
D
高速
- 230 MHz带宽（ -3 dB时， G = 1 ）
- 975 V / μs压摆率
D
超低失真
- HD2 = -90 dBc的（ F = 5兆赫，R
L
= 499)
- HD3 = -100 dBc的（ F = 5兆赫，R
L
= 499)
D
高输出驱动，我
O
= 100 mA（一般）
D
出色的视频性能
- 40 MHz带宽（0.1分贝， G = 2 ）
- 0.007 ％微分增益
- 0.007 °差分相位
1OUT
1IN
1IN+
V
S
1
2
3
4
8
7
6
5
V
S+
2OUT
2IN
2IN+
相关器件
设备
THS4211
THS4271
OPA354
OPA690
描述
1千兆赫， 800 V / μs的，VN = 7纳伏/ √Hz的
1.4千兆赫， 900 V / μs的，VN = 3内华达州/ √Hz的
250兆赫， 150 V / μs的，VN = 6.5纳伏/ √Hz的
500兆赫， 1800 V / μs的，VN = 5.5纳伏/ √Hz的
D
电源范围宽
V
S
= 3 V至15 V
D
掉电模式（ THS4225 / 6 ）
D
评估模块可用
描述
该THS4222系列是一组轨到轨输出单，双低电压，高输出摆幅，低失真高速
放大器非常适合驱动数据转换器，视频切换，低失真applications.This家族的电压反馈
放大器可以从一个单一的15 V电源供电降低到一个单一的3 - V电源供电，功耗只有14毫安
每信道的静态电流。此外，该系列提供了230 MHz的带宽， 975 V / μs的卓越的AC性能
压摆率和谐波失真（THD ），在-90 dBc的在5 MHz 。
差分驱动电路
1.3 k
5V
1600
SR - 压摆率 - V /
s
650
IN +
V
OUT-
2.5 V
+
0.1
F
10
F
1400
1200
上升
1000
800
600
400
2.5 V
+
V
OUT +
200
0
0
1 2 3 4
5 6
7 8
9 10
V
O
- 差分输出电压步 - V
压摆率
vs
差分输出电压阶跃
1800
秋天
1.3 k
650
IN-
1 k
THS4222
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2002年至2004年，德州仪器
THS4221 ， THS4225
THS4222 ， THS4226
SLOS399G - 2002年8月 - 修订2004年1月
www.ti.com
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
单位
电源电压，V
S
输入电压V
I
输出电流，I
O
差分输入电压，V
ID
连续功率耗散
最高结温，T
J
最高结温，连续
操作，长期可靠性牛逼
J (2)
存储温度范围，T
英镑
焊接温度
从壳体10秒1.6毫米（1/16英寸）的
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯州
仪器建议所有集成电路
用适当的预防措施处理。如果不遵守
正确的处理和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完整的设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到损害，因为很小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布的规格。
16.5 V
±
V
S
百毫安
4V
见耗散额定值表
150°C
125°C
-65_C到150_C
300°C
2500 V
3000 V
1500 V
包装耗散额定值
包
DBV （5）
D (8)
DGN （ 8 ）
(3)
DGK （ 8 ）
DGQ （ 10 ）
(3)
(1)
(2)
Θ
JC
（ ° C / W）
55
38.3
4.7
54.2
4.7
Θ
JA
(1)
（ ° C / W）
255.4
97.5
58.4
260
58
额定功率
(2)
T
A
≤
25°C
391毫瓦
1.02 W
1.71 W
385毫瓦
1.72 W
T
A
= 85°C
156毫瓦
410毫瓦
685毫瓦
154毫瓦
690毫瓦
THS4221/5
HBM
ESD额定值：
THS4222/6
THS4221/5
清洁发展机制
MM
THS4222/6
采用JEDEC标准的High-K PCB测试得到该数据。
额定功率为125 ° C的结温是确定的。
这就是失真开始大幅增加点。
最终PCB的热管理应努力保持
在或低于125 ° C的结温为最佳性能和
长期可靠性。
该THS422x可以结合使用PowerPad上的下侧
该芯片。这作为一个散热器和必须连接到一个
热耗散飞机进行适当的功率耗散。失败
这样做可能会导致超过最大结
温度可能永久损坏设备。请参见TI
技术简介SLMA002和SLMA004了解更多信息
关于利用PowerPAD热增强型封装。
150 V
200 V
(1)
在任何情况下绝对最大额定值是有限的
硅工艺的约束。强调以上这些
收视率可能会造成永久性的损害。暴露在绝对
最大的条件下长时间可能会降低设备
可靠性。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出任何其他条件的
规定是不是暗示。
(2)
最高结温为连续操作
受包装限制。操作高于此温度
可能会导致可靠性降低和/或设备的寿命。
(3)
推荐工作条件
民
电源电压（V
S+
和V
S)
输入共模电压范围
双电源
单电源
±1.35
2.7
V
S
+ 1.1
最大
±7.5
15
V
S+
1.1
单位
V
V
THS4221与THS4225单个封装/订购信息
包装设备
塑料小外形
(D)
THS4221D
THS4225D
(1)
(2)
SOT-23
(1)
（ DBV）
THS4221DBV
—
符号
BFS
—
塑料MSOP
(2)
PowerPADE
（ DGN ）
THS4221DGN
THS4225DGN
符号
BFT
BFU
塑料MSOP
(2)
（ DGK ）
THS4221DGK
THS4225DGK
符号
BHX
BFY
所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准数量是3000的T后缀的标准数量是250 （例如， THS4221DBVT ） 。
所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准量为2500 （例如， THS4221DGNR ） 。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
2
www.ti.com
THS4221 ， THS4225
THS4222 ， THS4226
SLOS399G - 2002年8月 - 修订2004年1月
THS4222与THS4226双封装/订购信息
包装设备
塑料小外形
(D)
(1)
THS4222D
—
(1)
塑料MSOP PowerPADE
(1)
（ DGN ）
THS4222DGN
—
符号
BFO
—
（ DGQ ）
—
THS4226DGQ
符号
—
BFP
塑料MSOPE
(1)
（ DGK ）
THS4222DGK
—
符号
BHW
—
所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准量为2500 （例如， THS4222DGNR ） 。
电气特性
V
S
=
±5
V ，R
L
= 499
,
和G = 1 ，除非另有说明
典型值
参数
AC性能
G = 1，P
IN
= -7 dBm的
小信号带宽
G = 2，P
IN
= -13 dBm的，R
f
= 1.3 k
G = 5，P
IN
= -21dBm时，R
f
= 2 k
G = 10，P
IN
= -27 dBm的，R
f
= 2 k
0.1分贝平坦带宽
增益带宽积
全功率带宽
压摆率
建立时间至0.1％
建立时间0.01％
谐波失真
二次谐波失真
第三谐波失真
微分增益（ NTSC ， PAL ）
微分相位（NTSC，PAL ）
输入电压噪声
输入电流噪声
串扰（双只）
直流性能
开环电压增益（A
OL
)
输入失调电压
平均失调电压漂移
输入偏置电流
平均失调电压漂移
输入失调电流
平均失调电流漂移
输入特性
共模输入范围
共模抑制比
输入阻抗
输入电容
共模/差
V
CM
=
±2
V
4 / 4
94
33
1 / 0.5
3.9 / 3.9
74
69
69
V
dB
M
pF
民
民
典型值
最大
V
O
=
±2
V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
100
500
0.9
3
100
3
80
10
75
16
±20
5
±10
700
±10
75
16
±20
5
±10
700
±10
dB
mV
μV/°C
A
μV/°C
nA
NA / ℃，
民
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
G = 2，P
IN
= -13 dBm的，R
f
= 1.3 k
> 10 ， F = 1兆赫，R
f
= 2 k
G = 1，V
O
=
±2.5
V
G = -1 ，V
O
=
±2.5
VPP
G = 1，V
O
=
±2.5
VPP
G = -1 ，V
O
=
±2
VPP
G = -1 ，V
O
=
±2
VPP
G = 1，V
O
= 2 VPP ， F = 5兆赫
R
L
= 499
R
L
= 150
R
L
= 499
R
L
= 150
G = 2，R = 150
G = 2，R = 150
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 5MHz的通道到通道
90
92
100
96
0.007
0.007
13
0.8
90
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
%
°
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
dB
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
230
100
25
12
40
120
65
990
975
25
52
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
V / μs的
ns
ns
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
民
民
典型值
典型值
测试条件
25°C
25°C
过温
0℃至
70°C
-40 ° C至
85°C
单位
MIN /
最大
3
THS4221 ， THS4225
THS4222 ， THS4226
SLOS399G - 2002年8月 - 修订2004年1月
www.ti.com
电气特性
V
S
=
±5
V ，R
L
= 499
,
和G = 1 ，除非另有说明
典型值
参数
输出特性
输出电压摆幅
输出电流（采购）
输出电流（沉没）
输出阻抗
电源
额定工作电压
最大静态电流
电源抑制比（ PSRR ± ）
省电特性
最大掉电电流
PD
≤
REF +1.0 V， VREF = 0 V ，
每通道
REF = 0 V ，或VS-
掉电电压等级
(1)
REF = VS +或浮动
Turnon时间延迟
关断延时
输入阻抗
隔离
(1)
过温
25°C
0℃至
70°C
4.4 /
4.4
88
88
-40 ° C至
85°C
单位
MIN /
最大
测试条件
25°C
R
L
= 499
R
L
= 2 k
R
L
= 10
R
L
= 10
F = 1 MHz的
4.7 / 4.7
4.8 / 4.8
100
100
0.02
±5
4.5 / 4.5
4.4 / 4.4
V
V
民
民
民
民
典型值
最大
最大
民
92
92
88
88
mA
mA
±7.5
18
62
±7.5
20
60
±7.5
22
60
V
mA
dB
每通道
14
75
700
900
REF+1.8
REF+1
REF1
REF1.5
1000
1000
A
V
V
V
V
ns
ns
dB
最大
民
最大
民
最大
典型值
典型值
典型值
典型值
启用
掉电
启用
掉电
200
500
58
80
终值50 ％
终值50 ％
F = 5兆赫
为了使电源降压电路的详细信息，请参见本数据手册的应用信息的断电部分。
4
www.ti.com
THS4221 ， THS4225
THS4222 ， THS4226
SLOS399G - 2002年8月 - 修订2004年1月
电气特性
V
S
= 5 V ，R
L
= 499
,
和G = 1 ，除非另有说明
典型值
参数
AC性能
G = 1，P
IN
= -7 dBm的
小信号带宽
G = 2，P
IN
= -13 dBm的，R
f
= 1.3 k
G = 5，P
IN
= -21dBm时，R
f
= 2 k
G = 10，P
IN
= -27 dBm的，R
f
= 2 k
0.1分贝平坦带宽
增益带宽积
全功率带宽
压摆率
建立时间至0.1％
建立时间0.01％
谐波失真
二次谐波失真
第三谐波失真
微分增益（ NTSC ， PAL ）
微分相位（NTSC，PAL ）
输入电压噪声
输入电流噪声
串扰（双只）
直流性能
开环电压增益（A
OL
)
输入失调电压
平均失调电压漂移
输入偏置电流
平均失调电压漂移
输入失调电流
平均失调电流漂移
输入特性
共模输入范围
共模抑制比
输入阻抗
输入电容
输出特性
输出电压摆幅
输出电流（采购）
输出电流（沉没）
输出阻抗
R
L
= 499
R
L
= 2 k
R
L
= 10
R
L
= 10
F = 1 MHz的
0.2 / 4.8
0.1 / 4.9
95
95
0.02
85
85
80
80
80
80
0.3 / 4.7
0.4 / 4.6
0.4 / 4.6
V
V
mA
mA
民
民
民
民
典型值
共模/差
V
CM
= 1.5 V至3.5 V
1/4
96
33
1 / 0.5
1.1 / 3.9
74
69
69
V
dB
M
pF
民
民
典型值
最大
V
O
= 1.5 V至3.5 V
V
CM
= 2.5 V
V
CM
= 2.5 V
V
CM
= 2.5 V
V
CM
= 2.5 V
V
CM
= 2.5 V
V
CM
= 2.5 V
100
500
0.9
3
100
3
80
10
75
16
±20
5
±10
700
±10
75
16
±20
5
±10
700
±10
dB
mV
μV/°C
A
μV/°C
nA
NA / ℃，
民
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
G = 2，P
IN
= -13 dBm的，R
f
= 1.3 k
> 10 ， F = 1兆赫，R
f
= 2 k
G = 1，V
O
=
±2
V
G = -1 ，V
O
=
±2
VPP
G = 1，V
O
=
±2
VPP
G = -1 ，V
O
=
±1
VPP
G = -1 ，V
O
=
±1
VPP
G = 1，V
O
= 2 VPP ， F = 5兆赫
R
L
= 499
R
L
= 150
R
L
= 499
R
L
= 150
G = 2，R = 150
G = 2，R = 150
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 5MHz的通道到通道
90
93
89
91
0.014
0.011
13
0.8
90
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
%
°
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
dB
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
200
100
25
12
50
120
40
500
550
27
48
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
V / μs的
ns
ns
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
民
民
典型值
典型值
测试条件
25°C
25°C
过温
0℃至
70°C
-40 ° C至
85°C
单位
MIN /
最大
5
www.ti.com
D8
DBV5
DGQ10
DGN8
DGK8
THS4221 ， THS4225
THS4222 ， THS4226
SLOS399G - 2002年8月 - 修订2004年1月
低失真，高速，轨到轨输出
运算放大器
特点
D
轨到轨输出摆幅
V
O
= 4.8/4.8 (R
L
= 2 k)
应用
D
低电压模拟数字转换器
D
D
前置放大器
有源滤波
视频应用
THS4222
D， DGN ，或DGK包装
（ TOP VIEW ）
D
高速
- 230 MHz带宽（ -3 dB时， G = 1 ）
- 975 V / μs压摆率
D
超低失真
- HD2 = -90 dBc的（ F = 5兆赫，R
L
= 499)
- HD3 = -100 dBc的（ F = 5兆赫，R
L
= 499)
D
高输出驱动，我
O
= 100 mA（一般）
D
出色的视频性能
- 40 MHz带宽（0.1分贝， G = 2 ）
- 0.007 ％微分增益
- 0.007 °差分相位
1OUT
1IN
1IN+
V
S
1
2
3
4
8
7
6
5
V
S+
2OUT
2IN
2IN+
相关器件
设备
THS4211
THS4271
OPA354
OPA690
描述
1千兆赫， 800 V / μs的，VN = 7纳伏/ √Hz的
1.4千兆赫， 900 V / μs的，VN = 3内华达州/ √Hz的
250兆赫， 150 V / μs的，VN = 6.5纳伏/ √Hz的
500兆赫， 1800 V / μs的，VN = 5.5纳伏/ √Hz的
D
电源范围宽
V
S
= 3 V至15 V
D
掉电模式（ THS4225 / 6 ）
D
评估模块可用
描述
该THS4222系列是一组轨到轨输出单，双低电压，高输出摆幅，低失真高速
放大器非常适合驱动数据转换器，视频切换，低失真applications.This家族的电压反馈
放大器可以从一个单一的15 V电源供电降低到一个单一的3 - V电源供电，功耗只有14毫安
每信道的静态电流。此外，该系列提供了230 MHz的带宽， 975 V / μs的卓越的AC性能
压摆率和谐波失真（THD ），在-90 dBc的在5 MHz 。
差分驱动电路
1.3 k
5V
1600
SR - 压摆率 - V /
s
650
IN +
V
OUT-
2.5 V
+
0.1
F
10
F
1400
1200
上升
1000
800
600
400
2.5 V
+
V
OUT +
200
0
0
1 2 3 4
5 6
7 8
9 10
V
O
- 差分输出电压步 - V
压摆率
vs
差分输出电压阶跃
1800
秋天
1.3 k
650
IN-
1 k
THS4222
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2002年至2004年，德州仪器
THS4221 ， THS4225
THS4222 ， THS4226
SLOS399G - 2002年8月 - 修订2004年1月
www.ti.com
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
单位
电源电压，V
S
输入电压V
I
输出电流，I
O
差分输入电压，V
ID
连续功率耗散
最高结温，T
J
最高结温，连续
操作，长期可靠性牛逼
J (2)
存储温度范围，T
英镑
焊接温度
从壳体10秒1.6毫米（1/16英寸）的
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯州
仪器建议所有集成电路
用适当的预防措施处理。如果不遵守
正确的处理和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完整的设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到损害，因为很小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布的规格。
16.5 V
±
V
S
百毫安
4V
见耗散额定值表
150°C
125°C
-65_C到150_C
300°C
2500 V
3000 V
1500 V
包装耗散额定值
包
DBV （5）
D (8)
DGN （ 8 ）
(3)
DGK （ 8 ）
DGQ （ 10 ）
(3)
(1)
(2)
Θ
JC
（ ° C / W）
55
38.3
4.7
54.2
4.7
Θ
JA
(1)
（ ° C / W）
255.4
97.5
58.4
260
58
额定功率
(2)
T
A
≤
25°C
391毫瓦
1.02 W
1.71 W
385毫瓦
1.72 W
T
A
= 85°C
156毫瓦
410毫瓦
685毫瓦
154毫瓦
690毫瓦
THS4221/5
HBM
ESD额定值：
THS4222/6
THS4221/5
清洁发展机制
MM
THS4222/6
采用JEDEC标准的High-K PCB测试得到该数据。
额定功率为125 ° C的结温是确定的。
这就是失真开始大幅增加点。
最终PCB的热管理应努力保持
在或低于125 ° C的结温为最佳性能和
长期可靠性。
该THS422x可以结合使用PowerPad上的下侧
该芯片。这作为一个散热器和必须连接到一个
热耗散飞机进行适当的功率耗散。失败
这样做可能会导致超过最大结
温度可能永久损坏设备。请参见TI
技术简介SLMA002和SLMA004了解更多信息
关于利用PowerPAD热增强型封装。
150 V
200 V
(1)
在任何情况下绝对最大额定值是有限的
硅工艺的约束。强调以上这些
收视率可能会造成永久性的损害。暴露在绝对
最大的条件下长时间可能会降低设备
可靠性。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出任何其他条件的
规定是不是暗示。
(2)
最高结温为连续操作
受包装限制。操作高于此温度
可能会导致可靠性降低和/或设备的寿命。
(3)
推荐工作条件
民
电源电压（V
S+
和V
S)
输入共模电压范围
双电源
单电源
±1.35
2.7
V
S
+ 1.1
最大
±7.5
15
V
S+
1.1
单位
V
V
THS4221与THS4225单个封装/订购信息
包装设备
塑料小外形
(D)
THS4221D
THS4225D
(1)
(2)
SOT-23
(1)
（ DBV）
THS4221DBV
—
符号
BFS
—
塑料MSOP
(2)
PowerPADE
（ DGN ）
THS4221DGN
THS4225DGN
符号
BFT
BFU
塑料MSOP
(2)
（ DGK ）
THS4221DGK
THS4225DGK
符号
BHX
BFY
所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准数量是3000的T后缀的标准数量是250 （例如， THS4221DBVT ） 。
所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准量为2500 （例如， THS4221DGNR ） 。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
2
www.ti.com
THS4221 ， THS4225
THS4222 ， THS4226
SLOS399G - 2002年8月 - 修订2004年1月
THS4222与THS4226双封装/订购信息
包装设备
塑料小外形
(D)
(1)
THS4222D
—
(1)
塑料MSOP PowerPADE
(1)
（ DGN ）
THS4222DGN
—
符号
BFO
—
（ DGQ ）
—
THS4226DGQ
符号
—
BFP
塑料MSOPE
(1)
（ DGK ）
THS4222DGK
—
符号
BHW
—
所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准量为2500 （例如， THS4222DGNR ） 。
电气特性
V
S
=
±5
V ，R
L
= 499
,
和G = 1 ，除非另有说明
典型值
参数
AC性能
G = 1，P
IN
= -7 dBm的
小信号带宽
G = 2，P
IN
= -13 dBm的，R
f
= 1.3 k
G = 5，P
IN
= -21dBm时，R
f
= 2 k
G = 10，P
IN
= -27 dBm的，R
f
= 2 k
0.1分贝平坦带宽
增益带宽积
全功率带宽
压摆率
建立时间至0.1％
建立时间0.01％
谐波失真
二次谐波失真
第三谐波失真
微分增益（ NTSC ， PAL ）
微分相位（NTSC，PAL ）
输入电压噪声
输入电流噪声
串扰（双只）
直流性能
开环电压增益（A
OL
)
输入失调电压
平均失调电压漂移
输入偏置电流
平均失调电压漂移
输入失调电流
平均失调电流漂移
输入特性
共模输入范围
共模抑制比
输入阻抗
输入电容
共模/差
V
CM
=
±2
V
4 / 4
94
33
1 / 0.5
3.9 / 3.9
74
69
69
V
dB
M
pF
民
民
典型值
最大
V
O
=
±2
V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
100
500
0.9
3
100
3
80
10
75
16
±20
5
±10
700
±10
75
16
±20
5
±10
700
±10
dB
mV
μV/°C
A
μV/°C
nA
NA / ℃，
民
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
G = 2，P
IN
= -13 dBm的，R
f
= 1.3 k
> 10 ， F = 1兆赫，R
f
= 2 k
G = 1，V
O
=
±2.5
V
G = -1 ，V
O
=
±2.5
VPP
G = 1，V
O
=
±2.5
VPP
G = -1 ，V
O
=
±2
VPP
G = -1 ，V
O
=
±2
VPP
G = 1，V
O
= 2 VPP ， F = 5兆赫
R
L
= 499
R
L
= 150
R
L
= 499
R
L
= 150
G = 2，R = 150
G = 2，R = 150
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 5MHz的通道到通道
90
92
100
96
0.007
0.007
13
0.8
90
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
%
°
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
dB
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
230
100
25
12
40
120
65
990
975
25
52
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
V / μs的
ns
ns
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
民
民
典型值
典型值
测试条件
25°C
25°C
过温
0℃至
70°C
-40 ° C至
85°C
单位
MIN /
最大
3
THS4221 ， THS4225
THS4222 ， THS4226
SLOS399G - 2002年8月 - 修订2004年1月
www.ti.com
电气特性
V
S
=
±5
V ，R
L
= 499
,
和G = 1 ，除非另有说明
典型值
参数
输出特性
输出电压摆幅
输出电流（采购）
输出电流（沉没）
输出阻抗
电源
额定工作电压
最大静态电流
电源抑制比（ PSRR ± ）
省电特性
最大掉电电流
PD
≤
REF +1.0 V， VREF = 0 V ，
每通道
REF = 0 V ，或VS-
掉电电压等级
(1)
REF = VS +或浮动
Turnon时间延迟
关断延时
输入阻抗
隔离
(1)
过温
25°C
0℃至
70°C
4.4 /
4.4
88
88
-40 ° C至
85°C
单位
MIN /
最大
测试条件
25°C
R
L
= 499
R
L
= 2 k
R
L
= 10
R
L
= 10
F = 1 MHz的
4.7 / 4.7
4.8 / 4.8
100
100
0.02
±5
4.5 / 4.5
4.4 / 4.4
V
V
民
民
民
民
典型值
最大
最大
民
92
92
88
88
mA
mA
±7.5
18
62
±7.5
20
60
±7.5
22
60
V
mA
dB
每通道
14
75
700
900
REF+1.8
REF+1
REF1
REF1.5
1000
1000
A
V
V
V
V
ns
ns
dB
最大
民
最大
民
最大
典型值
典型值
典型值
典型值
启用
掉电
启用
掉电
200
500
58
80
终值50 ％
终值50 ％
F = 5兆赫
为了使电源降压电路的详细信息，请参见本数据手册的应用信息的断电部分。
4
www.ti.com
THS4221 ， THS4225
THS4222 ， THS4226
SLOS399G - 2002年8月 - 修订2004年1月
电气特性
V
S
= 5 V ，R
L
= 499
,
和G = 1 ，除非另有说明
典型值
参数
AC性能
G = 1，P
IN
= -7 dBm的
小信号带宽
G = 2，P
IN
= -13 dBm的，R
f
= 1.3 k
G = 5，P
IN
= -21dBm时，R
f
= 2 k
G = 10，P
IN
= -27 dBm的，R
f
= 2 k
0.1分贝平坦带宽
增益带宽积
全功率带宽
压摆率
建立时间至0.1％
建立时间0.01％
谐波失真
二次谐波失真
第三谐波失真
微分增益（ NTSC ， PAL ）
微分相位（NTSC，PAL ）
输入电压噪声
输入电流噪声
串扰（双只）
直流性能
开环电压增益（A
OL
)
输入失调电压
平均失调电压漂移
输入偏置电流
平均失调电压漂移
输入失调电流
平均失调电流漂移
输入特性
共模输入范围
共模抑制比
输入阻抗
输入电容
输出特性
输出电压摆幅
输出电流（采购）
输出电流（沉没）
输出阻抗
R
L
= 499
R
L
= 2 k
R
L
= 10
R
L
= 10
F = 1 MHz的
0.2 / 4.8
0.1 / 4.9
95
95
0.02
85
85
80
80
80
80
0.3 / 4.7
0.4 / 4.6
0.4 / 4.6
V
V
mA
mA
民
民
民
民
典型值
共模/差
V
CM
= 1.5 V至3.5 V
1/4
96
33
1 / 0.5
1.1 / 3.9
74
69
69
V
dB
M
pF
民
民
典型值
最大
V
O
= 1.5 V至3.5 V
V
CM
= 2.5 V
V
CM
= 2.5 V
V
CM
= 2.5 V
V
CM
= 2.5 V
V
CM
= 2.5 V
V
CM
= 2.5 V
100
500
0.9
3
100
3
80
10
75
16
±20
5
±10
700
±10
75
16
±20
5
±10
700
±10
dB
mV
μV/°C
A
μV/°C
nA
NA / ℃，
民
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
G = 2，P
IN
= -13 dBm的，R
f
= 1.3 k
> 10 ， F = 1兆赫，R
f
= 2 k
G = 1，V
O
=
±2
V
G = -1 ，V
O
=
±2
VPP
G = 1，V
O
=
±2
VPP
G = -1 ，V
O
=
±1
VPP
G = -1 ，V
O
=
±1
VPP
G = 1，V
O
= 2 VPP ， F = 5兆赫
R
L
= 499
R
L
= 150
R
L
= 499
R
L
= 150
G = 2，R = 150
G = 2，R = 150
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 5MHz的通道到通道
90
93
89
91
0.014
0.011
13
0.8
90
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
%
°
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
dB
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
200
100
25
12
50
120
40
500
550
27
48
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
V / μs的
ns
ns
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
民
民
典型值
典型值
测试条件
25°C
25°C
过温
0℃至
70°C
-40 ° C至
85°C
单位
MIN /
最大
5
www.ti.com
D8
DBV5
DGQ10
DGN8
DGK8
THS4221 ， THS4225
THS4222 ， THS4226
SLOS399G
2002年8月
修订后的2004年1月
低失真，高速，轨到轨输出
运算放大器
特点
D
轨到轨输出摆幅
D
高速
V
O
=
4.8/4.8
(R
L
= 2 k)
应用
D
低电压模拟数字转换器
D
D
前置放大器
有源滤波
视频应用
230 MHz带宽（ -3 dB时， G = 1 ）
975 V / μs压摆率
HD2 =
90
dBc的（ F = 5兆赫，R
L
= 499)
HD3 =
100
dBc的（ F = 5兆赫，R
L
= 499)
D
超低失真
THS4222
D， DGN ，或DGK包装
（ TOP VIEW ）
D
高输出驱动，我
O
= 100 mA（一般）
D
出色的视频性能
40 MHz带宽（0.1分贝， G = 2 ）
0.007 ％微分增益
0.007 °差分相位
V
S
= 3 V至15 V
1OUT
1IN
1IN+
V
S
1
2
3
4
8
7
6
5
V
S+
2OUT
2IN
2IN+
相关器件
设备
THS4211
THS4271
OPA354
OPA690
描述
1千兆赫， 800 V / μs的，VN = 7纳伏/ √Hz的
1.4千兆赫， 900 V / μs的，VN = 3内华达州/ √Hz的
250兆赫， 150 V / μs的，VN = 6.5纳伏/ √Hz的
500兆赫， 1800 V / μs的，VN = 5.5纳伏/ √Hz的
D
电源范围宽
D
掉电模式（ THS4225 / 6 ）
D
评估模块可用
描述
该THS4222系列是一组轨到轨输出单，双低电压，高输出摆幅，低失真高速
放大器非常适合驱动数据转换器，视频切换，低失真applications.This家族的电压反馈
放大器可以从一个单一的15 V电源供电降低到一个单一的3 - V电源供电，功耗只有14毫安
每信道的静态电流。此外，该系列提供了230 MHz的带宽， 975 V / μs的卓越的AC性能
压摆率和谐波失真（THD ），在-90 dBc的在5 MHz 。
差分驱动电路
1.3 k
5V
SR
压摆率
V/
s
650
IN +
2.5 V
+
1 k
0.1
F
10
F
V
OUT-
压摆率
vs
差分输出电压阶跃
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
上升
秋天
1.3 k
IN-
650
2.5 V
+
V
OUT +
200
0
0
1 2 3 4
5 6
7 8
9 10
V
O
差分输出电压阶跃
V
THS4222
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2002
2004年，德州仪器
THS4221 ， THS4225
THS4222 ， THS4226
SLOS399G
2002年8月
修订后的2004年1月
www.ti.com
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
单位
电源电压，V
S
输入电压V
I
输出电流，I
O
差分输入电压，V
ID
连续功率耗散
最高结温，T
J
最高结温，连续
操作，长期可靠性牛逼
J (2)
存储温度范围，T
英镑
焊接温度
从壳体10秒1.6毫米（1/16英寸）的
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯州
仪器建议所有集成电路
用适当的预防措施处理。如果不遵守
正确的处理和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完整的设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到损害，因为很小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布的规格。
16.5 V
±
V
S
百毫安
4V
见耗散额定值表
150°C
125°C
65°C
至150℃
300°C
2500 V
3000 V
1500 V
包装耗散额定值
包
DBV （5）
D (8)
DGN （ 8 ）
(3)
DGK （ 8 ）
DGQ （ 10 ）
(3)
(1)
(2)
Θ
JC
（ ° C / W）
55
38.3
4.7
54.2
4.7
( )
Θ
JA
(1)
（ ° C / W）
额定功率
(2)
T
A
≤
25°C
391毫瓦
1.02 W
1.71 W
385毫瓦
1.72 W
T
A
= 85°C
156毫瓦
410毫瓦
685毫瓦
154毫瓦
690毫瓦
255.4
97.5
58.4
260
58
HBM
ESD额定值：
THS4221/5
THS4222/6
THS4221/5
THS4222/6
清洁发展机制
MM
150 V
200 V
采用JEDEC标准的High-K PCB测试得到该数据。
额定功率为125 ° C的结温是确定的。
这就是失真开始大幅增加点。
最终PCB的热管理应努力保持
在或低于125 ° C的结温为最佳性能和
长期可靠性。
该THS422x可以结合使用PowerPad上的下侧
该芯片。这作为一个散热器和必须连接到一个
热耗散飞机进行适当的功率耗散。失败
这样做可能会导致超过最大结
温度可能永久损坏设备。请参见TI
技术简介SLMA002和SLMA004了解更多信息
关于利用PowerPAD热增强型封装。
(1)
在任何情况下绝对最大额定值是有限的
硅工艺的约束。强调以上这些
收视率可能会造成永久性的损害。暴露在绝对
最大的条件下长时间可能会降低设备
可靠性。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出任何其他条件的
规定是不是暗示。
(2)
最高结温为连续操作
受包装限制。操作高于此温度
可能会导致可靠性降低和/或设备的寿命。
(3)
推荐工作条件
民
电源电压（V
S
和V
S )
电压，
S+
S)
输入共模电压范围
双电源
单电源
±1.35
2.7
V
S
+ 1.1
最大
±7.5
15
V
S+
1.1
单位
V
V
THS4221与THS4225单个封装/订购信息
包装设备
塑料小外形
(D)
THS4221D
THS4225D
(1)
(2)
SOT-23
(1)
（ DBV）
THS4221DBV
—
符号
BFS
—
塑料MSOP
(2)
PowerPADE
（ DGN ）
THS4221DGN
THS4225DGN
符号
BFT
BFU
塑料MSOP
(2)
（ DGK ）
THS4221DGK
THS4225DGK
符号
BHX
BFY
所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准数量是3000的T后缀的标准数量是250 （例如， THS4221DBVT ） 。
所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准量为2500 （例如， THS4221DGNR ） 。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
2
www.ti.com
THS4221 ， THS4225
THS4222 ， THS4226
SLOS399G
2002年8月
修订后的2004年1月
THS4222与THS4226双封装/订购信息
包装设备
塑料小外形
(D)
(1)
THS4222D
—
(1)
塑料MSOP PowerPADE
(1)
（ DGN ）
THS4222DGN
—
符号
BFO
—
（ DGQ ）
—
THS4226DGQ
符号
—
BFP
塑料MSOPE
(1)
（ DGK ）
THS4222DGK
—
符号
BHW
—
所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准量为2500 （例如， THS4222DGNR ） 。
电气特性
V
S
=
±5
V ，R
L
= 499
,
和G = 1 ，除非另有说明
典型值
参数
AC性能
G = 1，P
IN
=
7
DBM
小信号带宽
G = 2，P
IN
=
13
dBm的，R
f
= 1.3 k
G = 5，P
IN
=
21
dBm的，R
f
= 2 k
G = 10，P
IN
=
27
dBm的，R
f
= 2 k
0.1分贝平坦带宽
增益带宽积
全功率带宽
压摆率
建立时间至0.1％
建立时间0.01％
谐波失真
二次谐波失真
第三谐波失真
微分增益（ NTSC ， PAL ）
微分相位（NTSC，PAL ）
输入电压噪声
输入电流噪声
串扰（双只）
直流性能
开环电压增益（A
OL
)
输入失调电压
平均失调电压漂移
输入偏置电流
平均失调电压漂移
输入失调电流
平均失调电流漂移
输入特性
共模输入范围
共模抑制比
输入阻抗
输入电容
共模/差
V
CM
=
±2
V
4
/ 4
94
33
1 / 0.5
3.9
/ 3.9
74
69
69
V
dB
M
pF
民
民
典型值
最大
V
O
=
±2
V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
100
500
0.9
3
100
3
80
10
75
16
±20
5
±10
700
±10
75
16
±20
5
±10
700
±10
dB
mV
μV/°C
A
μV/°C
nA
NA / ℃，
民
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
G = 2，P
IN
=
13
dBm的，R
f
= 1.3 k
> 10 ， F = 1兆赫，R
f
= 2 k
G = 1，V
O
=
±2.5
V
G =
1,
V
O
=
±2.5
VPP
G = 1，V
O
=
±2.5
VPP
G =
1,
V
O
=
±2
VPP
G =
1,
V
O
=
±2
VPP
G = 1，V
O
= 2 VPP ， F = 5兆赫
R
L
= 499
R
L
= 150
R
L
= 499
R
L
= 150
G = 2，R = 150
G = 2，R = 150
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 5MHz的通道到通道
90
92
100
96
0.007
0.007
13
0.8
90
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
%
°
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
dB
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
230
100
25
12
40
120
65
990
975
25
52
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
V / μs的
ns
ns
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
民
民
典型值
典型值
测试条件
25°C
25°C
过温
0℃至
70°C
40°C
to
85°C
单位
MIN /
最大
3
THS4221 ， THS4225
THS4222 ， THS4226
SLOS399G
2002年8月
修订后的2004年1月
www.ti.com
电气特性
V
S
=
±5
V ，R
L
= 499
,
和G = 1 ，除非另有说明
典型值
参数
输出特性
输出电压摆幅
输出电流（采购）
输出电流（沉没）
输出阻抗
电源
额定工作电压
最大静态电流
电源抑制比（ PSRR ± ）
省电特性
最大掉电电流
PD
≤
REF +1.0 V， VREF = 0 V ，
每通道
REF = 0 V或VS
V,
S
REF = VS或浮动
S+
Turnon时间延迟
关断延时
输入阻抗
隔离
(1)
过温
25°C
0℃至
70°C
4.4
/
4.4
88
88
40°C
to
85°C
单位
MIN /
最大
测试条件
25°C
R
L
= 499
R
L
= 2 k
R
L
= 10
R
L
= 10
F = 1 MHz的
4.7
/ 4.7
4.8
/ 4.8
100
100
0.02
±5
4.5
/ 4.5
4.4
/ 4.4
V
V
民
民
民
民
典型值
最大
最大
民
92
92
88
88
mA
mA
±7.5
18
62
±7.5
20
60
±7.5
22
60
V
mA
dB
每通道
14
75
700
900
REF+1.8
REF+1
REF1
REF1.5
1000
1000
A
V
V
V
V
ns
ns
dB
最大
民
最大
民
最大
典型值
典型值
典型值
典型值
启用
掉电
启用
掉电
200
500
58
80
掉电
掉电电压等级
(1)
终值50 ％
终值50 ％
F = 5兆赫
为了使电源降压电路的详细信息，请参见本数据手册的应用信息的断电部分。
4
www.ti.com
D8
DBV5
DGQ10
DGN8
DGK8
THS4221 ， THS4225
THS4222 ， THS4226
SLOS399G
2002年8月
修订后的2004年1月
低失真，高速，轨到轨输出
运算放大器
特点
D
轨到轨输出摆幅
D
高速
V
O
=
4.8/4.8
(R
L
= 2 k)
应用
D
低电压模拟数字转换器
D
D
前置放大器
有源滤波
视频应用
230 MHz带宽（ -3 dB时， G = 1 ）
975 V / μs压摆率
HD2 =
90
dBc的（ F = 5兆赫，R
L
= 499)
HD3 =
100
dBc的（ F = 5兆赫，R
L
= 499)
D
超低失真
THS4222
D， DGN ，或DGK包装
（ TOP VIEW ）
D
高输出驱动，我
O
= 100 mA（一般）
D
出色的视频性能
40 MHz带宽（0.1分贝， G = 2 ）
0.007 ％微分增益
0.007 °差分相位
V
S
= 3 V至15 V
1OUT
1IN
1IN+
V
S
1
2
3
4
8
7
6
5
V
S+
2OUT
2IN
2IN+
相关器件
设备
THS4211
THS4271
OPA354
OPA690
描述
1千兆赫， 800 V / μs的，VN = 7纳伏/ √Hz的
1.4千兆赫， 900 V / μs的，VN = 3内华达州/ √Hz的
250兆赫， 150 V / μs的，VN = 6.5纳伏/ √Hz的
500兆赫， 1800 V / μs的，VN = 5.5纳伏/ √Hz的
D
电源范围宽
D
掉电模式（ THS4225 / 6 ）
D
评估模块可用
描述
该THS4222系列是一组轨到轨输出单，双低电压，高输出摆幅，低失真高速
放大器非常适合驱动数据转换器，视频切换，低失真applications.This家族的电压反馈
放大器可以从一个单一的15 V电源供电降低到一个单一的3 - V电源供电，功耗只有14毫安
每信道的静态电流。此外，该系列提供了230 MHz的带宽， 975 V / μs的卓越的AC性能
压摆率和谐波失真（THD ），在-90 dBc的在5 MHz 。
差分驱动电路
1.3 k
5V
SR
压摆率
V/
s
650
IN +
2.5 V
+
1 k
0.1
F
10
F
V
OUT-
压摆率
vs
差分输出电压阶跃
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
上升
秋天
1.3 k
IN-
650
2.5 V
+
V
OUT +
200
0
0
1 2 3 4
5 6
7 8
9 10
V
O
差分输出电压阶跃
V
THS4222
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在德州仪器公司的关键应用程序使用
半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。制品
符合每德州仪器标准保修条款的规范。
生产加工并不包括所有参数进行测试。
版权
2002
2004年，德州仪器
THS4221 ， THS4225
THS4222 ， THS4226
SLOS399G
2002年8月
修订后的2004年1月
www.ti.com
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
单位
电源电压，V
S
输入电压V
I
输出电流，I
O
差分输入电压，V
ID
连续功率耗散
最高结温，T
J
最高结温，连续
操作，长期可靠性牛逼
J (2)
存储温度范围，T
英镑
焊接温度
从壳体10秒1.6毫米（1/16英寸）的
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯州
仪器建议所有集成电路
用适当的预防措施处理。如果不遵守
正确的处理和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完整的设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到损害，因为很小的参数变化可能
导致设备不能满足其公布的规格。
16.5 V
±
V
S
百毫安
4V
见耗散额定值表
150°C
125°C
65°C
至150℃
300°C
2500 V
3000 V
1500 V
包装耗散额定值
包
DBV （5）
D (8)
DGN （ 8 ）
(3)
DGK （ 8 ）
DGQ （ 10 ）
(3)
(1)
(2)
Θ
JC
（ ° C / W）
55
38.3
4.7
54.2
4.7
( )
Θ
JA
(1)
（ ° C / W）
额定功率
(2)
T
A
≤
25°C
391毫瓦
1.02 W
1.71 W
385毫瓦
1.72 W
T
A
= 85°C
156毫瓦
410毫瓦
685毫瓦
154毫瓦
690毫瓦
255.4
97.5
58.4
260
58
HBM
ESD额定值：
THS4221/5
THS4222/6
THS4221/5
THS4222/6
清洁发展机制
MM
150 V
200 V
采用JEDEC标准的High-K PCB测试得到该数据。
额定功率为125 ° C的结温是确定的。
这就是失真开始大幅增加点。
最终PCB的热管理应努力保持
在或低于125 ° C的结温为最佳性能和
长期可靠性。
该THS422x可以结合使用PowerPad上的下侧
该芯片。这作为一个散热器和必须连接到一个
热耗散飞机进行适当的功率耗散。失败
这样做可能会导致超过最大结
温度可能永久损坏设备。请参见TI
技术简介SLMA002和SLMA004了解更多信息
关于利用PowerPAD热增强型封装。
(1)
在任何情况下绝对最大额定值是有限的
硅工艺的约束。强调以上这些
收视率可能会造成永久性的损害。暴露在绝对
最大的条件下长时间可能会降低设备
可靠性。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出任何其他条件的
规定是不是暗示。
(2)
最高结温为连续操作
受包装限制。操作高于此温度
可能会导致可靠性降低和/或设备的寿命。
(3)
推荐工作条件
民
电源电压（V
S
和V
S )
电压，
S+
S)
输入共模电压范围
双电源
单电源
±1.35
2.7
V
S
+ 1.1
最大
±7.5
15
V
S+
1.1
单位
V
V
THS4221与THS4225单个封装/订购信息
包装设备
塑料小外形
(D)
THS4221D
THS4225D
(1)
(2)
SOT-23
(1)
（ DBV）
THS4221DBV
—
符号
BFS
—
塑料MSOP
(2)
PowerPADE
（ DGN ）
THS4221DGN
THS4225DGN
符号
BFT
BFU
塑料MSOP
(2)
（ DGK ）
THS4221DGK
THS4225DGK
符号
BHX
BFY
所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准数量是3000的T后缀的标准数量是250 （例如， THS4221DBVT ） 。
所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准量为2500 （例如， THS4221DGNR ） 。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
2
www.ti.com
THS4221 ， THS4225
THS4222 ， THS4226
SLOS399G
2002年8月
修订后的2004年1月
THS4222与THS4226双封装/订购信息
包装设备
塑料小外形
(D)
(1)
THS4222D
—
(1)
塑料MSOP PowerPADE
(1)
（ DGN ）
THS4222DGN
—
符号
BFO
—
（ DGQ ）
—
THS4226DGQ
符号
—
BFP
塑料MSOPE
(1)
（ DGK ）
THS4222DGK
—
符号
BHW
—
所有封装均提供卷带封装。 R后缀的标准量为2500 （例如， THS4222DGNR ） 。
电气特性
V
S
=
±5
V ，R
L
= 499
,
和G = 1 ，除非另有说明
典型值
参数
AC性能
G = 1，P
IN
=
7
DBM
小信号带宽
G = 2，P
IN
=
13
dBm的，R
f
= 1.3 k
G = 5，P
IN
=
21
dBm的，R
f
= 2 k
G = 10，P
IN
=
27
dBm的，R
f
= 2 k
0.1分贝平坦带宽
增益带宽积
全功率带宽
压摆率
建立时间至0.1％
建立时间0.01％
谐波失真
二次谐波失真
第三谐波失真
微分增益（ NTSC ， PAL ）
微分相位（NTSC，PAL ）
输入电压噪声
输入电流噪声
串扰（双只）
直流性能
开环电压增益（A
OL
)
输入失调电压
平均失调电压漂移
输入偏置电流
平均失调电压漂移
输入失调电流
平均失调电流漂移
输入特性
共模输入范围
共模抑制比
输入阻抗
输入电容
共模/差
V
CM
=
±2
V
4
/ 4
94
33
1 / 0.5
3.9
/ 3.9
74
69
69
V
dB
M
pF
民
民
典型值
最大
V
O
=
±2
V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
100
500
0.9
3
100
3
80
10
75
16
±20
5
±10
700
±10
75
16
±20
5
±10
700
±10
dB
mV
μV/°C
A
μV/°C
nA
NA / ℃，
民
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
G = 2，P
IN
=
13
dBm的，R
f
= 1.3 k
> 10 ， F = 1兆赫，R
f
= 2 k
G = 1，V
O
=
±2.5
V
G =
1,
V
O
=
±2.5
VPP
G = 1，V
O
=
±2.5
VPP
G =
1,
V
O
=
±2
VPP
G =
1,
V
O
=
±2
VPP
G = 1，V
O
= 2 VPP ， F = 5兆赫
R
L
= 499
R
L
= 150
R
L
= 499
R
L
= 150
G = 2，R = 150
G = 2，R = 150
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 5MHz的通道到通道
90
92
100
96
0.007
0.007
13
0.8
90
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
%
°
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
dB
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
230
100
25
12
40
120
65
990
975
25
52
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
V / μs的
ns
ns
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
民
民
典型值
典型值
测试条件
25°C
25°C
过温
0℃至
70°C
40°C
to
85°C
单位
MIN /
最大
3
THS4221 ， THS4225
THS4222 ， THS4226
SLOS399G
2002年8月
修订后的2004年1月
www.ti.com
电气特性
V
S
=
±5
V ，R
L
= 499
,
和G = 1 ，除非另有说明
典型值
参数
输出特性
输出电压摆幅
输出电流（采购）
输出电流（沉没）
输出阻抗
电源
额定工作电压
最大静态电流
电源抑制比（ PSRR ± ）
省电特性
最大掉电电流
PD
≤
REF +1.0 V， VREF = 0 V ，
每通道
REF = 0 V或VS
V,
S
REF = VS或浮动
S+
Turnon时间延迟
关断延时
输入阻抗
隔离
(1)
过温
25°C
0℃至
70°C
4.4
/
4.4
88
88
40°C
to
85°C
单位
MIN /
最大
测试条件
25°C
R
L
= 499
R
L
= 2 k
R
L
= 10
R
L
= 10
F = 1 MHz的
4.7
/ 4.7
4.8
/ 4.8
100
100
0.02
±5
4.5
/ 4.5
4.4
/ 4.4
V
V
民
民
民
民
典型值
最大
最大
民
92
92
88
88
mA
mA
±7.5
18
62
±7.5
20
60
±7.5
22
60
V
mA
dB
每通道
14
75
700
900
REF+1.8
REF+1
REF1
REF1.5
1000
1000
A
V
V
V
V
ns
ns
dB
最大
民
最大
民
最大
典型值
典型值
典型值
典型值
启用
掉电
启用
掉电
200
500
58
80
掉电
掉电电压等级
(1)
终值50 ％
终值50 ％
F = 5兆赫
为了使电源降压电路的详细信息，请参见本数据手册的应用信息的断电部分。
4
QQ：2881677436 复制
