TGF2960-SD
0.5瓦特的DC- 5GHz的包装HFET
主要特点
频率范围： DC- 5GHz的
标称900MHz的应用板的性能：
TOI ： 40 dBm的
28 dBm的PSAT ， 27 dBm的P1dB为
增益： 19分贝
输入回波损耗： -10 dB的
输出回波损耗： -5分贝
偏见： VD = 8 V ， IDQ = 100 mA时， V G = -1.0 V
（典型值）
封装尺寸： 4.5 ×4× 1.5毫米
900 MHz的应用板
性能
偏置条件： VD = 8 V ， IDQ = 100 mA时， V G = -1.0 V（典型）
主要应用
蜂窝基站
WiMAX的
无线基础设施
IF & LO缓冲器的应用
RFID
产品说明
该TGF2960 - SD是一个高性能的1 /瓦
砷化镓异质结场效应晶体管
（ HFET ）装在一个低成本的SOT89表面
贴装封装。
该器件的理想的工作点是在漏极偏压
8 V和100 mA的电流。在这种偏差在900 MHz的时
相映成使用外部元件50欧姆，
这种装置能够为19分贝的增益，为28 dBm的
饱和输出功率和40 dBm的输出IP3的。
评估板在900兆赫， 1900兆赫和
2100兆赫可应要求提供。
RoHS和无铅标准。
改变数据表，恕不另行通知。
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2012年5月 B版
1
TGF2960-SD
表一
绝对最大额定值1 /
符号
VD -VG
Vd
Vg
Id
Ig
针
漏极电压
栅极电压范围
漏电流
栅电流范围
输入连续波功率
参数
漏极至栅极电压
价值
17 V
9V
-5至0 V
390毫安
-2.4到17.8毫安
26 dBm的
笔记
2/
2/
2/
1/
这些评级代表了该设备的最大可操作的价值。强调超越这些上市
“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏设备和/或影响
器件的寿命。这些压力额定值只，设备的这些功能操作
条件是不是暗示。
电源电压，电源电流，输入功率，输出功率的组合应不超过
表四列出的最大功耗。
2/
表二
推荐工作条件
符号
Vd
IDQ
Id
Vg
漏极电压
漏电流
漏电流在PSAT
栅极电压
参数1 /
典型的价值
8V
百毫安
130毫安
-1.0 V
1/
见装配图的偏差说明。
2
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TGF2960-SD
表三
电气性能
试验条件除非另有说明：
f
in
= 900兆赫，25°C ; VD = 8V ， IDQ = 100
毫安， V G = -1.0典型;见测试电路900 MHz运行
符号
收益
P1dB
OTOI
参数
小信号增益
输出功率@ 1dB压缩
3
rd
为了输出截取点1 /
民
18
25.5
37
喃
19
27
40
单位
dB
DBM
DBM
900分之1和910兆赫， 16 dBm的输出每个音调功率
3
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表IIIa受体
射频表征表
偏见： VD = 8 V ， IDQ = 100 mA时， V G = -1.0 V，典型的
符号
收益
参数
小信号增益
测试条件
900兆赫
1900兆赫
2100兆赫
900兆赫
1900兆赫
2100兆赫
900兆赫
1900兆赫
2100兆赫
900兆赫
1900兆赫
2100兆赫
900兆赫
1900兆赫
2100兆赫
900兆赫
1900兆赫
2100兆赫
900兆赫
1900兆赫
2100兆赫
公称
19
16
15
-10
-10
-10
-5
-6
-6
28
28
28
27
27
27
40
39
39
3.7
4.3
4.3
单位
dB
笔记
1/
2/
3/
1/
2/
3/
1/
2/
3/
1/
2/
3/
1/
2/
3/
1/
4/
5/
1/
2/
3/
IRL
输入回波损耗
dB
ORL
输出回波损耗
dB
PSAT
饱和输出
动力
输出功率@ 1分贝
压缩
输出TOI
DBM
P1dB
DBM
TOI
DBM
NF
噪声系数
dB
1/
2/
3/
4/
5/
使用900 MHz的应用板
采用1900 MHz的应用板调整为最大输出功率
采用2100 MHz的应用板调整为最大输出功率
采用1900MHz的应用板调整为最大TOI （降低输出功率降低1 dB为单位）
采用2100 MHz的应用板调整为最大TOI （降低输出功率降低1 dB为单位）
4
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表四
功耗和热性能
参数
最大功率耗散
测试条件
Tbaseplate = 70℃
价值
PD = 1.37 W
Tchannel = 175℃
TM = 8.77E + 06小时
θJC
= 77 （ ° C / W）
Tchannel = 146.5 ℃，
TM = 2.06E + 08小时
θJC
= 77 （ ° C / W）
Tchannel = 126℃
TM = 2.48E + 09小时
热阻，
θJC
VD = 8 V
ID = 100毫安
PD = 0.8 W
Tbaseplate = 85°C
VD = 8 V
ID = 130毫安
POUT = 27 dBm的
PD = 0.54 W
Tbaseplate = 85°C
热阻，
θJC
在PSAT
安装温度
储存温度
参见“典型的回流焊曲线”表
-65 ℃150℃
5
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