TGF2023-05
25瓦分立功率氮化镓HEMT的SiC
主要特点
频率范围： DC - 18 GHz的
> 44 dBm的额定PSAT
55 ％最大PAE
15分贝额定功率增益
偏见： VD = 28 - 40 V ， IDQ = 500 mA时， V G = -3 V
典型
工艺： 0.25微米功率氮化镓对SiC
芯片尺寸： 0.82 X 1.44 X 0.10毫米
主要应用
空间
军事
宽带无线
实测性能
偏置条件： VD = 28 - 40 V ， IDQ = 500 mA时， V G = -3 V典型
产品说明
TriQuint的TGF2023-05是离散5.0毫米
氮化镓HEMT的SiC其工作在DC- 18
千兆赫。该TGF2023-05使用设计
TriQuint的证明0.25微米的GaN生产过程。
这个过程具有先进的场板
技术来优化微波功率和
效率在高漏极偏压的工作条件。
该TGF2023-05通常提供> 44 dBm时
饱和输出功率为15 dB的功率增益。
附加效率的最大功率为55％的
这使得TGF2023-05适合于高
效率的应用。
无铅并符合RoHS标准
.
改变数据表，恕不另行通知。
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2008年12月修订版A
1
表一
绝对最大额定值1 /
符号
Vd
Vg
Id
Ig
针
1/
漏极电压
栅极电压范围
漏电流
栅电流
输入连续波功率
TGF2023-05
笔记
2/
参数
价值
40 V
-10至0 V
5A
28毫安
32 dBm的
2/
2/
这些评级代表了该设备的最大可操作的价值。强调超越这些上市
“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏设备和/或影响
器件的寿命。这些压力额定值只，设备的这些功能操作
条件是不是暗示。
电源电压，电源电流，输入功率，输出功率的组合应不超过
表四列出的最大功耗。
2/
表二
推荐工作条件
符号
Vd
IDQ
Id_Drive
Vg
漏极电压
漏电流
在RF驱动器漏电流
栅极电压
参数
价值
28 - 40 V
500毫安
1500毫安
-3 V
2
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TGF2023-05
表三
射频表征表1 /
偏见： VD = 32 V & 40 V ， IDQ = 500 mA时， V G = -3 V典型
符号
动力调谐：
PSAT
PAE
收益
RP 2 /
CP 2 /
Г
L
3/
效率的关注：
PSAT
PAE
收益
RP 2 /
CP 2 /
Г
L
3/
1/
2/
3/
饱和输出功率
功率附加效率
功率增益
并联电阻
并联电容
负载反射系数
42
55
19.5
190.2
0.263
0.543
133.9
41.5
57
19.5
158.1
0.314
0.587
142.4
DBM
%
dB
·mm
PF /毫米
-
饱和输出功率
功率附加效率
功率增益
并联电阻
并联电容
负载反射系数
44.5
46
15
87.79
0.444
0.674
160.9
43.5
47
15
68.58
0.461
0.692
164.8
DBM
%
dB
·mm
PF /毫米
-
参数
VD = 40 V
VD = 32 V
单位
在这个表中的值是从对SiC小区的1.25毫米单元的GaN比例为3.5 GHz的
碳化硅输出网络上的大信号等效氮化镓
最佳负载阻抗最大功率或最大PAE为3.5 GHz的。串联电阻
和第5页的图中所示的电感（ Rd和Ld）在被排除
3
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TGF2023-05
表四
功耗和热性能1 /
参数
最大功率耗散
测试条件
Tbaseplate = 70 C
价值
PD = 20瓦
Tchannel = 150 C
TM = 2.0E + 6小时
θJC
= 4.0 （℃ / W）
Tchannel = 150 C
TM = 2.0E + 6小时
笔记
2/ 3/
热阻，
θJC
VD = 40 V
ID = 500毫安
PD = 20瓦
Tbaseplate = 70 C
VD = 40 V
ID = 1500毫安
POUT = 44.5 dBm的
PD = 31.8 W
Tbaseplate = 23 C
30秒
热阻，
θJC
在RF驱动器
θJC
= 4.0 （℃ / W）
Tchannel = 150 C
TM = 2.0E + 6小时
4/
安装温度
储存温度
1/
2/
320 C
-65 ℃150℃
假设共晶附加使用1mil的厚80/20金锡安装到10MIL粗磨载板
对于2E + 6小时平均寿命，功耗限制为
PD（MAX ） = （ 150 C - TBASE C ） / θJC 。
3/
通道的工作温度将直接影响设备的平均无故障时间（ MTTF ） 。为
最大寿命，所以建议信道的温度被保持在尽可能低的
的水平。
通道温度高漏极电压能量过大，从而降低了平均无故障时间。手术
在降低的基板温度和/或脉冲射频调制的建议。
4/
功率降容曲线
48
44
40
36
32
28
24
20
16
12
8
4
0
-60 -40 -20 0
耗散功率（ W）
TM = 2.0E + 6小时
20 40 60 80 100 120 140 160
底板温度（C ）
4
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TGF2023-05
线性模型1.25毫米单位的GaN细胞
模型
参数
Rg
Rs
Rd
gm
CGS
Ri
CDS
RDS
CGD
头
Ls
Lg
Ld
RGS
RGD
VD = 40V
IDQ = 19毫安
0.56
0.08
0.31
0.134
1.52
0.24
0.239
373.7
0.053
4.11
0.0148
-0.0135
0.048
1550
70500
VD = 32V
IDQ = 19毫安
0.56
0.07
0.33
0.138
1.50
0.23
0.263
319.2
0.0646
3.57
0.0147
-0.013
0.0485
1950
47800
单位
S
pF
pF
pF
pS
nH
nH
nH
5
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