先期产品信息
2006年2月6日
高功率Ka波段单刀双掷开关
TGS4302
27 - 46 GHz的频率范围
> 33 dBm的输入P1dB为@ V
C
= 7.5V
片上偏置电阻
片上DC模块
< 0.9分贝典型插入损耗
< 4ns的开关速度
AP640R2-00更换
VPIN技术
芯片尺寸:
1.09 X 1.09 X 0.10毫米
( 0.043 X 0.043 X 0.004英寸)
主要特点及性能
主要应用
初步数据
V
A
= + 5V ,我
A
≈
0毫安,V
B
= -5V ,我
B
= 20mA下
0
S21
S11
-1
增益(dB )
S13
S22
0
10
回波损耗/隔离度(dB )
Ka波段发射/接收
点至点收音机
点对多点广播
描述
TriQuint的TGS4302是GaAs单
极双掷( SPDT ) PIN单
设计工作在岩屑开关
Ka波段频率范围。此开关
保持与高一低插入损耗
33dBm的或更高的功率处理
在V输入P1dB为
C
= 7.5V 。这些
优点,随着小尺寸
在芯片上,进行TGS4302理想
在通信使用,
发送/接收申请。
-2
-10
-3
-20
-4
25
30
35
40
频率(GHz )
45
50
-30
注:此设备是在之前敲定所有电气和工艺规范的表征过程的早期阶段。规格如有
更改,恕不另行通知。
1
TriQuint半导体公司德州电话: (972)994-8465传真: ( 972 ) 994 8504电邮: info-mmw@tqs.com网站: www.triquint.com
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TGS4302
表一
最大额定值
符号
V
C
I
C
P
IN
T
M
T
英镑
1/
2/
3/
4/
5/
参数1 /
控制电压
控制电流
输入连续波功率
安装温度( 30秒)
储存温度
价值
-5V至+ 25V
22.5毫安
38 dBm的
320 C
-65 150℃
0
0
笔记
2/, 3/
2/ 3/
3/
4/, 5/
这些评级代表了该设备的最大可操作的价值。
V
C
我
C
都是每偏置垫。
以上操作需要为30dBm以上的+ 5V控制电压。
当在此偏置条件为70 ℃的基板温度下操作,该
平均寿命是TBD小时。
结工作温度将直接影响到设备平均无故障时间
( MTTF ) 。为了获得最大的寿命,建议结温是
保持在尽可能低的水平
0
表二
DC探索试验
( TA = 25
°C,
标称)
笔记
符号
R
FWD
V
转
民
3.5
-30
范围
最大
6
-60
单位
V
2
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TGS4302
表三
射频表征表
(T
A
= 25qC ,标称)
(V
A
= + 5V ,我
A
= 0毫安,V
B
= -5V ,我
B
= 20mA下)
符号
参数
测试条件
F = 27 - 30 GHz的
F = 30 - 40 GHz的
F = 40 - 46 GHz的
F = 27 - 46 GHz的
V
C
= +5V
V
C
= +7.5V
V
C
= +10V
V
C
= +15V
典型值
1.3
0.9
1.3
10
31
33
35
38
单位
笔记
IL
插入损耗
dB
RL
回波损耗
dB
P1dB
输出功率@
1分贝增益
压缩
DBM
1/ 2/
注:表三列出了典型设备的RF特性由夹具式确定
测量。
1/
2/
频率= 30GHz的
10V & 15V点从数据外推
3
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初步数据
I
A
= 0毫安,V
B
= -5V ,我
B
= 20mA下
0
S21
S11
-1
增益(dB )
S31
S22
TGS4302
10
回波损耗/隔离度(dB )
4
0
-2
-10
-3
-20
-4
25
-0.6
-0.8
-1
增益(dB )
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
-2
10
12
14
16
18
20
22 24 26
PIN ( DBM)
28
30
32
-30
30
35
40
频率(GHz )
45
50
+5V
+7.5V
+10V
+15V
+20V
F = 30GHz的
34
36
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TGS4302
初步数据
I
A
= 0毫安,V
B
= -5V ,我
B
= 10毫安, F = 30GHz的
-0.6
-0.8
-1
增益(dB )
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
-2
10
12
14
16
18
20
22 24 26
PIN ( DBM)
28
30
32
34
36
+5V
+7.5V
+10V
+15V
+20V
5
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