先期产品信息
2005年9月19日
DC - 12 GHz的分立功率pHEMT制
TGF2021-12
主要特点及性能
频率范围： DC - 12 GHz的
> 42 dBm的额定PSAT
58 ％最大PAE
11分贝额定功率增益
适用于高可靠性的应用
12毫米X 0.35米功率pHEMT制
额定偏置VD = 8-12V ， IDQ = 900-1500mA
(U
Lander（国家） RF驱动器，编号从900毫安到2560毫安上升）
芯片尺寸： 0.57 X 2.93 X 0.10毫米
（ 0.022 X 0.115 X 0.004英寸）
产品说明
TriQuint的TGF2021-12是一个离散12
毫米的pHEMT它工作在DC- 12
千兆赫。该TGF2021-12使用设计
TriQuint的证明标准的0.35微米功率
pHEMT的生产过程。
该TGF2021-12通常提供
42 dBm的饱和输出功率与
11 dB的功率增益。最大功率
附加效率为59 ％，这使得
TGF2021-12适合于高效率
应用程序。
该TGF2021-12也非常适合
点至点无线电，高可靠性的空间，
和军事应用。
该TGF2021 -具有保护表面
钝化层提供环境
鲁棒性。
无铅并符合RoHS标准
主要应用
35
30
点至点收音机
高可靠性的空间
军事
基站
宽带无线应用
最大增益（dB ）
25
20
15
10
5
0
0
2
4
味精
MAG
6
8
10
12
14
16
频率（GHz ）
注：此设备是在之前敲定所有电气规格的表征过程的早期阶段。规格如有
更改，恕不另行通知。
TriQuint半导体公司德州：电话(972)994-8465传真(972)994-8504电子邮件： Info-mmw@tqs.com网站： www.triquint.com
1
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表一
最大额定值
符号
V
+
V
-
I
+
| I
G
|
P
IN
P
D
T
CH
T
M
T
英镑
1/
2/
3/
TGF2021-12
价值
12.5 V
-5V至0V
5.6 A
70毫安
36 dBm的
见注3
150
°C
320
°C
-65到150
°C
2/
2/ 3/
4/
2/
参数1 /
正电源电压
负电源电压范围
正电源电流
门电源电流
输入连续波功率
功耗
工作通道温度
安装温度（ 30秒）
储存温度
笔记
2/
这些评级代表了该设备的最大可操作的价值。
电源电压，电源电流，输入功率和输出功率应的组合
不超过P
D
.
为1E + 6小时的中值寿命，功耗限制为：
P
D
（最大值）=（ 150
°C
- TBASE
°C)
/ 8.3 （ ° C / W）
结工作温度将直接影响到设备中位无故障时间
(T
M
） 。为了获得最大的寿命，所以建议的结温保持
在尽可能低的水平。
4/
表二
DC传感器特性
(T
A
= 25
QC ，
标称）
符号
IDSS
Gm
V
P
V
BGS
V
BGD
参数
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
击穿电压
栅极 - 源
击穿电压
栅极 - 漏极
最低
-
-
-1.5
-30
-30
典型
3600
4500
-1
-
-
最大
-
-
-0.5
-14
-14
单位
mA
mS
V
V
V
注意：对于TriQuint公司的0.35微米功率pHEMT器件，射频击穿>>直流击穿
2
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表三
射频表征表
1/
(T
A
= 25
°C,
标称）
符号
动力调谐：
PSAT
PAE
收益
RP 2 /
CP 2 /
Γ
L
3/, 4/
效率的关注：
PSAT
PAE
收益
RP 2 /
CP 2 /
Γ
L
3/, 4/
饱和输出功率
功率附加效率
功率增益
并联电阻
并联电容
负载反射系数
41
58
11.5
3.65
6.484
0.956
∠
176.1
41.8
52
11
4.06
6.223
饱和输出功率
功率附加效率
功率增益
并联电阻
并联电容
负载反射系数
41.5
49
11
2.09
5.861
0.949
∠
177.7
42
47
11
2.86
5.787
TGF2021-12
参数
VD = 10V
IDQ = 900毫安
VD = 12V
IDQ = 900毫安
单位
DBM
%
dB
pF
-
0.947
∠
176.7
DBM
%
dB
pF
-
0.852
∠
165.7
在此表中的1 /值是从1.5mm的单元的pHEMT细胞采取在10GHz的测量标
2 /大信号等效pHEMT的输出网络
在10GHz 3 /最佳负载阻抗为最大功率或最大的PAE
4 /该设备的反射系数计算了从规模较大的信号卢比&的Cp 。
串联电阻和电感（ Rd和Ld）在第4页的图中所示被排除
表四
热信息
参数
θ
JC
热阻
测试条件
T
CH
(
o
C)
T
JC
（ QC / W）
T
M
（小时）
VD = 10 V
142
8.3
2E+6
（通道运营商的背面） IDQ = 900毫安
PDISS = 8.96 W
注：假设共晶附加使用1.5万80/20金锡安装到20万粗磨
载体在70℃下底板温度。
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TGF2021-12
线性模型1.5毫米单位pHEMT制电池
RDG
Lg
门
CGS
RGS
R
i
+
RDS
gm
v
i
CDS
Rg
CDG
Rd
Ld
漏
v
i
-
Ls
RP中，Cp
8QLW S + （ 07 FHOO
崬3ODQH
Rs
来源
门
来源
来源
漏
UPC
来源
UPC = 1.5毫米单位pHEMT制电池
模型
参数
Rg
Rs
Rd
gm
CGS
Ri
CDS
RDS
CGD
头
Ls
Lg
Ld
RGS
RGD
VD = 8 V
IDQ = 112.5毫安
0.430
0.090
0.320
0.450
3.504
0.950
0.300
100.040
0.170
6.640
0.070
0.098
0.042
28700
282000
VD = 8 V
IDQ = 150毫安
0.430
0.080
0.320
0.457
3.770
0.940
0.303
102.720
0.158
7.050
0.070
0.098
0.040
26700
304000
VD = 8 V
VD = 10 V
IDQ = 187.5毫安IDQ = 112.5毫安
0.430
0.008
0.330
0.445
3.938
0.960
0.306
107.550
0.150
7.470
0.070
0.098
0.040
24000
217000
0.430
0.100
0.300
0.426
3.800
0.960
0.301
116.310
0.151
7.600
0.070
0.098
0.040
25500
30400
VD = 10 V
IDQ = 150毫安
0.430
0.090
0.320
0.429
3.974
0.980
0.304
118.32
0.147
7.920
0.070
0.098
0.039
29500
312000
VD = 12 V
IDQ = 112.5毫安
0.430
0.110
0.280
0.407
3.945
0.990
0.301
127.590
0.143
8.260
0.070
0.098
0.039
18100
241000
单位
S
pF
pF
pF
pS
nH
nH
nH
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TGF2021-12
线性模型12毫米pHEMT制
L - 通过= 0.0135 NH（ 9X ）
8
UPC
9
7
UPC
10
6
UPC
11
栅极焊盘（ 8X ）
5
UPC
12
排水垫（ 8X ）
4
UPC
13
3
UPC
14
2
UPC
15
1
UPC
16
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