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THS3110 , THS3111
www.ti.com
SLOS422A - 2003年9月 - 修订2003年11月
低噪声,高电压,电流反馈,
运算放大器
特点
低噪音
- 2 PA / √Hz的同相电流噪声
- 10 PA / √Hz的反相电流噪声
- 3内华达州/ √Hz的噪声电压
高输出电流驱动: 260毫安
高压摆率: 1300 V / μs的(R
L
= 100
,
V
O
= 8 V
PP
)
宽带宽: 90兆赫(G = 2 ,R
L
= 100
)
宽电源范围:
±5
V到
±15
V
省电特性: ( THS3110只)
描述
该THS3110和THS3111是低噪音,
高电压,电流反馈放大器设计
工作在宽电压范围内
±5
V到
±15
V代表
今天的高性能应用。
该THS3110设有断电引脚( PD )的
将放大器在低功率待机模式,并
降低了静态电流从4.8 mA到270 μA 。
这些
放大器器
提供
管理良好的
ac
性能特点。
团结
收益
100 MHz的带宽,可以很好的失真
10 MHz以下的特性。加上高
1300 V / μs压摆率, THS3110和THS3111
放大器可用于高输出电压摆幅高
频率。
该THS3110与THS3111提供了8针
SOIC (D ) ,以及8引脚MSOP ( DGN )封装
使用PowerPad 。
微分相位
vs
负载数
0.4
0.35
0.3
差分相位 -
5
0.25
PAL
0.2
NTSC
0.15
0.1
0.05
增益= 2,
R
F
= 1 k,
V
S
=
±15
V,
40 IRE - NTSC和PAL ,
最坏的情况下
±100
IRE斜坡
应用
视频分发
功率FET驱动器
引脚驱动器
容性负载驱动
微分增益
vs
负载数
0.3
增益= 2,
R
F
= 1 k,
V
S
=
±15
V,
40 IRE - NTSC和PAL ,
最坏的情况下
±100
IRE斜坡
PAL
0.15
NTSC
视频分配放大器应用
1 k
1 k
15 V
V
I
75
+
15 V
N行
75
75 Ω传输线
75
75
V
O(N )
V
O(1)
0.25
微分增益 - %
0.2
0.1
0.05
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
150号
负载
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
150号
负载
75
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2003 ,德州仪器
THS3110 , THS3111
SLOS422A - 2003年9月 - 修订2003年11月
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的处理程序和安装程序,可以造成损坏。
顶视图
THS3110
REF
V
IN-
V
IN +
V
S
1
2
3
4
8
7
6
5
D, DGN
顶视图
THS3111
D, DGN
PD
V
S+
V
OUT
NC
NC
V
IN =
V
IN +
V
S
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
S+
V
OUT
NC
NC - 无内部连接
NC - 无内部连接
注:与断电选项默认为接通状态的装置,如果没有信号被施加到PD引脚。 Additionallly , REF引脚
功能范围是从V
S
到(Ⅴ
S+
4 V).
可选项
T
A
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
封装器件
塑料小外形SOIC (D )
THS3110CD
THS3110CDR
THS3110ID
THS3110IDR
THS3111CD
THS3111CDR
THS3111ID
THS3111IDR
塑料MSOP ( DGN )
(1) (2)
THS3110CDGN
THS3110CDGNR
THS3110IDGN
THS3110IDGNR
THS3111CDGN
THS3111CDGNR
THS3111IDGN
THS3111IDGNR
符号
BJB
BIR
BJA
BIS
可在磁带和卷轴。 R后缀的标准量为2500 (如THS3110CDGNR ) 。
在使用PowerPad是所有其他引脚的电隔离。
额定功耗表
D-8
(1)
DGN-8
(2)
(1)
(2)
Θ
JC
( ° C / W)
38.3
4.7
Θ
JA
( ° C / W)
T
A
= 25°C
95
58.4
1.05 W
1.71 W
额定功率
T
J
= 125°C
T
A
= 85°C
421毫瓦
685毫瓦
采用JEDEC标准的低K PCB测试得到该数据。对于JEDEC建议的High-K测试PCB,该
Θ
JA
是用95℃ / W的
额定功率在T
A
= 25 ℃, 1.05 W.
使用2盎司这个数据取。跟踪并且直接焊接到一个3英寸× 3英寸的印刷电路板的铜垫。欲了解更多信息,请参阅
应用Informationsection
本数据手册。
2
THS3110 , THS3111
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推荐工作条件
电源电压
经营自由的空气温度,T
A
双电源
单电源
广告
产业
±5
10
0
-40
-40
-40
最大
±15
30
70
85
125
85
°C
单位
V
工作结温,连续工作温度,T
J
正常储存温度T
英镑
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度(除非另有说明)
(1)
单位
电源电压,V
S-
到V
S+
输入电压V
I
差分输入电压,V
ID
输出电流,I
O (2)
连续功率耗散
最高结温,T
J (3)
最高结温,连续运转,长期可靠性,T
J
经营自由的空气温度,T
A
贮藏温度,T
英镑
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下,持续10秒
ESD额定值:
HBM
清洁发展机制
MM
(1)
(2)
900
1500
200
(4)
33 V
±
V
S
±
4V
300毫安
见耗散额定值表
150°C
125°C
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-65 ° C至125°C
300°C
广告
产业
(3)
(4)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只是,和该设备在这些或超出下指示的任何其他条件的功能操作,,推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
的THS3110和THS3111可在芯片的下面掺入的PowerPAD 。这作为一个散热器,并且必须
连接到适当的功率耗散热散热面。如果不这样做,可能会导致超过最大结
温度可能永久损坏设备。请参见TI技术简介SLMA002关于利用的详细信息
使用PowerPad 散热增强型封装。
在任何条件下的绝对最大温度由硅工艺的约束的限制。
最高结温为连续运行是由包约束的限制。操作高于此温度可
导致可靠性降低和/或该设备的寿命。
3
THS3110 , THS3111
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电气特性
V
S
=
±15
V ,R
F
= 1 k
,R
L
= 100
,
和G = 2(除非另有说明)
典型值
参数
AC性能
G = 1,R
F
= 1.5 kΩ的,V
O
- 200毫伏
PP
小信号带宽的-3 dB
G = 2,R
F
= 1千欧,V
O
- 200毫伏
PP
G = 5,R
F
= 806
,
V
O
- 200毫伏
PP
G = 10,R
F
= 604
,
V
O
- 200毫伏
PP
0.1分贝带宽平坦度
大信号带宽
压摆率( 25 % 75 %的水平)
压摆率
上升和下降时间
建立时间至0.1%
建立时间0.01%
谐波失真
二阶谐波失真
G = 2,
R
F
= 1 k ,
V
O
= 2 V
PP
,
F = 10MHz的
F > 20千赫
F > 20千赫
F > 20千赫
NTSC
G = 2,
R
L
= 150
,
R
F
= 1 k
PAL
NTSC
PAL
V
O
=
±3.75
V,增益= 1
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
R
L
= 100
R
L
= 1 k
R
L
= 100
R
L
= 1 k
52
53
48
68
3
2
10
0.011%
0.013%
0.029°
0.033°
典型值
内华达州/
√Hz的
PA /
√Hz的
PA /
√Hz的
典型值
典型值
典型值
dBc的
典型值
G = 2,R
F
= 1.15千欧,V
O
- 200毫伏
PP
G = 5,R
F
= 806
, V
O
= 4 V
PP
G = 1,V
O
= 4 -V的步骤,R
F
= 1.5 k
G = 2,V
O
= 8 -V的步骤,R
F
= 1 k
建议的最大的SR
重复信号
(1)
G = -5 ,V
O
= 10 -V的步骤,R
F
= 806
G = -2 ,V
O
= 2 V
PP
G = -2 ,V
O
= 2 V
PP
100
90
87
66
45
95
800
1300
900
8
27
250
V / μs的
V / μs的
ns
ns
典型值
最大
典型值
典型值
兆赫
典型值
测试条件
25°C
25°C
过温
0℃至
70°C
-40 ° C至
85°C
单位
MIN / TYP /
最大
3次谐波失真
输入电压噪声
同相输入电流噪声
反相输入电流噪声
微分增益
微分相位
直流性能
输入失调电压
平均失调电压漂移
同相输入偏置电流
平均偏置电流漂移
反相输入偏置电流
平均偏置电流漂移
输入失调电流
平均失调电流漂移
输入特性
输入共模电压范围
共模抑制比
同相输入电阻
同相输入电容
输出特性
输出电压摆幅
输出电流(采购)
输出电流(沉没)
输出阻抗
1.6
1.5
1
6
0.7
8
±10
0.7
8
±10
6
±10
20
±10
20
±30
±12.5
60
M
mV
μV/°C
A
NA / ℃,
A
NA / ℃,
A
NA / ℃,
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
1
4
6
±10
1.5
15
20
±10
2.5
15
20
±30
±13.3
V
CM
=
±12.5
V
68
41
0.4
±13.5
±13.4
260
260
0.15
±13
62
±12.5
60
V
dB
M
pF
典型值
典型值
R
L
= 1 k
R
L
= 100
R
L
= 25
R
L
= 25
F = 1兆赫,闭环
±13
±12.5
200
200
±12.5
±12
175
175
±12.5
±12
175
175
V
mA
mA
典型值
(1)
4
欲了解更多信息,请参阅
应用信息
本数据手册的部分。
THS3110 , THS3111
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SLOS422A - 2003年9月 - 修订2003年11月
电气特性(续)
V
S
=
±15
V ,R
F
= 1 k
,R
L
= 100
,
和G = 2(除非另有说明)
典型值
参数
电源
额定工作电压
最大静态电流
最低静态电流
电源抑制比( PSRR + )
电源抑制( -PSRR )
省电特性
掉电电压等级
掉电静态电流
V
PD
静态电流
Turnon时间延迟
关断延时
输入阻抗
启用, REF = 0 V
掉电, REF = 0 V
PD = 0V
V
PD
= 0V , VREF = 0 V ,
V
PD
= 3.3 V , VREF = 0 V
90%的终值
终值10 %
0.8
2
270
11
11
4
6
3.4 || 1.7
450
500
500
V
A
A
最大
最大
典型值
V
S+
= 15.5 V至14.5 V ,V
S-
= 15 V
V
S+
= 15 V, V
S-
= -15.5 V至-14.5 V
±15
4.8
4.8
83
78
±16
6.5
3.8
75
70
±16
7.5
2.5
70
66
±16
7.5
2.5
70
66
V
mA
mA
dB
dB
最大
最大
测试条件
25°C
25°C
过温
0℃至
70°C
-40 ° C至
85°C
单位
MIN / TYP /
最大
s
kΩ的|| pF的
典型值
典型值
5
THS3110 , THS3111
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SLOS422A - 2003年9月 - 修订2003年11月
低噪声,高电压,电流反馈,
运算放大器
特点
低噪音
- 2 PA / √Hz的同相电流噪声
- 10 PA / √Hz的反相电流噪声
- 3内华达州/ √Hz的噪声电压
高输出电流驱动: 260毫安
高压摆率: 1300 V / μs的(R
L
= 100
,
V
O
= 8 V
PP
)
宽带宽: 90兆赫(G = 2 ,R
L
= 100
)
宽电源范围:
±5
V到
±15
V
省电特性: ( THS3110只)
描述
该THS3110和THS3111是低噪音,
高电压,电流反馈放大器设计
工作在宽电压范围内
±5
V到
±15
V代表
今天的高性能应用。
该THS3110设有断电引脚( PD )的
将放大器在低功率待机模式,并
降低了静态电流从4.8 mA到270 μA 。
这些
放大器器
提供
管理良好的
ac
性能特点。
团结
收益
100 MHz的带宽,可以很好的失真
10 MHz以下的特性。加上高
1300 V / μs压摆率, THS3110和THS3111
放大器可用于高输出电压摆幅高
频率。
该THS3110与THS3111提供了8针
SOIC (D ) ,以及8引脚MSOP ( DGN )封装
使用PowerPad 。
微分相位
vs
负载数
0.4
0.35
0.3
差分相位 -
5
0.25
PAL
0.2
NTSC
0.15
0.1
0.05
增益= 2,
R
F
= 1 k,
V
S
=
±15
V,
40 IRE - NTSC和PAL ,
最坏的情况下
±100
IRE斜坡
应用
视频分发
功率FET驱动器
引脚驱动器
容性负载驱动
微分增益
vs
负载数
0.3
增益= 2,
R
F
= 1 k,
V
S
=
±15
V,
40 IRE - NTSC和PAL ,
最坏的情况下
±100
IRE斜坡
PAL
0.15
NTSC
视频分配放大器应用
1 k
1 k
15 V
V
I
75
+
15 V
N行
75
75 Ω传输线
75
75
V
O(N )
V
O(1)
0.25
微分增益 - %
0.2
0.1
0.05
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
150号
负载
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
150号
负载
75
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有2003 ,德州仪器
THS3110 , THS3111
SLOS422A - 2003年9月 - 修订2003年11月
www.ti.com
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的处理程序和安装程序,可以造成损坏。
顶视图
THS3110
REF
V
IN-
V
IN +
V
S
1
2
3
4
8
7
6
5
D, DGN
顶视图
THS3111
D, DGN
PD
V
S+
V
OUT
NC
NC
V
IN =
V
IN +
V
S
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
S+
V
OUT
NC
NC - 无内部连接
NC - 无内部连接
注:与断电选项默认为接通状态的装置,如果没有信号被施加到PD引脚。 Additionallly , REF引脚
功能范围是从V
S
到(Ⅴ
S+
4 V).
可选项
T
A
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
(1)
(2)
封装器件
塑料小外形SOIC (D )
THS3110CD
THS3110CDR
THS3110ID
THS3110IDR
THS3111CD
THS3111CDR
THS3111ID
THS3111IDR
塑料MSOP ( DGN )
(1) (2)
THS3110CDGN
THS3110CDGNR
THS3110IDGN
THS3110IDGNR
THS3111CDGN
THS3111CDGNR
THS3111IDGN
THS3111IDGNR
符号
BJB
BIR
BJA
BIS
可在磁带和卷轴。 R后缀的标准量为2500 (如THS3110CDGNR ) 。
在使用PowerPad是所有其他引脚的电隔离。
额定功耗表
D-8
(1)
DGN-8
(2)
(1)
(2)
Θ
JC
( ° C / W)
38.3
4.7
Θ
JA
( ° C / W)
T
A
= 25°C
95
58.4
1.05 W
1.71 W
额定功率
T
J
= 125°C
T
A
= 85°C
421毫瓦
685毫瓦
采用JEDEC标准的低K PCB测试得到该数据。对于JEDEC建议的High-K测试PCB,该
Θ
JA
是用95℃ / W的
额定功率在T
A
= 25 ℃, 1.05 W.
使用2盎司这个数据取。跟踪并且直接焊接到一个3英寸× 3英寸的印刷电路板的铜垫。欲了解更多信息,请参阅
应用Informationsection
本数据手册。
2
THS3110 , THS3111
www.ti.com
SLOS422A - 2003年9月 - 修订2003年11月
推荐工作条件
电源电压
经营自由的空气温度,T
A
双电源
单电源
广告
产业
±5
10
0
-40
-40
-40
最大
±15
30
70
85
125
85
°C
单位
V
工作结温,连续工作温度,T
J
正常储存温度T
英镑
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度(除非另有说明)
(1)
单位
电源电压,V
S-
到V
S+
输入电压V
I
差分输入电压,V
ID
输出电流,I
O (2)
连续功率耗散
最高结温,T
J (3)
最高结温,连续运转,长期可靠性,T
J
经营自由的空气温度,T
A
贮藏温度,T
英镑
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下,持续10秒
ESD额定值:
HBM
清洁发展机制
MM
(1)
(2)
900
1500
200
(4)
33 V
±
V
S
±
4V
300毫安
见耗散额定值表
150°C
125°C
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-65 ° C至125°C
300°C
广告
产业
(3)
(4)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只是,和该设备在这些或超出下指示的任何其他条件的功能操作,,推荐工作
条件“是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
的THS3110和THS3111可在芯片的下面掺入的PowerPAD 。这作为一个散热器,并且必须
连接到适当的功率耗散热散热面。如果不这样做,可能会导致超过最大结
温度可能永久损坏设备。请参见TI技术简介SLMA002关于利用的详细信息
使用PowerPad 散热增强型封装。
在任何条件下的绝对最大温度由硅工艺的约束的限制。
最高结温为连续运行是由包约束的限制。操作高于此温度可
导致可靠性降低和/或该设备的寿命。
3
THS3110 , THS3111
SLOS422A - 2003年9月 - 修订2003年11月
www.ti.com
电气特性
V
S
=
±15
V ,R
F
= 1 k
,R
L
= 100
,
和G = 2(除非另有说明)
典型值
参数
AC性能
G = 1,R
F
= 1.5 kΩ的,V
O
- 200毫伏
PP
小信号带宽的-3 dB
G = 2,R
F
= 1千欧,V
O
- 200毫伏
PP
G = 5,R
F
= 806
,
V
O
- 200毫伏
PP
G = 10,R
F
= 604
,
V
O
- 200毫伏
PP
0.1分贝带宽平坦度
大信号带宽
压摆率( 25 % 75 %的水平)
压摆率
上升和下降时间
建立时间至0.1%
建立时间0.01%
谐波失真
二阶谐波失真
G = 2,
R
F
= 1 k ,
V
O
= 2 V
PP
,
F = 10MHz的
F > 20千赫
F > 20千赫
F > 20千赫
NTSC
G = 2,
R
L
= 150
,
R
F
= 1 k
PAL
NTSC
PAL
V
O
=
±3.75
V,增益= 1
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
V
CM
= 0 V
R
L
= 100
R
L
= 1 k
R
L
= 100
R
L
= 1 k
52
53
48
68
3
2
10
0.011%
0.013%
0.029°
0.033°
典型值
内华达州/
√Hz的
PA /
√Hz的
PA /
√Hz的
典型值
典型值
典型值
dBc的
典型值
G = 2,R
F
= 1.15千欧,V
O
- 200毫伏
PP
G = 5,R
F
= 806
, V
O
= 4 V
PP
G = 1,V
O
= 4 -V的步骤,R
F
= 1.5 k
G = 2,V
O
= 8 -V的步骤,R
F
= 1 k
建议的最大的SR
重复信号
(1)
G = -5 ,V
O
= 10 -V的步骤,R
F
= 806
G = -2 ,V
O
= 2 V
PP
G = -2 ,V
O
= 2 V
PP
100
90
87
66
45
95
800
1300
900
8
27
250
V / μs的
V / μs的
ns
ns
典型值
最大
典型值
典型值
兆赫
典型值
测试条件
25°C
25°C
过温
0℃至
70°C
-40 ° C至
85°C
单位
MIN / TYP /
最大
3次谐波失真
输入电压噪声
同相输入电流噪声
反相输入电流噪声
微分增益
微分相位
直流性能
输入失调电压
平均失调电压漂移
同相输入偏置电流
平均偏置电流漂移
反相输入偏置电流
平均偏置电流漂移
输入失调电流
平均失调电流漂移
输入特性
输入共模电压范围
共模抑制比
同相输入电阻
同相输入电容
输出特性
输出电压摆幅
输出电流(采购)
输出电流(沉没)
输出阻抗
1.6
1.5
1
6
0.7
8
±10
0.7
8
±10
6
±10
20
±10
20
±30
±12.5
60
M
mV
μV/°C
A
NA / ℃,
A
NA / ℃,
A
NA / ℃,
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
1
4
6
±10
1.5
15
20
±10
2.5
15
20
±30
±13.3
V
CM
=
±12.5
V
68
41
0.4
±13.5
±13.4
260
260
0.15
±13
62
±12.5
60
V
dB
M
pF
典型值
典型值
R
L
= 1 k
R
L
= 100
R
L
= 25
R
L
= 25
F = 1兆赫,闭环
±13
±12.5
200
200
±12.5
±12
175
175
±12.5
±12
175
175
V
mA
mA
典型值
(1)
4
欲了解更多信息,请参阅
应用信息
本数据手册的部分。
THS3110 , THS3111
www.ti.com
SLOS422A - 2003年9月 - 修订2003年11月
电气特性(续)
V
S
=
±15
V ,R
F
= 1 k
,R
L
= 100
,
和G = 2(除非另有说明)
典型值
参数
电源
额定工作电压
最大静态电流
最低静态电流
电源抑制比( PSRR + )
电源抑制( -PSRR )
省电特性
掉电电压等级
掉电静态电流
V
PD
静态电流
Turnon时间延迟
关断延时
输入阻抗
启用, REF = 0 V
掉电, REF = 0 V
PD = 0V
V
PD
= 0V , VREF = 0 V ,
V
PD
= 3.3 V , VREF = 0 V
90%的终值
终值10 %
0.8
2
270
11
11
4
6
3.4 || 1.7
450
500
500
V
A
A
最大
最大
典型值
V
S+
= 15.5 V至14.5 V ,V
S-
= 15 V
V
S+
= 15 V, V
S-
= -15.5 V至-14.5 V
±15
4.8
4.8
83
78
±16
6.5
3.8
75
70
±16
7.5
2.5
70
66
±16
7.5
2.5
70
66
V
mA
mA
dB
dB
最大
最大
测试条件
25°C
25°C
过温
0℃至
70°C
-40 ° C至
85°C
单位
MIN / TYP /
最大
s
kΩ的|| pF的
典型值
典型值
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    -
    -
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电话:400-15695632345
联系人:薛女士
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德州仪器
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联系人:刘先生
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