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T
R
I
Q
U
I
N
T
S
E
M
I
C
0:N
D
U
C
T O服务
R ,
I
N
C .
TGA9083-EEU
功率放大器
q
q
q
q
q
q
q
PHOTO扩建
6.5至11.5- GHz频率范围内
9083
在7V , 6 -W在8V ,在9伏漏极偏置8 -W 5瓦输出功率
19 - dB的典型小信号增益
40%的功率附加效率为7V , 35 % PAE在9伏漏极偏置
12 - dB的典型输入回波损耗,9 dB的典型输出回波损耗
片活动栅极偏置电路选项简化了偏置
4 , 521 X 3048 X 0100毫米( 0.178 X 0.120 X 0.004英寸)
TriQuint的TGA9083 - EEU是单片功率放大器,它工作在6.5
描述
11.5 GHz的。此设备是目前被归类为工程评估单位。这件T WO级功率
放大器部分由一个2.5 -mm pHEMT制开着11.36 -mm的pHEMT的输出。该
TGA9083 - EEU能在9伏偏置提供8瓦的输出功率有35 %的PAE 。
典型7伏特操作提供5瓦的输出功率为40的功率附加效率
个百分点。典型的小信号增益为1 9分贝。在均衡配置, 12瓦的输出功率为
达到的40 %的PAE 。
该TGA9083 - EEU采用TI的0.25微米T型门功率pHEMT工艺制造。该器件提供s
任一标准门偏压或一个片上有源栅极偏置电路,从而简化了栅偏压。该
活跃的栅极偏置( AGB )电路需要 - 5 V电源。该放大器的输出功率和高效率
在6.5 11.5 GHz的麦è它的应用,如点对点广播一个可行的功率放大器解决方案,
相控阵雷达和通讯。
焊盘和背面金属化是镀金的COMPA tibility有共晶合金附件
方法以及与热压和热声丝η-键接的过程。
该TGA9083 - EEU在芯片供给m和使用自动设备可容易地组装。
接地过孔到背面金属提供给circuitr年。
TriQuint半导体
德州设施
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TGA9083-EEU
典型
输出功率
40
38
36
34
P
IN
= 21 dBm的
I
D
= 1.1 A
T
A
= 30 ° C
的Pout ( dBm的)
32
30
28
26
24
22
20
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0
10.5
11.0
11.5
漏极电压:
7V
8V
9V
频率
(千兆赫)
典型
电加
效率
50
45
40
35
P
IN
= 21 dBm的
I
D
= 1.1 A
T
A
= 30 ° C
PAE (%)
30
25
20
15
10
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0
10.5
11.0
11.5
漏极电压:
7V
8V
9V
频率
(千兆赫)
典型
小信号增益
40
35
I
D
= 1.1 A
T
A
= 30 ° C
小信号增益(dB )
30
25
20
15
10
5
0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0 10.5 11.0 11.5
漏极电压:
7V
8V
9V
频率
(千兆赫)
TriQuint半导体
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2
TGA9083-EEU
典型
输入回波损耗
0
I
D
= 1.1 A
T
A
= 30 ° C
5
输入回波损耗(dB )
10
15
20
25
漏极电压:
7V
8V
9V
30
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0 10.5 11.0 11.5
频率
(千兆赫)
典型
输出回波损耗
0
I
D
= 1.1 A
T
A
= 30 ° C
5
输出回波损耗(dB )
10
15
20
25
漏极电压:
7V
8V
9V
30
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0 10.5 11.0 11.5
频率
(千兆赫)
典型
漏电流
3000
2500
P
IN
= 21 dBm的
I
D
= 1.0 1.1
T
A
= 30 ° C
2000
ID (MA )
1500
1000
漏极电压:
500
7V
8V
9V
0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
9.5
10.0
10.5
11.0
11.5
频率
(千兆赫)
TriQuint半导体
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3
TGA9083-EEU
绝对
最大额定值
漏极供电电压,V
D
...................................................................................................................... 10 V
负电源电压范围,V
G
.................................................. ............................................ - 5 V至0 V
漏极电源电流,我
D
................................................................................................................
3.5 A
功耗,P
D
,在(或低于) 25℃的基片温度* ..................................... ................... 39 W
输入连续波功率,P
IN
.................................................. ................................................ 25.5 dBm的
工作信道的温度,T
CH
** ......................................................... ..................................... 150 C
安装温度(30秒),T
M
.................................................................................................. 320 C
存储温度范围,T
英镑
.................................................. .......................................... - 65 ℃150℃
在工作通道的温度范围内,T评分
CH
(除非另有说明)
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成脱副永久性损坏。
这些压力额定值只,和去副在这些功能操作或超出了Y之外的情况
那些在“RF特性”表示是不是暗示。 xposure在绝对最大额定条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
*对于上述操作25℃基地-plate温度,线性降额在73毫瓦/ C的速度
**工作通道温度直接影响到德副MTTF 。为了获得最大的寿命,所以建议
通道温度维持在低est的可能电平。
4
TriQuint半导体
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TGA9083-EEU
典型的S参数
频率
(千兆赫)
6.5
6.6
6.7
6.8
6.9
7.0
7.1
7.2
7.3
7.4
7.5
7.6
7.7
7.8
7.9
8.0
8.1
8.2
8.3
8.4
8.5
8.6
8.7
8.8
8.9
9.0
9.1
9.2
9.3
9.4
9.5
9.6
9.7
9.8
9.9
10.0
10.1
10.2
10.3
10.4
10.5
10.6
10.7
10.8
10.9
11.0
11.1
11.2
11.3
11.4
11.5
S11
dB
-14.31
-13.64
-13.08
-12.72
-12.36
-12.15
-11.94
-11.81
-11.71
-11.62
-11.54
-11.48
-11.46
-11.49
-11.56
-11.64
-11.84
-12.00
-12.27
-12.59
-13.03
-13.55
-14.20
-15.00
-15.96
-16.95
-18.19
-19.31
-20.44
-21.28
-21.77
-21.75
-21.45
-20.72
-19.95
-19.15
-18.33
-17.51
-16.67
-15.95
-15.23
-14.62
-13.99
-13.41
-12.87
-12.39
-11.97
-11.57
-11.21
-10.91
-10.63
血管紧张素(°)
-78.1
-94.1
-107.7
-118.8
-128.4
-136.9
-144.3
-151.0
-157.2
-163.0
-168.6
-174.6
179.6
173.5
167.5
161.1
154.7
148.0
140.8
133.2
124.8
115.8
106.2
95.7
84.3
72.4
59.3
45.4
29.9
14.1
-3.6
-19.6
-35.6
-48.2
-58.9
-68.3
-76.7
-84.1
-91.4
-98.1
-104.5
-110.8
-117.4
-123.9
-130.8
-137.8
-145.6
-153.5
-162.1
-171.2
179.2
S21
dB
21.77
21.69
21.42
21.09
20.74
20.40
20.12
19.88
19.69
19.55
19.48
19.44
19.45
19.51
19.61
19.75
19.93
20.16
20.41
20.67
20.93
21.18
21.39
21.56
21.67
21.72
21.71
21.63
21.49
21.30
21.07
20.81
20.52
20.24
19.95
19.67
19.38
19.11
18.86
18.61
18.37
18.13
17.89
17.65
17.42
17.17
16.93
16.64
16.34
16.00
15.63
血管紧张素(°)
168.2
146.0
125.7
107.0
89.7
73.4
57.9
43.1
28.9
14.9
1.3
-12.1
-25.4
-38.6
-51.8
-65.0
-78.4
-92.1
-106.1
-120.4
-135.0
-150.0
-165.3
179.2
163.6
147.9
132.2
116.7
101.3
86.3
71.4
56.8
42.5
28.3
14.3
0.4
-13.4
-27.2
-41.1
-55.0
-69.0
-83.0
-97.2
-111.8
-126.3
-141.0
-156.2
-171.4
173.1
157.3
141.4
S12
dB
-64.33
-60.56
-58.66
-57.67
-57.01
-56.72
-56.97
-57.08
-57.77
-57.76
-57.76
-57.71
-58.13
-58.49
-58.82
-58.75
-59.10
-59.09
-59.22
-58.89
-58.80
-58.78
-58.42
-58.06
-57.95
-57.57
-57.49
-57.13
-57.62
-57.57
-57.59
-57.61
-57.36
-57.08
-56.69
-56.18
-55.71
-54.67
-54.34
-53.49
-53.00
-52.35
-51.80
-51.56
-51.12
-50.77
-50.69
-50.33
-50.57
-50.76
-50.93
血管紧张素(°)
88.1
81.2
70.2
59.6
48.2
37.4
28.1
20.2
11.7
4.5
-5.0
-14.8
-28.3
-39.3
-50.7
-62.5
-79.3
-95.6
-113.4
-133.1
-149.5
-170.2
173.1
152.0
133.7
114.0
93.9
77.9
59.4
40.5
20.7
3.4
-15.4
-32.3
-51.1
-64.5
-80.0
-92.3
-106.2
-119.4
-133.6
-144.6
-155.4
-166.5
-178.6
170.8
159.1
147.9
136.5
124.9
112.2
S22
dB
-14.44
-14.21
-14.24
-14.50
-14.91
-15.53
-16.28
-16.99
-17.83
-18.52
-19.16
-19.83
-20.05
-20.59
-20.68
-20.89
-20.52
-19.67
-18.60
-17.09
-15.59
-14.14
-12.89
-11.82
-10.98
-10.41
-9.98
-9.83
-9.84
-10.03
-10.44
-10.91
-11.62
-12.32
-13.23
-14.16
-15.11
-16.20
-17.11
-18.22
-19.22
-20.24
-21.37
-22.33
-23.12
-23.74
-23.25
-22.17
-20.63
-18.89
-17.29
血管紧张素(°)
114.4
89.3
69.1
50.1
34.3
17.3
1.9
-14.2
-30.1
-46.3
-61.9
-75.8
-88.6
-98.0
-105.8
-108.7
-109.5
-108.5
-107.9
-109.5
-112.4
-117.2
-124.4
-132.0
-141.0
-150.3
-160.1
-170.4
179.4
168.5
158.1
147.1
136.0
124.6
112.1
100.1
86.9
73.2
59.2
43.6
28.4
11.4
-7.1
-26.6
-50.8
-75.6
-104.2
-131.1
-153.4
-174.0
168.8
T
A
= 25 ° C,V
D
= 8 V,I
D
= 1.1 A
参考平面局长-parameter数据包括连接线作为指定“推荐要求谁料组装图。 ”
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25+
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