THS4150

THS4151

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SLOS321G - 2000年5月 - 修订2009年3月

高速差分I / O放大器

1

特点

高性能

- 150 MHz的-3 dB带宽（V

CC

= ±5 V)

- 650 V / μs压摆率（V

CC

= ±15 V)

- -89 dB的三次谐波失真在1 MHz

- -83 dB的总谐波失真在1 MHz

- 7.6纳伏/ √Hz的输入参考噪声

差分输入/差分输出

- 平衡输出抑制共模

噪音

- 微分减少二次谐波

失真

宽电源电压范围

– V

CC

= 5 V单电源至±15 V双

供应

I

CC （SD）的

= 1 MA（ V

CC

= ± 5）在关断模式

(THS4150)

23

THS4150

D， DGN ， DGK套餐

（ TOP VIEW ）

THS4151

D， DGN ， DGK套餐

（ TOP VIEW ）

1

2

3

4

8

7

6

5

V

IN-

V

OCM

V

CC+

V

OUT +

1

2

3

4

8

7

6

5

V

IN +

V

IN-

PD

V

OCM

V

CC-

V

CC+

V

OUT-

V

OUT +

V

IN +

NC

V

CC-

V

OUT-

高速差分I / O系列

设备

THS4150

THS4151

数

频道

1

1

关闭

X

-

典型的A / D应用电路

V

DD

5V

V

IN

AV

DD

AV

SS

DV

DD

数字

产量

主要应用领域

单端至差分转换

差分ADC驱动器

差抗锯齿

差分发射器和接收器

输出电平转换器

V

OCM

+

+

A

IN

A

IN

V

REF

5 V

THS4151

描述

该THS415x是在一个家庭全差分的

输入/差分输出设备的制造使用

得克萨斯州

仪器公司

国家的最先进的

BiComI

互补双极工艺。

该THS415x由真全差分信号的

路径从输入到输出。这种设计导致了

出色的共模噪声抑制和

改善总谐波失真。

相关器件

设备

THS412x

THS413x

THS414x

描述

100兆赫， 43 V / μs的， 3.7纳伏/ √Hz的

150兆赫， 51 V / μs的， 1.3纳伏/ √Hz的

160兆赫， 450 V / μs的， 6.5纳伏/ √Hz的

40

THD - 总谐波失真 - 分贝

总谐波失真

vs

频率

增益= 1，

R

f

= 390

,

R

L

= 800

,

V

O

= 2 Vpp的，

V

CC

= 5 V至

±15

V

50

60

单输入到

迪FF erential输出

70

80

差分输入

迪FF erential输出

90

100

100 k

1M

10 M

的F - 频率 - 赫兹

100 M

1

2

3

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

使用PowerPad是德州仪器的商标。

所有其他商标均为其各自所有者的财产。

版权所有 2000-2009 ，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

可选项

(1)

包装设备

T

A

小外形封装（ D）

THS4150CD

THS4151CD

THS4150ID

THS4151ID

MSOP使用PowerPad

（ DGN ）

THS4150CDGN

THS4151CDGN

THS4150IDGN

THS4151IDGN

符号

AQB

AQD

AQC

AQE

（ DGK ）

THS4150CDGK

THS4151CDGK

THS4150IDGK

THS4151IDGK

MSOP

符号

ATT

ATU

AST

亚利桑那州立大学

THS4150EVM

THS4151EVM

–

–

评价

模块

0 ° C至70℃

-40 ° C至85°C

(1)

对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI

网站：

www.ti.com 。

绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明） 。

单位

V

CC-

to

V

CC+

V

I

I

O

V

ID

电源电压

输入电压

输出电流

(2)

±16.5 V

±V

CC

150毫安

±6 V

SEE

额定功耗表

150°C

125°C

0 ° C至70℃

-40 ° C至85°C

-65_C到150_C

HBM

2500 V

1500 V

200 V

后缀

我的后缀

(3)

差分输入电压

连续总功率耗散

最高结温

T

J

T

A

T

英镑

最高结温，连续运转，长期可靠性

(4)

工作自由空气的温度

储存温度

焊接温度

ESD额定值

(5)

清洁发展机制

MM

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)

超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作

条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

该THS415x可在芯片的下侧结合采用PowerPad 。这作为一个散热器和必须连接到一个

热耗散飞机进行适当的功率耗散。如果不这样做，可能会导致超过最大结温

这可能会永久损坏设备。请参见TI技术简介

SLMA002

和

SLMA004

关于利用的详细信息

使用PowerPad 散热增强型封装。

在任何条件下的绝对最大温度由硅工艺的约束的限制。

最高结温为连续运行是由包约束的限制。操作高于此温度可

导致可靠性降低和/或该设备的寿命。

见提供的材料MSL /回流焊等级信息，或者参阅TI的网站

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了解最新信息。

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额定功耗表

包

D

DGN

DGK

(1)

(2)

θ

JA （1）

（ ° C / W）

97.5

58.4

260

θ

JC

（ ° C / W）

38.3

4.7

54.2

额定功率

(2)

T

A

= 25°C

1.02 W

1.71 W

385毫瓦

T

A

= 85°C

410毫瓦

685毫瓦

154毫瓦

采用JEDEC标准的High-K PCB测试得到该数据。

额定功率为125 ° C的结温是确定的。这是这种地步失真

开始大大增加。最终PCB的热管理应努力保持

结温度在或低于125 ℃下进行最佳的性能和长期的可靠性。

推荐工作条件

民

V

CC+

to

V

CC–

T

A

电源电压

工作自由空气的温度

双电源

单电源

后缀

我的后缀

±2.5

5

0

–40

典型值

最大

±15

30

70

85

单位

V

°C

电气特性

在V

CC

= 15 V ，R

L

= 800

,

T

A

= 25 ℃（除非另有说明） 。

参数

动态性能

V

CC

= 5

BW

小信号带宽（ -3 dB）的

V

CC

= ±5

V

CC

= ±15

V

CC

= 5

BW

SR

t

s

小信号带宽（ -3 dB）的

压摆率

(1)

建立时间至0.1％

建立时间0.01％

V

CC

= ±5

V

CC

= ±15

V

CC

= ±15,

增益= 1

微分步进电压= 2 V

PP

,

增益= 1

增益= 2，

R

f

= 750

增益= 1，

R

f

= 390

150

150

150

80

81

81

650

53

247

–85

–66

–83

–65

–84

–65

–87

–95

dB

dBc的

dB

V / μs的

ns

兆赫

兆赫

测试条件

民

典型值

最大

单位

失真性能

V

CC

= 5

THD

总谐波失真

差分输入，差分输出增益= 1 ，

R

f

= 390

,

R

L

= 800

,

V

O

= 2 V

PP

V

CC

= ±5

V

CC

= ±15

无杂散动态范围（ SFDR ）

三是互调失真

噪声性能

V

n

I

n

(1)

输入电压噪声

输入电流噪声

F > 10千赫

F > 10千赫

7.6

1.78

纳伏/赫兹÷

PA / ÷赫兹

V

O

= 2 V

PP

,

F = 1 MHz的

F = 8 MHz的

F = 1 MHz的

F = 8 MHz的

F = 1 MHz的

F = 8 MHz的

F = 1 MHz的

V

O

= 0.14 V

RMS

，增益= 1 ，

F = 20MHz的

压摆率是从25％的输出电平范围测定为75％。

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电气特性（续）

在V

CC

= 15 V ，R

L

= 800

,

T

A

= 25 ℃（除非另有说明） 。

参数

直流性能

开环增益

输入失调电压

V

OS

输入偏移电压，称为V

OCM

失调漂移

I

IB

I

OS

输入偏置电流

输入失调电流

失调漂移

关机延迟到输出

输入特性

CMRR

V

ICR

r

I

C

I

r

o

r

O（ SD ）

共模抑制比

共模输入电压范围

输入阻抗

输入电容，闭环

输出电阻

输出电阻

开环/单端

关闭

T

A

= 25°C

T

A

=全系列

T

A

= 25°C

T

A

=全系列

T

A

= 25°C

T

A

=全系列

T

A

= 25°C

T

A

=全系列

T

A

= 25°C

T

A

=全系列

T

A

= 25°C

T

A

=全系列

1.2 3.8

1.2 3.8

±3.7

±3.6

±11.6

±11

30

25

45

35

65

50

4

±2

T

A

= 25°C

T

A

=全系列

T

A

= 25°C

T

A

=全系列

1

70

65

90

17.5

30

±15

15.8

33

±16.5

18.5

21

21

23

1.3

1.5

mA

dB

mA

85

60

mA

45

±12.7

±3.9

V

测到每个输入端

T

A

=全系列

–75

–83

V

S–

+1.5V

to

V

S+

–1.5V

14.4

3.9

0.4

636

0.9 4.1

dB

V

M

pF

T

A

= 25°C

T

A

=全系列

T

A

= 25°C

T

A

=全系列

T

A

= 25°C

T

A

=全系列

T

A

=全系列

T

A

=全系列

T

A

=全系列

0.6

7

4.3

250

0.7

1.1

15

1200

(2)

测试条件

民

63

60

典型值

67

1.1

最大

单位

dB

7

8.5

8

μV/°C

A

nA

NA / ℃，

s

mV

输出特性

V

CC

= 5 V

输出电压摆幅

V

CC

= ±5 V

V

CC

= ±15 V

V

CC

= 5 V

I

O

输出电流，R

L

= 7

V

CC

= ±5 V

V

CC

= ±15 V

电源

V

CC

电源电压范围

单电源

分离电源

V

CC

= ±5 V

I

CC

静态电流（每个放大器）

V

CC

= ±15 V

I

CC （SD）的

PSRR

(2)

(3)

静态电流（停机） （ THS4150 ）

(3)

电源抑制比（ DC ）

T

A

= 25°C

T

A

=全系列

T

A

= 25°C

T

A

=全系列

V

全范围的温度为0℃至70℃为C后缀，和-40 ℃至85℃的I后缀。

对掉电电路的行为的详细信息，请参阅

掉电模式

在说明书

操作原理

本数据手册的部分。

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典型特征

表图的

科幻gure

小信号频率响应

大信号频率响应

建立时间

SR

压摆率

总谐波失真

谐波失真

三是互调失真

V

n

I

n

V

O

电压噪声

电流噪声

输出电压

电源电流关断

输出电流范围

V

OS

CMRR

z

z

o

z

o

PSRR

单端输出失调电压

共模抑制比

在V阻抗

OCM

终奌站

输出阻抗（电）

输出阻抗（关机）

电源抑制比

与温度

与频率

与输出电压

与频率

与输出电压

与输出电压

与频率

与频率

VS单端的负载电阻

与电源电压

与电源电压

VS共模输出电压

与频率

与频率

与频率

与频率

与频率

1, 2

3

4

5

6

7

8–13

14–17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

典型特征

小信号频率响应

50

G = 100

40

30

摹 - 增益 - 分贝

20

10

G = 10

G=5

G=2

G=1

0

10

3.5

1

小信号频率响应

V

CC

=

±5

V

V

I

= 22.5毫伏

RMS

0.5

0

0.5

V

CC

= 5

V

CC

=

±

5

V

CC

=

±

15

G

-

收益

-

dB

1

1.5

2

2.5

3

增益= 1

R

f

= 390

W

R

L

= 800

W

V

I

= 22.5毫伏

RMS

1M

10 M

f

-

频率

-

Hz

100 M

1G

20

100 k

1M

10 M

的F - 频率 - 赫兹

100 M

1G

4

100 k

图1 。

图2中。

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