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T

R

I

Q

U

I

N

T

S

E

M

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C

0：N

D

U

C

T O服务

R ,

I

N

C .

TGL6425-SCC

数字衰减器

q

PHOTO扩建

0.5至18 GHz的频率范围

5位步进衰减器

15.5 dB的衰减范围

4 -dB的典型Inser化损失

1.6 ： 1输入/输出驻波比

6425

2,1844 X 1,8288 X 0,1016毫米（ 0.086 X 0.072 X 0.004英寸）

描述

TriQuint的TGL6425 - SCC是GaAs MMIC 5位FET衰减器操作神父唵

为0.5 18千兆赫。所述衰减步骤是0.5-分贝，是由10条输入线控制。控制偏压

0 V和-5 V的输入和输出回波损耗通常为13 - 分贝。

这种独特的吸收设计结合了“T”和“PI”的配置，以产生极

小尺寸和低inser化损耗衰减。在小尺寸的单片和可靠性优点

衰减器在混合设计，使在电子战票价使用本设备的吸引力，雷达，

通信和导航系统级设置，调节和切换功能。

焊盘和背面金属化是镀金的共晶合金的附件兼容性

法以及热压和热超声引线键合工艺。地面

通孔的背面金属化提供给电路。

TriQuint半导体

德州设施

(972) 995-8465

www.triquint.com

TGL6425-SCC

典型衰减

0

T

A

= 25°C

-5

衰减（dB ）

-10

衰减

状态：

-15

0分贝

2分贝

4分贝

8分贝

15.5分贝

-20

-25

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

频率（GHz ）

典型

输入功率

35

30

T

A

= 25°C

P

1dB

输入功率（dBm ）

25

20

15

衰减

状态：

0分贝

2分贝

4分贝

10

5

0

3

6

9

12

15

18

8分贝

15.5分贝

频率（GHz ）

典型

输入回波损耗

输入回波损耗（dB ）

7

中T = 25℃

13

19

25

31

衰减

状态：

37

43

0

3

6

9

12

15

18

0分贝

2分贝

4分贝

8分贝

15.5分贝

频率（GHz ）

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2

TGL6425-SCC

典型

输出回波损耗

输出回波损耗（dB ）

0

T

A

= 25°C

6

12

18

衰减

状态：

24

30

0dB

2dB

4dB

8dB

15.5dB

36

0

3

6

9

12

15

18

频率（GHz ）

绝对

最大额定值

输入连续波功率，P

IN

.......................................................................................................... 1 W

对照OL电压范围， V1 ， V2 ， V3 ， V4 ， V5 ， V6 ， V7 ， V8 ， V9 ， V10 .......................... ...................... -10 V至0 V

工作信道的温度，T

CH

................................................................................................ 150

°

C

*

安装温度（30秒），T

M

................................................................................................... 320

°

C

.

存储温度范围，T

英镑

.................................................. .......................................... -65至150

°

C

在工作通道的温度范围内，T评分

CH

（除非另有说明）

超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。

这些是海峡ESS的评分仅与该设备的这些功能操作或超越任何其它条件

那些在“RF特性”表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定条件

长时间可自动对焦FECT器件的可靠性。

*工作通道温度T

CH

，将直接影响到设备的平均无故障时间。为了获得最大的寿命，建议

该通道的温度保持在尽可能低的水平。

射频特性

参数

测试条件

典型

单位

驻波比（上）

P

1dB

（中）

衰减

输入驻波比

输入功率为1

-

1dB增益压缩

看下表

F = 2 - 18 GHz的（所有国家）

f = 2 - 18

千兆赫（全州）

T

A

= 25°C

dB

-

DBM

1.6:1

1.4:1

看下表

SWR （ OUT）输出驻波比

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TGL6425-SCC

射频特性

衰减

状态

（ dB）的

典型

衰减

在9千兆赫（分贝）

典型

方差

在9千兆赫（分贝）

典型的输入功率

1 dB增益压缩

at

2-18千兆赫（ DBM）

0

0.5

1

2

4

8

15.5

3.6

4.1

4.4

5.7

7.6

12.1

19.7

± 0.25

± 0.45

± 0.7

28

29

20

偏真值表

安泰信

状态

（ dB）的

V

1

V

2

V

3

V

4

V

5

V

6

V

7

V

8

V

9

V

10

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

8.0

8.5

9.0

9.5

10.0

10.5

11.0

11.5

12.0

12.5

13.0

13.5

14.0

14.5

15.0

15.5

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

-5

0

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4

TGL6425-SCC

当量

概要

2 - 186m

m

2 - 70m

m

2 - 290m

m

RF

输入

2 - 32m

m

2 - 62m

m 2 - 16m

2 - 32m

m

2 - 16m

m

2 - 62m

m

RF

产量

2 - 50m

m

100m

m

2 - 55m

m

2 - 30m

m

V

1

V

2

V

3

V

4

V

5

V

6

V

7

V

8

V

9

V

10

偏置网络

V

1

V

3

V

2

V

5

V

10

2

3

4

5

6

1

RF输入

TGL6425

7

RF输出

12

11 10

9

8

V

9

V

8

V

6

V

7

V

4

所有的偏见 - [R esistors有25面值 - 欧姆。

RF连接：邦德使用两个1密耳直径20至25 MIL-长的金线键合在两个RF输入和

射频输出每formance最佳的RF 。

不设置在RF端口的DC块。

外部元件的紧密布局是至关重要的共振的性能。

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