东芝
THM72V2010AG/ATG-60/70
初步
2,097,152字× 72位的动态RAM模块
描述
该THM72V2010AG / ATG是2,097,152字由组装9个TC51V17800ANJ / ANT的72位动态RAM模块
在印刷电路板上。这个模块是为应用优化，以所需要的高密度，大容量的系统
如计算机的主存储器和图像存储器系统，以及它们所需的尺寸紧凑的其他人。
特点
2,097,152字由72位组织
快速存取时间和周期时间
3.3V单电源供电
±
5%
低功耗
- 4,095mW MAX 。操作
- （ THMxxxxxx -60 ）
- 3,470mW MAX 。操作
- （ THMxxxxxx -70）
- 50.4mW MAX 。待机
读 - 修改 - 写， CAS RAS刷新之前，
RAS-只刷新，刷新隐藏，和快速
页面模式功能
所有输入和输出TTL兼容
2048刷新周期/ 32ms的
包装： 168PIN金触点
THM72V2010AG-x
SOJ型
THM72V2010ATG-x
TSOP类型
主要参数
-60
t
RAC
t
AA
RAS接入
时间
COLUMN
地址
存取时间
CAS访问
时间
周期
快速页
循环模式
时间
60ns
-70
PD0
70ns
PD1
PD2
35ns
40ns
PD3
PD4
20ns
25ns
PD5
PD6
PD7
40ns
45ns
ID0
ID1
-60
“H”
“L”
“L”
“H”
“L”
“H”
“H”
“L”
V
SS
V
SS
-70
“H”
“L”
“L”
“H”
“L”
“L”
“H”
“L”
V
SS
V
SS
t
CAC
t
RC
t
PC
110ns的为130ns
注意， “H”：高级别（缓冲）
“L” ：低电平（缓冲）
1.本技术资料可在美国出口管理条例控制，可能会受到美国商业部出口前批准。任何出口或再出口，直接或间接
rectly ，违反了美国出口管理条例中被严格禁止的。
2.生命支持政策
本文档中描述的东芝产品无东芝美国科幻CER的相应的书面同意，未经授权用作生命维持系统中的关键部件，公司生命支持系
TEMS是用于外科手术植入体内或系统，维持生命或者系统。
在生命支持系统，其未履行可能导致生命保障系统发生故障，或可能影响其安全性或有效性的任何组成部分的一个关键组成部分。
3.本文档中的信息已经过仔细检查，被认为是可靠的;但不承担任何责任，可以假设可能不被抓到不准确。在这本书的数据的所有信息
如有更改，恕不另行通知。此外，东芝公司不承担根据东芝的专利权或任何第三方使用任何牌照责任。
东芝美国电子元件有限公司
.
1
THM72V2010AG/ATG-60/70
引脚名称
B 0， A 0 9，
A10R
DQ0 71
RAS0 ， 2
CAS0 ， 4
WE0 ， 2
OE0 ， 2
V
CC
V
SS
PD0 - 7
ID0 ， 1
NC
地址输入
数据输入/输出
行地址选通
列地址选通
写使能
OUTPUT ENABLE
电源（ + 3.3V ）
地
存在检测引脚
ID位
无连接
标准型DRAM
DM16050295
引脚连接（顶视图）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
V
SS
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
V
CC
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
V
SS
DQ45
DQ46
DQ47
DQ48
DQ49
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
V
CC
102
V
CC
35
A4
A6
A8
NC
V
CC
NC
NC
V
SS
OE2
119
120
121
123
124
125
126
127
128
A5
A7
A9
NC
NC
V
CC
NC
B0
V
SS
NC
NC
NC
NC
PDE
V
CC
NC
NC
52 DQ18 136 DQ54 69 DQ28 153 DQ64
53 DQ19 137 DQ55 70 DQ29 154 DQ65
54
V
SS
138
V
SS
71 DQ30 155 DQ66
V
CC
157
V
CC
55 DQ20 139 DQ56 72 DQ31 156 DQ67
56 DQ21 140 DQ57 73
57 DQ22 141 DQ58 74 DQ32 158 DQ68
58 DQ23 142 DQ59 75 DQ33 159 DQ69
59
61
62
63
64
V
CC
NC
NC
NC
NC
143
145
146
147
148
V
CC
NC
NC
NC
NC
76 DQ34 160 DQ70
78
79
80
81
V
SS
PD0
PD2
PD4
PD6
ID0
V
CC
162
163
164
165
166
167
168
V
SS
PD1
PD3
PD5
PD7
ID1
V
CC
60 DQ24 144 DQ60 77 DQ35 161 DQ71
DQ14 103 DQ50 36
DQ15 104 DQ51 37
DQ17 106 DQ53 39
V
SS
NC
NC
V
CC
WE0
NC
OE0
V
SS
A0
A2
107
108
109
110
111
113
115
116
117
118
V
SS
NC
NC
V
CC
NC
NC
NC
NC
NC
V
SS
A1
A3
40
41
42
43
44
DQ16 105 DQ52 38 A10R 122
CAS0 112
RAS0 114
45 RAS2 129
46 CAS4 130
47
48
49
50
51
NC
WE2
V
CC
NC
NC
131
132
133
134
135
65 DQ25 149 DQ61 82
66 DQ26 150 DQ62 83
67 DQ27 151 DQ63 84
68
V
SS
152
V
SS
2
东芝美国电子元件有限公司
.
初步
DM16050295
标准型DRAM
THM72V2010AG/ATG-60/70
直流电气特性（V
CC
= 3.3V
±
5 ％以下，Ta = 070
°
C)
符号
|
CC1
参数
工作电流
平均供电工作电流
（ RAS ， CS ，地址自行车：吨
RC
=t
RC
分）
待机电流
电源的待机电流
（ RAS CAS = = V
IH
)
RAS只刷新当前
平均供电电流， RAS Only模式
（ RAS骑自行车， CAS = V
IH
: t
RC
=t
RC
分）
快页模式电流
平均供电电流，快速页模式
（ RAS = V
IL
中国科学院，地址单车：吨
PC
=t
PC
分）
待机电流
电源的待机电流
（ RAS CAS = = V
CC
-0.2V)
CAS前RAS刷新当前
平均供电电流， CAS之前， RAS模式
（ RAS ， CAS自行车：吨
RC
=t
RC
分）
输入漏电流
输入漏电流，任何输入
(0V
≤
V
IN
≤
V
CC
，所有其他引脚不在测试= 0V ）
输出漏电流
(D
OUT
被禁用， （ 0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
)
输出电平
输出为“H”电平的电压（Ⅰ
OUT
= -2mA ）
输出电平
输出“L”电平电压（我
OUT
=2mA)
THMxxxxxx-60
THMxxxxxx-70
THMxxxxxx-60
THMxxxxxx-70
THMxxxxxx-60
THMxxxxxx-70
THMxxxxxx-60
THMxxxxxx-70
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-10
最大
1180
1000
19
1180
1000
685
595
14.5
1180
1000
10
mA
3
,
5
mA
mA
3
,
5
mA
单位
记
3, 4
5
|
CC2
mA
|
CC3
|
CC4
3, 4
5
|
CC5
mA
|
CC6
|
I（L）
|
O（ L）
V
OH
V
OL
A
A
V
V
-10
2.4
-
10
-
0.4
电容（ V
CC
= 3.3V
±
5 ％ ， F = 1MHz的，TA = 0 70
°
C)
符号
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
C
I6
C
DQ
参数
输入电容（ B0 ， A0 A9 ， A10R ）
输入电容（ WE0 ， 2 ）
输入电容（ RAS0 ， 2 ）
输入电容（ CAS0 ， 4 ）
输入电容（ OE0 ， 2 ）
输入电容（ PDE ）
I / O电容（ DQ0 71 ）
民
-
-
-
-
-
-
-
最大
13
10
33
10
10
13
30
P
F
单位
初步
东芝美国电子元件有限公司
.
5
QQ：2880707522 复制
