先期产品信息
2005年9月19日
DC - 20 GHz的分立功率pHEMT制
TGF2022-06
主要特点及性能
频率范围： DC - 20 GHz的
> 28 dBm的额定PSAT
58 ％最大PAE
36 dBm的OIP3名义
13分贝额定功率增益
适用于高可靠性的应用
0.6毫米X 0.35米功率pHEMT制
额定偏置VD = 8-12V ， IDQ = 45-75mA
(U
Lander（国家） RF驱动器，编号从45毫安150mA的上升）
芯片尺寸： 0.57 X 0.53 X 0.10毫米
（ 0.022 X 0.021 X 0.004英寸）
产品说明
TriQuint的TGF2022-06是一个离散
0.6毫米的pHEMT它工作在
DC - 20 GHz的。该TGF2022-06是
设计采用TriQuint的证明
标准的0.35微米功率pHEMT制
生产过程。
该TGF2022-06通常提供
> 28dBm的饱和输出功率与
13 dB的功率增益。最大
功率附加效率为58 ％，其中
使得TGF2022-06适合
高效率的应用。
主要应用
点至点收音机
高可靠性的空间
军事
基站
宽带无线应用
35
30
最大增益（dB ）
25
20
该TGF2022-06也非常适合
点至点无线电，高可靠性
空间和军事应用。
该TGF2022-06具有保护
表面钝化层提供
环境的鲁棒性。
无铅并符合RoHS标准
味精
MAG
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
频率（GHz ）
注：此设备是在之前敲定所有电气规格的表征过程的早期阶段。规格如有
更改，恕不另行通知。
TriQuint半导体公司德州：电话(972)994-8465传真(972)994-8504电子邮件： Info-mmw@tqs.com网站： www.triquint.com
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表一
最大额定值
符号
V
+
V
-
I
+
| I
G
|
P
IN
P
D
T
CH
T
M
T
英镑
1/
2/
3/
TGF2022-06
价值
12.5 V
-5V至0V
282毫安
7毫安
23 dBm的
见注3
150
°C
320
°C
-65到150
°C
2/
2/ 3/
4/
2/
参数1 /
正电源电压
负电源电压范围
正电源电流
门电源电流
输入连续波功率
功耗
工作通道温度
安装温度（ 30秒）
储存温度
笔记
2/
这些评级代表了该设备的最大可操作的价值。
电源电压，电源电流，输入功率和输出功率应的组合
不超过P
D
.
为1E + 6小时的中值寿命，功耗限制为：
P
D
（最大值）=（ 150
°C
- TBASE
°C)
/ 138.0 （ ° C / W）
结工作温度将直接影响到设备中位无故障时间
(T
M
） 。为了获得最大的寿命，所以建议的结温保持
在尽可能低的水平。
4/
表二
DC传感器特性
(T
A
= 25
QC ，
标称）
符号
IDSS
Gm
V
P
V
BGS
V
BGD
参数
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
击穿电压
栅极 - 源
击穿电压
栅极 - 漏极
最低
-
-
-1.5
-30
-30
典型
180
225
-1
-
-
最大
-
-
-0.5
-14
-14
单位
mA
mS
V
V
V
注意：对于TriQuint公司的0.35微米功率pHEMT器件，射频击穿>>直流击穿
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TGF2022-06
表三
射频表征表
(T
A
= 25
°C,
标称）
符号
动力调谐：
饱和输出功率
功率附加效率
功率增益
并联电阻
并联电容
负载反射
系数
参数
F = 10 GHz的
VD = 10V
IDQ = 45毫安
28.9
52.4
12.9
44.63
0.276
0.382
∠
120.1
VD = 12V
IDQ = 45毫安
29.6
51.9
12.9
56.99
0.257
0.400
∠104.7
F = 18 GHz的
VD = 10V
IDQ = 45毫安
28.1
41.5
8.3
43.55
0.415
0.522
∠127.7
VD = 12V
IDQ = 45毫安
28.7
37.0
8.0
48.44
0.432
0.556
∠125.1
单位
PSAT
PAE
收益
RP 1 /
CP 1 /
Γ
L
2/
效率
调整：
PSAT
PAE
收益
RP 1 /
CP 1 /
Γ
L
2/
OIP3
DBM
%
dB
pF
-
饱和输出功率
功率附加效率
功率增益
并联电阻
并联电容
负载反射
系数
输出TOI
28.3
58.3
13
72.49
0.252
0.455
∠93.7
37
29.3
56.0
13
74.22
0.255
0.466
∠93.4
36
27.5
46.0
8.5
51.30
0.495
0.619
∠127.3
37
28.1
42.5
8.3
66.97
0.503
0.680
∠123.0
36
DBM
%
dB
pF
-
DBM
1 /大信号等效pHEMT的输出网络
2 /最佳负载阻抗最大功率或最大PAE为10和18 GHz的。该系列产品
第7页的图中所示的电阻和电感（ Rd和Ld）在被排除
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表四
热信息
参数
θ
JC
热阻
（通道运营商的背面）
TGF2022-06
测试条件
VD = 12 V
IDQ = 45毫安
PDISS = 0.54 W
T
CH
(
o
C)
145
T
JC
（ QC / W）
138
T
M
（小时）
1.6 E+6
注：假设共晶附加使用1.5万80/20金锡安装到20万粗磨
载体在70℃下底板温度。
测量夹具固定数据
IMD3与输出功率/音10 & 18 GHz的
0
-10
-20
18 GHz时， VD = 12V ，ID = 45毫安
18 GHz时， VD = 10V ，ID = 45毫安
10 GHz时， VD = 12V ，ID = 45毫安
10 GHz时， VD = 10V ，ID = 45毫安
IMD3 （ DBC）
-30
-40
-50
-60
-70
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
输出功率/ TONE （ DBM）
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TGF2022-06
测量夹具固定数据
在10GHz的功率调整数据
32
30
28
VD = 12V ，ID = 45毫安
VD = 10V ，ID = 45毫安
150
140
130
增益（dB ）
的Pout （ dBm的）
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
120
110
100
90
80
70
60
50
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
8
62
VD = 12V ，ID = 45毫安
VD = 10V ，ID = 45毫安
58
54
50
46
ID （MA ）
PAE （％）
42
38
34
30
26
22
18
14
10
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
对于功率调节器件在10GHz的
输入相匹配的最大增益&输出负载为：
VD = 12V ， IDQ = 45毫安： RP = 57.0
,
CP = 0.257pF ，
Γ
= 0.400,
θ
= 104.7°
VD = 10V ， IDQ = 75毫安： RP = 44.6
,
CP = 0.276pF ，
Γ
= 0.382,
θ
= 120.1°
在10GHz的效率调整数据
38
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
9
180
170
160
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
14
15
16
17
18
19
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
8
62
VD = 12V ，ID = 45毫安
VD = 10V ，ID = 45毫安
VD = 12V ，ID = 45毫安
VD = 10V ，ID = 45毫安
58
54
50
46
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
42
38
34
30
26
22
18
14
10
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
ID （MA ）
10
11
12
13
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
为了提高效率调谐装置在10GHz的：
输入相匹配的最大增益&输出负载为：
VD = 12V ， IDQ = 45毫安： RP = 74.2
,
CP = 0.255pF ，
Γ
= 0.466,
θ
= 93.4°
VD = 10V ， IDQ = 45毫安： RP = 72.5
,
CP = 0.252pF ，
Γ
= 0.455,
θ
= 93.7°
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