TGF2023-01
6瓦分立功率氮化镓HEMT的SiC
主要特点
频率范围： DC - 18 GHz的
> 38 dBm的额定PSAT
55 ％最大PAE
15分贝额定功率增益
偏见： VD = 28 - 40 V ， IDQ = 125 mA时， V G = -3 V
典型
工艺： 0.25微米功率氮化镓对SiC
芯片尺寸： 0.82 X 0.66 X 0.10毫米
实测性能
偏置条件： VD = 28 - 40 V ， IDQ = 125 mA时， V G = -3 V典型
主要应用
空间
军事
宽带无线
产品说明
TriQuint的TGF2023-01是离散1.25毫米
氮化镓HEMT的SiC其工作在DC- 18
千兆赫。该TGF2023-01使用设计
TriQuint的证明0.25微米的GaN生产过程。
这个过程具有先进的场板
技术来优化微波功率和
效率在高漏极偏压的工作条件。
该TGF2023-01通常提供> 38 dBm时
饱和输出功率为15 dB的功率增益。
附加效率的最大功率为55％的
这使得TGF2023-01适合于高
效率的应用。
无铅并符合RoHS标准
.
改变数据表，恕不另行通知。
TriQuint半导体： WWW 。 triquint.com (972)994-8465传真(972)994-8504 Info-mmw@tqs.com
2008年12月修订版A
1
表一
绝对最大额定值1 /
符号
Vd
Vg
Id
Ig
针
1/
漏极电压
栅极电压范围
漏电流
栅电流
输入连续波功率
TGF2023-01
笔记
2/
参数
价值
40 V
-10至0 V
1.25 A
7毫安
26 dBm的
2/
2/
这些评级代表了该设备的最大可操作的价值。强调超越这些上市
“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏设备和/或影响
器件的寿命。这些压力额定值只，设备的这些功能操作
条件是不是暗示。
电源电压，电源电流，输入功率，输出功率的组合应不超过
表四列出的最大功耗。
2/
表二
推荐工作条件
符号
Vd
IDQ
Id_Drive
Vg
漏极电压
漏电流
在RF驱动器漏电流
栅极电压
参数
价值
28 - 40 V
125毫安
375毫安
-3 V
2
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TGF2023-01
表三
射频表征表1 /
偏见： VD = 32 V & 40 V ， IDQ = 125 mA时， V G = - 3V典型
符号
动力调谐：
PSAT
PAE
收益
RP 2 /
CP 2 /
Г
L
3/
效率的关注：
PSAT
PAE
收益
RP 2 /
CP 2 /
Г
L
3/
1/
2/
3/
饱和输出功率
功率附加效率
功率增益
并联电阻
并联电容
负载反射系数
36
55
19.5
190.2
0.263
0.554
43.6
35.5
57
19.5
158.1
0.314
0.509
52.8
DBM
%
dB
·mm
PF /毫米
-
饱和输出功率
功率附加效率
功率增益
并联电阻
并联电容
负载反射系数
38.5
46
15
82.75
0.444
0.354
87.3
37.5
47
15
68.58
0.461
0.318
100.4
DBM
%
dB
·mm
PF /毫米
-
参数
VD = 40 V
VD = 32 V
单位
在此表中的值是在3.5千兆赫上测定对SiC细胞1.25毫米单元方的GaN
碳化硅输出网络上的大信号等效氮化镓
最佳负载阻抗最大功率或最大PAE为3.5 GHz的。串联电阻
和第6页上的图中所示的电感（ Rd和Ld）在被排除
3
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TGF2023-01
表四
功耗和热性能1 /
参数
最大功率耗散
测试条件
Tbaseplate = 70 C
价值
PD = 5 W
Tchannel = 150 C
TM = 2.0E + 6小时
θJC
= 16.0 （℃ / W）
Tchannel = 150 C
TM = 2.0E + 6小时
笔记
2/ 3/
热阻，
θJC
VD = 40 V
ID = 125毫安
PD = 5 W
Tbaseplate = 70 C
VD = 40 V
ID = 375毫安
POUT = 38.5 dBm的
PD = 7.9 W
Tbaseplate = 24 C
30秒
热阻，
θJC
在RF驱动器
θJC
= 16.0 （℃ / W）
Tchannel = 150 C
TM = 2.0E + 6小时
4/
安装温度
储存温度
1/
2/
320 C
-65 ℃150℃
假设共晶附加使用1mil的厚80/20金锡安装到10MIL粗磨载板
对于2E + 6小时平均寿命，功耗限制为
PD（MAX ） = （ 150 C - TBASE C ） / θJC 。
3/
通道的工作温度将直接影响设备的平均无故障时间（ MTTF ） 。为
最大寿命，所以建议信道的温度被保持在尽可能低的
的水平。
通道温度高漏极电压能量过大，从而降低了平均无故障时间。手术
在降低的基板温度和/或脉冲射频调制的建议。
4/
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
功率降容曲线
TM = 2.0E + 6小时
耗散功率（ W）
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
底板温度（C ）
4
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测量数据
在3.5GHz的功率调整数据
TGF2023-01
偏置条件： VD = 32 V & 40 V ， IDQ = 125 mA时， V G = -3 V典型
对于功率调节器件在3.5GHz的：
最大增益1.25毫米设备的输入匹配&输出负载为：
VD = 40V ： RP = 66.23Ω ， CP = 0.555 PF，
Γ
= 0.354,
θ
= 87.3°
VD = 32V ： RP = 54.86Ω ， CP = 0.576 PF，
Γ
= 0.318,
θ
= 100.4°
在3.5GHz的效能调校数据
为了提高效率调谐装置在3.5GHz的：
最大增益1.25毫米设备的输入匹配&输出负载为：
VD = 40V ： RP = 152.2Ω ， CP = 0.329 PF，
Γ
= 0.554,
θ
= 43.6°
VD = 32V ： RP = 126.5Ω ， CP = 0.393 PF，
Γ
= 0.509,
θ
= 52.8°
5
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