先期产品信息
2004年6月29日
20 - 40 GHz的X3倍频器
0
-5
隔离度(dB )
-10
-15
-20
-25
-30
-35
TGC1430G-EPU
主要特点及性能
0.25微米pHEMT技术
20 - 40 GHz的输出频率
8.5 - 13.5 GHz的频率基本
-15 +/- 2分贝转换增益
18 dBm的输入驱动优化
15分贝基本隔离
30分贝二次谐波隔离
点至点收音机
点对多点通信
主要应用
芯片尺寸1.50毫米X 2.0毫米
0
转换增益(dB )
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
6
8
10
输入频率( GHz)的
12
+18dBm
14
6
8
10
输入频率( GHz)的
12
+18dBm
14
转换增益与输入频率(输入@ 18dBm的)
基本隔离
第二谐波抑制(分贝)
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
6
8
10
输入频率( GHz)的
12
14
第二谐波抑制
注:指定为EPU设备是在他们的表征过程通常年初之前敲定所有的电气和过程
规格。规格如有变更,恕不另行通知
1
TriQuint半导体公司德州:电话(972)994-8465传真(972)994-8504电子邮件: Info-mmw@tqs.com网站: www.triquint.com
先期产品信息
2004年6月29日
TGC1430G-EPU
机械制图
1.26 [0.049]
1.99 [0.078]
2
1.87 [0.073]
1
.00 [0.000]
1.30 [0.051]
1.49 [0.059]
.00 [0.000]
.12 [0.005]
单位:毫米[英寸]
厚度: 0.10 [ 0.004 ] (仅供参考)
芯片边缘到结合焊盘的尺寸示于键合焊盘中心。
芯片尺寸公差: ± 0.05 [ 0.002 ]
射频地通过背面
焊垫# 1
焊盘# 2
RF输入
RF输出
0.10 x 0.20
0.10 x 0.20
[0.004 x 0.008]
[0.004 x 0.008]
砷化镓MMIC设备容易受到静电放电损害。适当的预防措施
在搬运,装配和测试来观察。
注:指定为EPU设备是在他们的表征过程通常年初之前敲定所有的电气和过程
规格。规格如有变更,恕不另行通知
2
TriQuint半导体公司德州:电话(972)994-8465传真(972)994-8504电子邮件: Info-mmw@tqs.com网站: www.triquint.com
先期产品信息
2004年6月29日
TGC1430G-EPU
推荐装配图
RFIN
RFOUT
附2 TFNs和MMIC到载板作为
使用导电环氧树脂所示。
邦德4为采用最小长度显示wieres 。
砷化镓MMIC设备容易受到静电放电损害。适当的预防措施
在搬运,装配和测试来观察。
注:指定为EPU设备是在他们的表征过程通常年初之前敲定所有的电气和过程
规格。规格如有变更,恕不另行通知
3
TriQuint半导体公司德州:电话(972)994-8465传真(972)994-8504电子邮件: Info-mmw@tqs.com网站: www.triquint.com
先期产品信息
2004年6月29日
TGC1430G-EPU
装配过程的注意事项
回流焊工艺装配注意事项:
用金锡( 80/20)焊料有限暴露在温度等于或高于300 ℃(最多30秒)。
合金站或输送炉与还原气氛应该被使用。
无助熔剂应该加以利用。
热膨胀匹配系数为长期可靠性是至关重要的。
设备必须存放在干燥的氮气氛。
0
元件贴装和粘接剂连接装配注意事项:
真空铅笔和/或真空夹头是拾取起来的优选方法。
必须在放置过程中应避免廊桥。
力的影响是自动放置过程中是至关重要的。
有机附件可以在低功率应用中使用。
固化应该在对流烘箱中进行;正确的尾气是一个安全问题。
微波或辐射固化不应该被使用,因为差温加热。
热膨胀匹配系数是至关重要的。
互连工艺装配注意事项:
热压球焊是优选的互连技术。
力,时间和超声波是关键参数。
铝线不应使用。
0
最大阶段的温度是200 ℃。
砷化镓MMIC设备容易受到静电放电损害。适当的预防措施
在搬运,装配和测试来观察。
注:指定为EPU设备是在他们的表征过程通常年初之前敲定所有的电气和过程
规格。规格若有变更,恕不另行通知。
4
TriQuint半导体公司德州:电话(972)994-8465传真(972)994-8504电子邮件: Info-mmw@tqs.com网站: www.triquint.com