THB6128
测试板½用说明
-
端子说明
⑴CP + :脉冲信号输入正端。
⑵CP- :脉冲信号输入负端。
⑶U/D+:电机正、反½控制正端。
⑷U/D-:电机正、反½控制负端。
⑸FREE + :电机脱机控制正端。
⑹FREE- :电机脱机控制负端。
信号输入端:
电机绕组连接:
⑴OUT2B:连接电机绕组
B
相。
⑵OUT1B:连接电机绕组
B-相。
⑶OUT2A:连接电机绕组
A
相。
⑷OUT1A:连接电机绕组
A-相。
工½电压的连接:
⑴VM :连接直流电源正。
GNDとに接続したコンデン
输入信号接口
输入信号共有三路,它们是:①步进脉冲信号
CP + , CP- ; ②方向电平信号U / D + ,U / D-
,
③脱机信号
免费+ , FREE- 。它们在驱动器内部的接口电路相同(见
输入信号接口电路图
)
相互独立。
输入信号+
R
500Ω
测试板内部
光耦
测试板外部
输入信号
输入信号接口电路
该输入信号接口的特点是:用户可根据需要采用共阳极接法或共阴极接法。
1、
共阳极接法:分别将
CP+,U/D+,FREE+连接到控制系统的电源上,如果此电源是+5V
则可直接接入,如果此电源大于+5V,则须外部另加限流电阻
R,保证给驱动器内部光
藕提供
8—15mA
的驱动电流。输入信号通过
CP-加入。此时,U/D-,FREE-在½电平时
起½用。
2、
共阴极接法:分别将
CP-, U / D-, FREE-连接到控制系统的地端( SGND ,与电源地隔
离)
,+5V 的输入信号通过
CP+加入。此时,U/D+,FREE+在高电平时起½用。限流电
阻
R
的解释与共阳极接法相同
细分数设定
细分数是用测试板上的拨盘开关设定的,
只须根据细分设定表上的提示设定即可。
细分
后步进电机步距角按下列方法计算 步距角=电机固有步距角/细分数。例如:一台
1.8°
/40=0.045°
½
1,2,3
ON=0,OFF=1
细分数
000
1
001
2
010
4
011
8
100
16
101
32
110
64
111
128
电机相电流设定
电机相电流是用测试板上的电½器(VREF)来设定,½驱动器输出电流与电机相电流
相一至。驱动器额定工½最大电流为
2A。
电流衰减方式设定
通过FDT端子的电压,依据下表可选择电流衰减方式。
FDT电压
3.5V½
1.1V½3.1V
=打开
½0.8V
衰变方式
慢衰减
混合衰减
快速衰减
HHBY
THB6128
THB6128
高细分两相混合式步进电机驱动芯片
高细分两相混合式步进电机驱动芯片
两相混合式步进电机驱动
THB6128
THB6128
特性:
一、 特性:
●
●
●
●
●
●
双全桥 MOSFET 驱动,½导通电阻 Ron=0.55Ω
最高耐压36VDC ,大电流2.2A (峰值)
多种细分可选(1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128)
自动半流锁定功½
快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式可选
内½温度保护及过流保护
二、
管脚图
管脚图
:
VREG2
VM
NFA
OUT1A
OUT2A
VMA
VMB
OUT1B
OUT2B
NFB
稳压器2
输出前阶段
输出前阶段
输出前阶段
输出前阶段
保护地
A
保护地
B
MO
VREG1
稳压器1
输出控制逻辑
VREF
目前的选择
电路
目前的选择
电路
DOW
N
振荡器
衰减模式
设置电路
TSD
SGND
ISD
ST
OSC
2
M1
M2
M3
CW CLK
/CC
W
RESE
启用
T
FDT
OSC
1
-1-
2009 年 03 月
HHBY
五、 ½用说明
1、细分设定(M1、M2、M3)
细分定(M1、M2、M3)
M1
L
H
L
H
L
H
L
H
M2
L
L
H
H
L
L
H
H
M3
L
L
L
L
H
H
H
H
THB6128
THB6128
细分数
1
1/2
1/4
1/8
1/16
1/32
1/64
1/128
2、衰减模式设定
PFD 为衰减方式控制端,调节此端电压可以选择不同的衰减方式,从而获得更½的驱动效
果。
VPFD
3.5<VPFD<VCC
1.1V<VPFD<3.1V
VPFD<0.8V
**混合式衰减模式中,80%为慢衰减,20%为快衰减。
衰减方式
慢衰减模式
混合式衰减模式
快衰减模式
3、电流设定
VREF电流设定端,调整此端电压即可设定驱动电流值
Io(100%)=VREF*(1/5)*(1/Rs)
RS为NFA (B )外接检测电阻
(例) VREF = 1.5V ,卢比电阻为0.3Ω时,设定电流为:
IOUT = ( 1.5V / 5 ) / 0.3Ω = 1.0A
4、待机功½
待机功½
ST/VCC 端子为½电平时,THB6128 进入待机模式,所有的逻辑被重½,关断输出。ST/VCC
端子为高电平时芯片恢复正常工½模式。待机时芯片以极½功耗工½(200uA)
。
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2009 年 03 月
HHBY
THB6128
高细分两相混合式步进电机驱动芯片
THB6128
一、 特性:
●
●
●
●
●
●
双全桥 MOSFET 驱动,½导通电阻 Ron=0.55Ω
最高耐压36VDC ,大电流2.2A (峰值)
多种细分可选(1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128)
自动半流锁定功½
快衰、慢衰、合式衰减三种衰减方式可选
内½温度保护及过流保护
二、
管脚图
:
北京博远鼎盛电子科技有限公司
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2009 年 03 月
HHBY
五、 ½用说明
1、细分设定(M1、M2、M3)
M1
L
H
L
H
L
H
L
H
M2
L
L
H
H
L
L
H
H
M3
L
L
L
L
H
H
H
H
THB6128
细分数
1
1/2
1/4
1/8
1/16
1/32
1/64
1/128
2、衰减模式设定
PDT 为衰减方式控制端,调节此端电压可以选择不同的衰减方式,从而获得更½的驱动效
果。
VFDT
3.5<VPDT<VCC
1.1V<VPDT<3.1V
VPDT<0.8V
衰减方式
慢衰减模式
混合式衰减模式
快衰减模式
3、电流设定
VREF电流设定端,调整此端电压即可设定驱动电流值
Io(100%)=VREF*(1/5)*(1/Rs)
RS为NFA (B )外接检测电阻
(例) VREF = 1.5V ,卢比电阻为0.3Ω时,设定电流为:
IOUT = ( 1.5V / 5 ) / 0.3Ω = 1.0A
4、待机功½(Standby)
ST/VCC 端子为 Low 时,IC 进入待机模式,所有的逻辑被重½,输出为 OFF。ST/VCC 端子
为高时解除待机模式。
5 , CLK脉冲输入端
输入
芯片工½状态
ST / VCC
L
H
H
CLK
*
待机状态
输出励磁步骤
输出励磁步骤
北京博远鼎盛电子科技有限公司
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2009 年 03 月