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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第383页 > THN4201E
THN4201系列
半导体
硅锗NPN晶体管
□
应用
低噪声放大器和宽带放大器高达GHz的范围
SOT-523
以毫米单位
□
特点
o低噪声图
NF = 1.5分贝F = 2千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 5毫安
NF = 1.7分贝F = 2千兆赫，V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安
o高增益
MAG = 13.5分贝F = 2千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 20毫安
MAG = 13分贝F = 2千兆赫，V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安
o高转换频率
f
T
= 16.5 GHz的在V
CE
= 3 V，I
C
= 20毫安
引脚配置
针无
1
2
3
符号
B
E
C
描述
BASE
辐射源
集热器
单位：mm
维
2.0ⅹ1.25, 1.0t
2.0ⅹ1.25, 1.0t
1.6ⅹ0.8, 0.8t
□
h
FE
分类
记号
h
FE
AG1
AG2
125 300 80160
□
可用软件包
产品
THN4201U
THN4201Z
THN4201E
包
SOT-323
SOT-343
SOT-523
□
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
P
T
T
英镑
T
J
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
储存温度
工作结温
评级
15
6
2.5
35
150
-65 ~ 150
150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
注意：静电敏感器件
1
THN4201系列
□
电气特性
( T
A
= 25
℃
)
价值
符号
I
CBO
集电极截止电流
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
f
T
C
CB
|S
21
|
2
参数
测试条件
V
CB
= 10 V，I
E
= 0毫安
V
CE
= 6 V，I
B
= 0毫安
分钟。
-
-
-
80
-
-
7.5
6
12
12
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
200
16.5
0.48
9.5
8.5
13.5
13
1.5
1.7
0.04
0.05
10
8.5
马克斯。
0.5
5
0.5
300
-
-
-
单位
uA
uA
uA
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
V
EB
= 1 V，I
C
= 0毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 15毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 20毫安
GHz的
pF
dB
集电极基极电容V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
插入功率增益
V
CE
= 3 V，I
C
= 15 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
最大可用增益
V
CE
= 3 V，I
C
= 15 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
-
-
dB
-
-
dB
-
-
-
-
dB
-
MAG
NFmin
最小噪声科幻gure
V
CE
= 3 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
rn
抗噪声能力
V
CE
= 3 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
G
A
相关的增益
V
CE
= 3 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
2
THN4201系列
总功率耗散，P
T
与T
A
I
C
与V
CE
250
50
200
40
180uA
140uA
P
T
[毫瓦]
I
C
[马]
150
30
100uA
20
60uA
100
50
10
I
B
=20uA
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
1
2
3
4
V
CE
[V]
T
A
[℃]
I
C
与V
BE
h
FE
与我
C
40
35
300
V
CE
= 3 V
V
CE
= 3 V
250
30
25
200
I
C
[马]
20
15
h
FE
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
150
100
10
5
0
50
0
1
10
100
V
BE
[V]
I
C
[马]
3
THN4201系列
最大可用增益， MAG与频率的关系
插入功率增益| S
21
|
2
与频率的关系
24
22
20
18
20
18
16
14
MAG （分贝）
|S
21
| [分贝]
16
14
12
10
8
6
0
0.5
1
V
CE
= 3 V
I
C
= 15毫安
12
10
8
6
4
2
0
V
CE
= 1 V
I
C
= 10毫安
2
V
CE
= 3 V
I
C
= 15毫安
V
CE
= 1 V
I
C
= 10毫安
1.5
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率[ GHz的]
频率[ GHz的]
最大可用增益， MAG与我
C
21
15
20
F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V
14
F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V
19
MAG （分贝）
18
V
CE
= 1 V
MAG （分贝）
13
17
12
V
CE
= 1 V
16
11
15
10
0
5
10
15
20
25
30
35
0
5
10
15
20
25
30
35
14
I
C
[马]
I
C
[马]
4
THN4201系列
过渡频率f
T
与我
C
C
CB
与V
CB
22
20
18
16
0.6
F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V
0.55
F = 1 MHz的
f
T
[千兆赫]
14
12
10
8
6
0
5
10
15
C
CB
[ pF的]
30
35
V
CE
= 1 V
0.5
0.45
20
25
0.4
0
2
4
6
8
10
I
C
[马]
V
CB
[V]
NF与我
C
V
CE
= 3 V，I
C
=参数，Z
S
= Z
SOPT
噪声系数轮廓&恒定增益
F = 1 GHz或2GHz的，V
CE
= 3 V，I
C
= 5毫安
3
F = 1GHz的
Γ
选择
=0.224∠96
NF = 1.05分贝
= 1.1分贝
= 1.2分贝
3个轮廓
2.5
G
A
= 13分贝
- 14分贝
- 15分贝
3个轮廓
NF （分贝）
2
F = 2 GHz的
1.5
G
A
= 10
dB
- 9分贝
- 8分贝
3
t
F = 2GHz的
Γ
选择
=0.330∠-166
NF = 1.45分贝
= 1.5分贝
= 1.6分贝
3个轮廓
1
F = 1 GHz的
0.5
0
5
10
15
20
25
30
I
C
[马]
5
THN4201系列
SOT 523
以毫米单位
NPN硅锗RF晶体管
□
应用
低噪声放大器和宽带放大器高达GHz的范围
□
特点
o低噪声图
NF = 1.5 dB典型值。 @ F = 2千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 5毫安
NF = 1.7 dB典型值。 @ F = 2千兆赫，V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安
o高增益
MAG为10.5 dB典型值。 @ F = 2千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 20毫安
MAG = 8.5 dB典型值。 @ F = 2千兆赫，V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安
o高转换频率
f
T
= 16.5 GHz的典型。 @ V
CE
= 3 V，I
C
= 20毫安
引脚配置
针无
1
2
3
符号
B
E
C
描述
BASE
辐射源
集热器
单位：mm
维
2.0ⅹ1.25, 1.0t
2.0ⅹ1.25, 1.0t
1.6ⅹ0.8, 0.8t
1.4ⅹ0.8, 0.6t
□
可用软件包
产品
包
SOT323
SOT343
SOT523
SOT623F
□
h
FE
分类
记号
h
FE
AG1
AG2
125 300 80160
THN4201U
THN4201Z
THN4201E
THN4201KF
□
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
P
T
T
英镑
T
J
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
储存温度
工作结温
评级
15
6
2.5
35
150
-65 ~ 150
150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
注意：静电敏感器件
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THN4201系列
□
电气特性
( T
A
= 25
℃
)
价值
符号
I
CBO
集电极截止电流
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
f
T
C
CB
|S
21
|
2
参数
测试条件
V
CB
= 10 V，I
E
= 0毫安
V
CE
= 6 V，I
B
= 0毫安
分钟。
-
-
-
80
-
-
7.5
6
8.5
8
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
200
16.5
0.48
8.4
7.5
10.3
9.5
1.5
1.7
0.04
0.05
8
7
马克斯。
0.5
5
0.5
300
-
-
-
单位
uA
uA
uA
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
V
EB
= 1 V，I
C
= 0毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 15毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 20毫安
GHz的
pF
dB
集电极基极电容V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
插入功率增益
V
CE
= 3 V，I
C
= 15 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
最大可用增益
V
CE
= 3 V，I
C
= 15 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
-
-
dB
-
-
dB
-
-
-
-
dB
-
MAG
NFmin
最小噪声科幻gure
V
CE
= 3 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
rn
抗噪声能力
V
CE
= 3 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
G
A
相关的增益
V
CE
= 3 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
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THN4201系列
总功率耗散，P
T
与T
A
I
C
与V
CE
250
50
200
40
180uA
140uA
P
T
[毫瓦]
I
C
[马]
150
30
100uA
20
100
60uA
50
10
20uA
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
1
2
3
4
V
CE
[V]
环境温度，T
A
[℃]
I
C
与V
BE
h
FE
与我
C
40
35
300
V
CE
= 3 V
V
CE
= 3 V
250
30
200
25
20
15
100
10
5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
50
I
C
[马]
h
FE
150
0
1
10
100
V
BE
[V]
I
C
[马]
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THN4201系列
最大可用增益， MAG与频率的关系
插入功率增益| S
21
|
2
与频率的关系
24
22
20
20
18
16
|S
21
|
2
[分贝]
18
MAG （分贝）
16
14
12
10
8
6
0.0
V
CE
= 3 V
I
C
= 15毫安
V
CE
= 3 V
I
C
= 15毫安
14
12
10
8
6
4
V
CE
= 1 V
I
C
= 10毫安
V
CE
= 1 V
I
C
= 10毫安
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
频率[ GHz的]
频率[ GHz的]
最大可用增益， MAG与我
C
14
F = 2 GHz的
12
V
CE
= 3 V
插入功率增益| S
21
|
2
与我
C
12
F = 2 GHz的
10
V
CE
= 3 V
MAG （分贝）
10
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
|S
21
| [分贝]
8
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
2
8
6
6
4
4
0
5
10
15
20
25
30
35
2
0
5
10
15
20
25
30
35
I
C
[马]
I
C
[马]
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过渡频率f
T
与我
C
C
CB
与V
CB
22
20
18
0.6
F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V
0.55
F = 1 MHz的
14
12
10
8
6
0
5
10
15
C
CB
[ pF的]
30
35
f
T
[千兆赫]
16
V
CE
= 1 V
0.5
0.45
0.4
20
25
0
2
4
6
8
10
I
C
[马]
V
CB
[V]
NF与我
C
V
CE
= 3 V，I
C
=参数，Z
S
= Z
SOPT
噪声系数轮廓&恒定增益
F = 1 GHz或2GHz的，V
CE
= 3 V，I
C
= 5毫安
3
F = 1GHz的
Γ
选择
=0.224∠96
FMIN = 1.05分贝
=1.1dB
=1.2dB
3个轮廓
2.5
Ga=13dB
=14dB
=15dB
3contour
NF （分贝）
2
F = 2 GHz的
1.5
Ga=10dB
=9dB
=8dB
3contour
F = 2GHz的
Γ
选择
=0.330∠-166
FMIN = 1.45分贝
=1.5dB
=1.6dB
3个轮廓
1
F = 1 GHz的
0.5
0
5
10
15
20
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I
C
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