【产品数据表2002年12月16日DC - 12 GHz的离散HFETTGF4230-SCC主要特点及】,IC型号TGF4230-SCC,TGF4230-SCC PDF资料,TGF4230-SCC经销商,ic,电子元器件-51电子网

产品数据表

2002年12月16日

DC - 12 GHz的离散HFET

TGF4230-SCC

主要特点及性能

28.5 dBm的8.5 GHz的名义噘

10.0分贝8.5 GHz的标称增益

55％的标称PAE为8.5 GHz的

1200微米HFET

0.61 X 0.74 ×0.1毫米（ 0.024 X 0.029 X

0.004 ）

偏向于8伏特， 96毫安

主要应用

蜂窝基站

高动态范围低噪声放大器

军事和航天

描述

TriQuint的TGF4230 - SCC是一种单门1.2毫米分立的GaAs异质场

场效应晶体管（ HFET ），专为高效率电源应用提供高达12 GHz的中

A和AB类操作类。

焊点和背面金属化是镀金的共晶合金的相容性

连接方法以及热压和热超声引线键合工艺。

该TGF4230 - SCC是使用自动化设备容易组装。

有关使用的HFET的应用笔记，参考TriQuint公司网站的

毫米波事业部。

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2002年12月16日

TGF4230-SCC

表一

最大额定值

符号

英镑

参数

漏源极电压

门源电压范围

功耗

工作通道温度

储存温度

安装温度（ 30秒）

价值

12 V

0至-5.0伏特

见热数据

150°C

-65 ℃150℃

320°C

笔记

2/, 3/

1 /这些评级代表了该设备的最大值。强调超越这些上市

在“最大值”，可能对器件造成永久性损坏。这些都是强调

在这些额定值，且功能性操作的设备的或以后的任何其他条件

那些在“ DC探头特性”和“电气特性”表示不

暗示。暴露在最大额定条件下长时间工作会影响器件

可靠性。

2 /结温会直接影响设备的平均无故障时间（ MTTF ）。为

最大寿命，所以建议的结温保持在

尽可能低的水平。

3 /这些额定值适用于每一个人FET

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TGF4230-SCC

表二

DC传感器特性

= 25

°C,

标称）

符号

DSS

BGS

BGD

参数

饱和漏极电流

跨

捏-O FF电压

击穿电压

栅极 - 源

击穿电压

栅极 - 漏极

最低

典型

294

198

1.85

最大

单位

记

1 /总计两个FET

2/ V

, V

BGS

和V

BGD

是否定的。

T A B L E III

L E （C T） - [R IC A L ] C H A R A C T E R为叔IC S

( T

= 2 5

C，在A L N}÷ M）

B IA S·C OND ITIO NS ： V D = 8 V ，ID = 5 0米A + / - 1 0 ％， @ 8 0.5 GH

S YM B○升

噘

PAE

P一RA M E TE

ü TP ü吨P 2 O宽E

P 2 O宽E R G一中

P 2 O宽E R A D D E D é FF IC即N c个

牛逼 P IC A L

2 8 .5

加利IT

DBM

注：建议偏置电流的HFET为80毫安/毫米。为了这

1.2毫米HFET智商为96毫安。

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典型性能

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示例

DC I -V曲线

输出功率与

输入功率

功率增加

效率与

输入功率

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典型性能

TGF4230-SCC

增益 -

输入功率

漏电流

随输入功率

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