TGS2353
DC - 18 GHz的高功率SPDT开关
应用
高功率开关
产品特点
频率范围： DC - 18 GHz的
输入功率：高达10瓦
插入损耗： < 1.5分贝
隔离： -30 dB（典型）
切换速度： < 35纳秒
控制电压： 0 V / -40从两侧的V
MMIC
尺寸： 1.15 X 1.65 X 0.1毫米
功能框图
Vc2
J1
在RF
Vc1
2, 7
1
3, 6
4
J2
RF OUT1
5
J3
RF OUT2
概述
TriQuint的TGS2353是一个单刀双掷
（ SPDT ）开关。在TGS2353从DC到18进行操作
GHz和采用TriQuint的氮化镓0.25微米设计的
碳化硅的生产过程。
在TGS2353通常可提供高达10瓦的输入功率
处理在0 / -40 V.此开关控制电压
保持低插入损耗< 1.5分贝，和高隔离
-30 dB的典型。
在TGS2353非常适合高功率
切换应用程序。
无铅并符合RoHS标准
焊盘配置
焊垫＃
1
2, 7
3, 6
4
5
符号
在RF
Vc2
Vc1
RF OUT1
RF OUT2
订购信息
产品型号
TGS2353
初步数据表：版本A
06/20/11
-
1 10
-
ECCN
EAR99
描述
DC - 18 GHz的高功率
SPDT开关
免责声明：如有更改，恕不另行通知
连接数码世界，贯通全球网络
2011 TriQuint半导体
TGS2353
DC - 18 GHz的高功率SPDT开关
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
控制电压VC
控制电流， IC
功耗， PDISS
RF输入功率， CW ， 50Ω ， T = 25℃
通道温度，总胆固醇
安装温度
（30秒）
储存温度
推荐工作条件
参数
Vc1
Vc2
IC1 / Ic2的
等级
- 50 V
-1 5.8毫安
3.5 W
41 dBm的
275
o
C
320
o
C
-40至150
o
C
民
典型
-40 / 0
0 / -40
-0.3 0.1
最大单位
V
V
mA
电气规格是在特定试验条件下测得的。
规格不能保证在所有推荐工作
条件。
本装置的操作中给出的参数范围以外
上面可能会造成永久性的损害。这些都是强调
只有收视率，以及该设备的这些功能操作
条件是不是暗示。
电气规格
试验条件除非另有说明： 25℃ ，
VC1 = -40/0 V ，VC2 = 0 / -40 V，参见功能表，在应用电路页
5
.
参数
工作频率范围
控制电流（ IC1 / IC2）
插入损耗（导通状态）
输入回波损耗 - 导通状态（通用端口RL ）
输出回波损耗 - 导通状态（交换端口RL ）
隔离（ OFF状态）
输出回波损耗 - 关 - 沙爹（隔离端口RL ）
输入功率
1/
插入损耗温度系数
开关速度 - 在
开关速度 - 关
1 /输入功率，如果将< 10 MHz的减少。
民
DC
-0.5
典型
< 1.5
15
15
-30
2.5
40
-0.003
31
18
最大
18
0.1
单位
GHz的
mA
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
分贝/°C的
ns
ns
初步数据表：版本A
06/20/11
-
2 10
-
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2011 TriQuint半导体
TGS2353
DC - 18 GHz的高功率SPDT开关
特定网络阳离子（续）
散热和可靠性
参数
热阻，
θ
JC
，测得的载体回来（死
安装到使用1.5密耳80/20的20密耳粗磨载体
金锡）
通道温度（ TCH） ，中位生存期（TM ）
条件
TBASE = 70℃
TBASE = 70℃ ，VC1 = 0V ， Vc2的= -40
V，针= 10 W， PDISS = 2.9 W
等级
θ
JC
= 8.4 ° C / W
TCH = 94.5 ℃，
TM = 1.8 E + 10小时
中位生存时间（TM ）与通道温度（ TCH）
1.E+15
1.E+14
1.E+13
1.E+12
1.E+11
1.E+10
1.E+09
1.E+08
1.E+07
1.E+06
1.E+05
1.E+04
25
FET7
中位生存期，TM （小时）
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
通道温度，总胆固醇（ ° C）
初步数据表：版本A
06/20/11
-
3 10
-
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2011 TriQuint半导体
TGS2353
DC - 18 GHz的高功率SPDT开关
典型性能
插入损耗（导通状态）与频率的关系
VC1 = -40 V ，VC2 = 0 V ， +25
0
C
隔离（关闭状态）与频率的关系
VC1 = 0 V ，VC2 = -40 V， +25
0
C
0.0
-10
-20
插入损耗（dB ）
-0.5
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22
频率（GHz ）
隔离度（dB ）
-1.0
-30
-40
-50
-60
-70
-80
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22
频率（GHz ）
回波损耗（导通状态）与频率的关系
关态输出回波损耗（ DBM）
VC1 = -40 V ，VC2 = 0 V ， +25
0
C
回波损耗（关闭状态）与频率的关系
VC1 = 0 V ，VC2 = -40 V， +25
0
C
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22
频率（GHz ）
在国家回波损耗（ dB为单位）
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
0
2
4
6
8
频率（GHz ）
IRL
ORL
10 12 14 16 18 20 22
有损压缩与引脚与频率的关系
VC1 = -40 V ，VC2 = 0 V ， +25
0
C
0.2
有损压缩（分贝）
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
28
30
32
8 GHz的
10 GHz的
12 GHz的
14 GHz的
16 GHz的
18 GHz的
34
36
38
40
输入功率（dBm ）
初步数据表：版本A
06/20/11
-
4 10
-
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2011 TriQuint半导体
TGS2353
DC - 18 GHz的高功率SPDT开关
应用电路
Vc2
2, 7
4
J2
RF OUT1
J1
在RF
1
Vc1
3, 6
5
J3
RF OUT2
VC1可以从任一键垫3或6被偏置，并且所述非偏置的接合垫可处于打开状态。
Vc2时可以从任一键垫2或7被偏置，并且所述非偏置的接合垫可处于打开状态。
这种开关可以通过终止一个未使用被配置为单刀单掷（SPST）
射频输出端口与一个50欧姆的负载。
偏置式程序
VC1设置为-40 V （ON状态的插入损耗）或0 V（关断状态
对于隔离）
VC2设置为0 V （ON状态的插入损耗）或-40 V（关断状态
对于隔离）
应用RF信号到RF输入
偏置式程序
关闭射频电源
打开VC1至0V
转Vc2时为0V
功能表
RF路径
在RF射频输出1 （ 50欧姆负载RF输出2 ）
在RF射频输出2 （ 50欧姆负载RF输出1 ）
状态
导通状态（插入损耗）
关闭状态（隔离）
导通状态（插入损耗）
关闭状态（隔离）
Vc1
0V
-40 V
-40 V
0V
Vc2
-40 V
0V
0V
-40 V
初步数据表：版本A
06/20/11
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5 10
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2011 TriQuint半导体
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