TH50VSF2582/2583AASB
暂定
东芝多芯片集成电路硅栅CMOS
SRAM和闪存混合多芯片封装
描述
该TH50VSF2582 / 2583AASB是含有4194304位全CMOS SRAM和一个混合多芯片封装
33554432位快闪存储器。首席信息官和CIOF输入可用于选择最佳的内存配置。
为TH50VSF2582电源/ 2583AASB范围可以从2.7 V至3.6 V的TH50VSF2582 / 2583AASB
可以执行它的快闪存储器同时读/写操作，并且可以在一个69引脚BGA封装，
使其适合于各种应用。
特点
电源电压
V
CCS
=
2.7 V~3.6 V
V
CCF
=
2.7 V~3.6 V
数据保持电源电压
V
CCS
=
1.5 V~3.6 V
消耗电流
工作45 mA（最大值） （ CMOS电平）
待机： 7
A
最大（ SRAM CMOS电平）
待机： 10
A
最大（闪存CMOS电平）
块擦除架构闪存
8 KB的8块
64字节63块
组织
CIOf
V
CC
V
CC
V
SS
首席信息官
V
CC
V
SS
V
SS
FL灰内存
16位2097152字
16位2097152字
8位4194304字
SRAM
16位262,144字
8位524,288字
8位524,288字
功能模式控制的快闪记忆体
兼容JEDEC标准的命令
快闪记忆功能
同时读/写操作
自动编程
汽车芯片擦除，自动块擦除
自动多块擦除
计划暂停/恢复
块擦除挂起/恢复
数据轮询/触发位功能
块保护/引导块保护
支持自动休眠和隐藏的ROM区
通用闪存接口（ CFI ）
字节/字模式
擦除和编程闪存
10
5
周期（典型值）
闪存引导块架构
TH50VSF2582AASB ：顶引导块
TH50VSF2583AASB ：底部启动块
包
P- FBGA69-1209-0.80A3 ：0.49克（典型值）。
引脚分配
（ TOP VIEW ）
CIOf
=
V
CC
，首席信息官
=
V
CC
(×16,
×16)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
A0~A21
A12S
A12F
SA
DQ0~DQ15
地址输入
A12输入的SRAM
A12输入闪存
A18输入的SRAM
数据输入/输出
芯片使能输入闪存
输出使能输入
写使能输入
数据字节控制输入
READY / BUSY输出
硬件复位输入
写保护/程序输入加速度
字能输入的SRAM
字能输入闪存
电源的SRAM
电源的闪存
地
没有连接
不要使用
000707EBA2
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
NC
NC
NC
A3
A2
NC
NC
A1
A0
持续进修基金
CE1S
A7
A6
A5
A4
V
SS
OE
DQ0
DQ8
NC
NC
NC
NC
CE1S ， CE2S芯片使能输入的SRAM
持续进修基金
OE
LB
UB
A18
A17
DQ1
DQ9
DQ10
DQ2
WP / ACC
RESET
WE
CE2S
A20
A8
A19
A9
A10
DQ6
A11
A12
A13
A14
DU
A15
NC
NC
A16
NC
NC
WE
LB
， UB
RY / BY
RESET
WP / ACC
首席信息官
CIOf
V
CCS
V
CCF
NC
NC
V
SS
NC
DU
RY / BY
DQ3
V
CCF
DQ11
DQ4
DQ13 DQ15 CIOF
DQ7
DQ14
V
SS
V
CCS
DQ12
首席信息官
DQ5
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。它的责任
买方，利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并
为避免出现此类东芝产品的故障或失效可能导致人的生命，人身伤害或损失
财产损失。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围用作规定
最近东芝的产品规格。另外，请记住载于“处理的注意事项和条件
导半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能
控制仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
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TH50VSF2582/2583AASB
引脚分配
（ TOP VIEW ）
CIOf
=
V
CC
，首席信息官
=
V
SS
(×16,
×8)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
NC
NC
NC
A3
A2
NC
NC
A1
A0
持续进修基金
CE1S
A7
A6
A5
A4
V
SS
OE
DQ0
DQ8
NC
NC
DU
DU
A18
A17
DQ1
DQ9
DQ10
DQ2
DQ3
V
CCF
DQ11
DQ4
WP / ACC
RESET
NC
NC
WE
CE2S
A20
A8
A19
A9
A10
DQ6
A11
A12
A13
A14
SA
A15
NC
NC
A16
NC
NC
RY / BY
DQ13 DQ15 CIOF
DQ7
DQ14
NC
NC
V
SS
V
CCS
DQ12
首席信息官
DQ5
CIOf
=
V
SS
，首席信息官
=
V
SS
(×8,
×8)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
NC
NC
NC
A3
A2
NC
NC
A1
A0
持续进修基金
CE1S
A7
A6
A5
A4
V
SS
OE
DQ0
DU
NC
NC
DU
DU
A19
A18
DQ1
DU
DU
DQ2
DQ3
V
CCF
DU
DQ4
V
CCS
首席信息官
WP / ACC
RESET
NC
NC
WE
CE2S
A21
A8
A20
A9
A10
DQ6
DU
DU
DQ5
A11
A13
A14
A15
A12S
A12F
DQ7
DU
NC
NC
A16
NC
NC
A17
CIOf
V
SS
NC
NC
RY / BY
注意： A12F和A12S应连接在一起，并用作单个A12管脚。
000707EBA2
本文档中介绍的产品都受到外汇和外国贸易法。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担
东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其
使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式
其他人。
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
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TH50VSF2582/2583AASB
命令序列
公共汽车
命令
顺序
写
周期
职位月薪
1
字
字节
字
ID读
字节
字
字节
节目暂停
节目简历
汽车芯片
抹去
汽车座
抹去
字
字节
字
字节
1
1
4
字
3
字节
快速的程序
SET
快速的程序
快速的程序复位
隐藏的ROM
模式进入
隐藏的ROM
节目
隐藏的ROM
抹去
隐藏的ROM
模式退出
字
字节
字
字节
字
字节
字
字节
字
2
字节
4
6
4
字
字节
2
2
3
AAAH
555H
AAAH
XXXh
XXXh
555H
AAAH
555H
AAAH
555H
AAAH
555H
AAAH
BK
BK
(3)
第一巴士
写周期
地址。
XXXh
555H
AAAH
555H
数据
F0H
AAH
第二巴士
写周期
地址。
数据
第三巴士
写周期
地址。
数据
四巴士
写周期
地址。
数据
第五公交车
写周期
地址。
数据
第六巴士
写周期
地址。
数据
读/复位
读/复位
3
2AAH
555H
2AAH
55H
555H
AAAH
BK
(3)
F0H
RA
(1)
RD
(2)
+
+
90H
IA
(4)
3
AAAH
555H
AAAH
1
1
6
BK
BK
(3)
(3)
AAH
555H
2AAH
555H
B0H
30H
AAH
2AAH
555H
AAH
B0H
30H
60H
BPA
(9)
55H
555H
BK
(3)
ID
(5)
AAAH
55H
555H
AAAH
A0H
PA
(6)
自动编程
4
AAH
PD
(7)
555H
AAAH
55H
555H
AAAH
80H
555H
AAAH
AAH
2AAH
555H
55H
555H
AAAH
10H
6
555H
AAAH
BK
BK
(3)
(3)
2AAH
555H
55H
555H
AAAH
80H
555H
AAAH
AAH
2AAH
555H
55H
BA
(8)
30H
块擦除挂起
块擦除简历
块保护
XXXh
555H
60H
XXXh
BK
+
555H
(3)
(3)
40H
BPA
(9)
BPD
(10)
验证座
保护
2AAH
AAH
555H
2AAH
555H
A0H
90H
AAH
PA
(6)
55H
BK
+
90H
BPA
(9)
BPD
(10)
AAAH
55H
PD
F0H
(7)
3
AAH
555H
AAAH
20H
XXXh
2AAH
555H
(13)
55H
555H
AAAH
88H
(6)
(7)
AAH
2AAH
555H
55H
555H
AAAH
A0H
PA
PD
AAH
2AAH
555H
55H
555H
AAAH
80H
555H
AAAH
AAH
2AAH
555H
55H
BA
(8)
30H
AAH
2AAH
555H
55H
555H
AAAH
90H
XXXh
00H
+
+
98H
CA
(11)
询问
命令
55H
(3)
CD
(12)
AAH
注：系统应生成以下地址模式：
字模式： 555H或2AAH上地址引脚A10 A0
字节模式： AAAH或555H的地址引脚A10 A0 ， A12F
DQ8 DQ15都被忽略在Word模式。
字节模式时， V
IL
被输入到CIOF和地址
在A21 A0
写模式时， V
IH
被输入到CIOF和地址
在A20 A0
有效地址为A10 A0命令输入时。
（ 1 ） RA ：读地址
（ 6 ） PA ：程序地址
（ 2 ） RD ：读数据
（ 7 ） PD ：程序数据
（ 3 ） BK ：银行地址
=
A20~A15
（ 4 ）执行机构：银行地址和ID读地址（ A6 ， A1 ， A0 ） （ 8 ） BA ：块地址
=
A20~A12
（ 9 ） BPA ：块地址和ID读地址（ A6 ， A1 ， A0 ）
银行地址
=
A20~A15
制造商代码
=
(0, 0, 0)
块地址
=
A20~A12
器件代码
=
(0, 0, 1)
ID读地址
=
(0, 1, 0)
（ 5 ） ID： ID数据
（ 10 ） BPD ：验证数据
0098H - 制造商代码
（ 11 ） CA： CFI地址
009AH - 设备代码（ TH50VSF2582AASB ）
（ 12 ） CD ： CFI数据
009CH - 设备代码（ TH50VSF2583AASB ）
（ 13 ） F0H ： 00H是有效的过
0001H - 保护座
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TH50VSF2582/2583AASB
暂定
东芝多芯片集成电路硅栅CMOS
SRAM和闪存混合多芯片封装
描述
该TH50VSF2582 / 2583AASB是含有4194304位全CMOS SRAM和一个混合多芯片封装
33554432位快闪存储器。首席信息官和CIOF输入可用于选择最佳的内存配置。
为TH50VSF2582电源/ 2583AASB范围可以从2.7 V至3.6 V的TH50VSF2582 / 2583AASB
可以执行它的快闪存储器同时读/写操作，并且可以在一个69引脚BGA封装，
使其适合于各种应用。
特点
电源电压
V
CCS
=
2.7 V~3.6 V
V
CCF
=
2.7 V~3.6 V
数据保持电源电压
V
CCS
=
1.5 V~3.6 V
消耗电流
工作45 mA（最大值） （ CMOS电平）
待机： 7
A
最大（ SRAM CMOS电平）
待机： 10
A
最大（闪存CMOS电平）
块擦除架构闪存
8 KB的8块
64字节63块
组织
CIOf
V
CC
V
CC
V
SS
首席信息官
V
CC
V
SS
V
SS
FL灰内存
16位2097152字
16位2097152字
8位4194304字
SRAM
16位262,144字
8位524,288字
8位524,288字
功能模式控制的快闪记忆体
兼容JEDEC标准的命令
快闪记忆功能
同时读/写操作
自动编程
汽车芯片擦除，自动块擦除
自动多块擦除
计划暂停/恢复
块擦除挂起/恢复
数据轮询/触发位功能
块保护/引导块保护
支持自动休眠和隐藏的ROM区
通用闪存接口（ CFI ）
字节/字模式
擦除和编程闪存
10
5
周期（典型值）
闪存引导块架构
TH50VSF2582AASB ：顶引导块
TH50VSF2583AASB ：底部启动块
包
P- FBGA69-1209-0.80A3 ：0.49克（典型值）。
引脚分配
（ TOP VIEW ）
CIOf
=
V
CC
，首席信息官
=
V
CC
(×16,
×16)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
A0~A21
A12S
A12F
SA
DQ0~DQ15
地址输入
A12输入的SRAM
A12输入闪存
A18输入的SRAM
数据输入/输出
芯片使能输入闪存
输出使能输入
写使能输入
数据字节控制输入
READY / BUSY输出
硬件复位输入
写保护/程序输入加速度
字能输入的SRAM
字能输入闪存
电源的SRAM
电源的闪存
地
没有连接
不要使用
000707EBA2
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
NC
NC
NC
A3
A2
NC
NC
A1
A0
持续进修基金
CE1S
A7
A6
A5
A4
V
SS
OE
DQ0
DQ8
NC
NC
NC
NC
CE1S ， CE2S芯片使能输入的SRAM
持续进修基金
OE
LB
UB
A18
A17
DQ1
DQ9
DQ10
DQ2
WP / ACC
RESET
WE
CE2S
A20
A8
A19
A9
A10
DQ6
A11
A12
A13
A14
DU
A15
NC
NC
A16
NC
NC
WE
LB
， UB
RY / BY
RESET
WP / ACC
首席信息官
CIOf
V
CCS
V
CCF
NC
NC
V
SS
NC
DU
RY / BY
DQ3
V
CCF
DQ11
DQ4
DQ13 DQ15 CIOF
DQ7
DQ14
V
SS
V
CCS
DQ12
首席信息官
DQ5
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。它的责任
买方，利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并
为避免出现此类东芝产品的故障或失效可能导致人的生命，人身伤害或损失
财产损失。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围用作规定
最近东芝的产品规格。另外，请记住载于“处理的注意事项和条件
导半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能
控制仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
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TH50VSF2582/2583AASB
引脚分配
（ TOP VIEW ）
CIOf
=
V
CC
，首席信息官
=
V
SS
(×16,
×8)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
NC
NC
NC
A3
A2
NC
NC
A1
A0
持续进修基金
CE1S
A7
A6
A5
A4
V
SS
OE
DQ0
DQ8
NC
NC
DU
DU
A18
A17
DQ1
DQ9
DQ10
DQ2
DQ3
V
CCF
DQ11
DQ4
WP / ACC
RESET
NC
NC
WE
CE2S
A20
A8
A19
A9
A10
DQ6
A11
A12
A13
A14
SA
A15
NC
NC
A16
NC
NC
RY / BY
DQ13 DQ15 CIOF
DQ7
DQ14
NC
NC
V
SS
V
CCS
DQ12
首席信息官
DQ5
CIOf
=
V
SS
，首席信息官
=
V
SS
(×8,
×8)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
NC
NC
NC
A3
A2
NC
NC
A1
A0
持续进修基金
CE1S
A7
A6
A5
A4
V
SS
OE
DQ0
DU
NC
NC
DU
DU
A19
A18
DQ1
DU
DU
DQ2
DQ3
V
CCF
DU
DQ4
V
CCS
首席信息官
WP / ACC
RESET
NC
NC
WE
CE2S
A21
A8
A20
A9
A10
DQ6
DU
DU
DQ5
A11
A13
A14
A15
A12S
A12F
DQ7
DU
NC
NC
A16
NC
NC
A17
CIOf
V
SS
NC
NC
RY / BY
注意： A12F和A12S应连接在一起，并用作单个A12管脚。
000707EBA2
本文档中介绍的产品都受到外汇和外国贸易法。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担
东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其
使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式
其他人。
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
2001-10-25
2/50
TH50VSF2582/2583AASB
命令序列
公共汽车
命令
顺序
写
周期
职位月薪
1
字
字节
字
ID读
字节
字
字节
节目暂停
节目简历
汽车芯片
抹去
汽车座
抹去
字
字节
字
字节
1
1
4
字
3
字节
快速的程序
SET
快速的程序
快速的程序复位
隐藏的ROM
模式进入
隐藏的ROM
节目
隐藏的ROM
抹去
隐藏的ROM
模式退出
字
字节
字
字节
字
字节
字
字节
字
2
字节
4
6
4
字
字节
2
2
3
AAAH
555H
AAAH
XXXh
XXXh
555H
AAAH
555H
AAAH
555H
AAAH
555H
AAAH
BK
BK
(3)
第一巴士
写周期
地址。
XXXh
555H
AAAH
555H
数据
F0H
AAH
第二巴士
写周期
地址。
数据
第三巴士
写周期
地址。
数据
四巴士
写周期
地址。
数据
第五公交车
写周期
地址。
数据
第六巴士
写周期
地址。
数据
读/复位
读/复位
3
2AAH
555H
2AAH
55H
555H
AAAH
BK
(3)
F0H
RA
(1)
RD
(2)
+
+
90H
IA
(4)
3
AAAH
555H
AAAH
1
1
6
BK
BK
(3)
(3)
AAH
555H
2AAH
555H
B0H
30H
AAH
2AAH
555H
AAH
B0H
30H
60H
BPA
(9)
55H
555H
BK
(3)
ID
(5)
AAAH
55H
555H
AAAH
A0H
PA
(6)
自动编程
4
AAH
PD
(7)
555H
AAAH
55H
555H
AAAH
80H
555H
AAAH
AAH
2AAH
555H
55H
555H
AAAH
10H
6
555H
AAAH
BK
BK
(3)
(3)
2AAH
555H
55H
555H
AAAH
80H
555H
AAAH
AAH
2AAH
555H
55H
BA
(8)
30H
块擦除挂起
块擦除简历
块保护
XXXh
555H
60H
XXXh
BK
+
555H
(3)
(3)
40H
BPA
(9)
BPD
(10)
验证座
保护
2AAH
AAH
555H
2AAH
555H
A0H
90H
AAH
PA
(6)
55H
BK
+
90H
BPA
(9)
BPD
(10)
AAAH
55H
PD
F0H
(7)
3
AAH
555H
AAAH
20H
XXXh
2AAH
555H
(13)
55H
555H
AAAH
88H
(6)
(7)
AAH
2AAH
555H
55H
555H
AAAH
A0H
PA
PD
AAH
2AAH
555H
55H
555H
AAAH
80H
555H
AAAH
AAH
2AAH
555H
55H
BA
(8)
30H
AAH
2AAH
555H
55H
555H
AAAH
90H
XXXh
00H
+
+
98H
CA
(11)
询问
命令
55H
(3)
CD
(12)
AAH
注：系统应生成以下地址模式：
字模式： 555H或2AAH上地址引脚A10 A0
字节模式： AAAH或555H的地址引脚A10 A0 ， A12F
DQ8 DQ15都被忽略在Word模式。
字节模式时， V
IL
被输入到CIOF和地址
在A21 A0
写模式时， V
IH
被输入到CIOF和地址
在A20 A0
有效地址为A10 A0命令输入时。
（ 1 ） RA ：读地址
（ 6 ） PA ：程序地址
（ 2 ） RD ：读数据
（ 7 ） PD ：程序数据
（ 3 ） BK ：银行地址
=
A20~A15
（ 4 ）执行机构：银行地址和ID读地址（ A6 ， A1 ， A0 ） （ 8 ） BA ：块地址
=
A20~A12
（ 9 ） BPA ：块地址和ID读地址（ A6 ， A1 ， A0 ）
银行地址
=
A20~A15
制造商代码
=
(0, 0, 0)
块地址
=
A20~A12
器件代码
=
(0, 0, 1)
ID读地址
=
(0, 1, 0)
（ 5 ） ID： ID数据
（ 10 ） BPD ：验证数据
0098H - 制造商代码
（ 11 ） CA： CFI地址
009AH - 设备代码（ TH50VSF2582AASB ）
（ 12 ） CD ： CFI数据
009CH - 设备代码（ TH50VSF2583AASB ）
（ 13 ） F0H ： 00H是有效的过
0001H - 保护座
2001-10-25
5/50
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