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NAND闪存（ SLC大容量）

NAND闪存SLC大容量产品列表

块大小： 256K

节目

存取时间

容量

位

TECH 。

节点

页面

SIZE

位

块

SIZE

位

动力

供应

操作

温度

°C

I / O

包

产品型号

串行

周期

民

2.7

4096

+232

256K

+14.5K

1.70

1.95

2.7

16G

8Gx2

4096

+232

256K

+14.5K

1.70

1.95

32G

8Gx4

4096

+232

256K

+14.5K

2.7

3.6

-40

TSOP I 48 -P- 1220-

0.50C

TH58NVG5S0FTAK0 25

300

TH58NVG5S0FTA20 25

300

-40

P-TFBGA63-1011-

0.80-001

TH58NYG4S0FBAID 25

300

3.6

TH58NVG4S0FBAID 25

300

TSOP I 48 -P- 1220-

0.50C

TH58NVG4S0FTAK0 25

300

TH58NVG4S0FTA20 25

300

-40

P-TFBGA63-1011-

0.80-001

TC58NYG3S0FBAID 25

300

3.6

TC58NVG3S0FBAID 25

300

TSOP I 48 -P- 1220-

0.50

TC58NVG3S0FTAI0

300

TC58NVG3S0FTA00 25

300

1st

ACCESS

典型值

/擦除时间

典型值。

节目

时间

μs

抹去

时间

返回页首

[ 2012年8月16日上午十时20分○○秒]

东芝机密

暂定

TH58NVG5S0FTA20

东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS

32吉比特（ 4G

8位）的CMOS NAND PROM

描述

该TH58NVG5S0F是一个单一的3.3V 32千兆位（ 36305895424位）NAND电可擦除和

可编程只读存储器（ NAND

PROM ）组织为（ 4096

232 ）字节

64页

16384块。

该设备有两个4328字节的静态寄存器，允许程序和读取之间要传送的数据

寄存器和在4328字节增量的存储单元阵列。擦除操作是在一个程序段实现

单元（ 256千字节

14.5千字节： 4328字节

64页）。

该TH58NVG5S0F是，它利用了I / O管脚对地址和数据的串行型存储设备

输入/输出，以及用于命令输入。在擦除和编程操作自动执行制作

该装置的应用，如固态的文件存储，语音记录，图像文件存储用于静止最合适

相机和其他系统需要高密度的非易失性存储器中的数据存储。

特点

组织

存储单元阵列

PAGE SIZE

BLOCK SIZE

4328

256K

4328

4328字节

(256K

14.5K ）字节

模式

阅读，复位，自动页面编程，自动块擦除，状态读取，页复印，

多页编程，多块擦除，多页复印，多页读

模式控制

串行输入/输出

指挥控制

有效块数

闽16064块

最大16384块

电源

2.7V至3.6V

存取时间

注册单元阵列

串行读周期

编程/擦除时间

自动页编程

自动块擦除

工作电流

阅读（ 25 ns的周期）

计划（平均）

擦除（平均）

待机

最大

25 ns（最小值）（ CL = 100pF的）

300

μS/页

典型值。

3毫秒/块（典型值）。

mA（最大值） 30 。

30毫安MAX

200

最大

包

TSOP I 48 -P- 1220-0.50C

4位的ECC为每个512字节是必需的。

2010-12-13C

东芝机密

引脚配置（顶视图）

TH58NVG5S0FTA20

RY / BY

CE 1

CE 2

CLE

ALE

TH58NVG5S0FTA20

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

PSL

I/O4

I/O3

I/O2

I/O1

PINNAMES

I / O1到I / O8

I / O端口

芯片使能（片上A ， B）

芯片使能（芯片C，D ）

写使能

读使能

命令锁存使能

地址锁存使能

电源选择

写保护

就绪/忙（芯片A，B ）

就绪/忙（芯片C，D ）

电源

地

CLE

ALE

PSL

RY / BY 1

RY / BY 2

2010-12-13C

东芝机密

框图

TH58NVG5S0FTA20

（片上A ， B）

状态寄存器

I/O1

I/O8

I / O

控制电路

地址寄存器

柱缓冲液

列解码器

命令寄存器

数据寄存器

SENSE AMP

CLE

ALE

PSL

RY / BY 1

RY / BY

高压发生器

逻辑控制

控制电路

行地址译码器

行地址缓冲器

解码器

存储单元阵列

状态寄存器

地址寄存器

I / O

控制电路

命令寄存器

柱缓冲液

列解码器

数据寄存器

SENSE AMP

行地址译码器

行地址缓冲器

解码器

CE 2

逻辑控制

控制电路

存储单元阵列

RY / BY 2

RY / BY

高压发生器

（芯片C，D ）

2010-12-13C

东芝机密

绝对最大额定值

符号

I / O

SOLDER

英镑

OPR

电源电压

输入电压

输入/输出电压

功耗

焊接温度（ 10秒）

储存温度

工作温度

等级

TH58NVG5S0FTA20

价值

0.6 4.6

0.6 V

0.3

单位

°C

(

≤

4.6 V)

0.3

260

55 150

0到70

电容

* （大

25 ° C，F

1兆赫）

SYMB0L

OUT

参数

输入

产量

条件

0 V

OUT

0 V

民

最大

单位

此参数是周期性采样，而不是对每个设备进行测试。

2010-12-13C

东芝机密

有效块

符号

注意：

参数

有效块数

民

16064

TH58NVG5S0FTA20

典型值。

最大

16384

单位

块

该设备偶尔无法使用包含块。参阅应用说明（13）朝向该文件的结束。

的第一个块（块0）是保证是在装运时的有效块。

本说明书中为有效块的最小数目是适用的整个寿命期间

有效块的数目是单平面的操作的基础上，并且这可以用两个平面被降低

操作。

建议的直流工作条件

符号

参数

民

典型值。

最大

单位

电源电压

2.7

3.6

高电平输入电压

2.7 V

≤

3.6 V

VCC ×0.8

0.3

低电平输入电压

2 V （脉冲宽度小于20纳秒）

2.7 V

≤

3.6 V

0.3

VCC ×0.2

DC特性

（大

0 70 ℃ ，V

2.7至3.6V ）

符号

参数

输入漏电流

输出漏电流

条件

0 V至V

OUT

0 V至V

PSL = GND或NU

CCO0 * 1

上电复位电流

PSL = V

， FFH后输入命令

电源

, I

OUT

0毫安， TCYCLE

25纳秒

民

典型值。

最大

单位

200

CCO 1 * 2

CCO 2 * 2

CCO3 * 2

CCS

串行读取电流

编程电流

写电流

待机电流

0.2 V ， WP

0 V/V

PSL = 0 V / V

/ NU

高电平输出电压

0.4毫安

2.4

低电平输出电压

2.1毫安

0.4

（ RY / BY ）

RY / BY的输出电流

0.4 V

针

* 1请参考应用笔记（ 2 ）查看详细

* 2 Icco1 / 2/3为一小块的值，并且未选择的芯片处于待机模式。

2010-12-13C