产品数据表
2005年10月14日
6-13 GHz的低噪声放大器
TGA8399B-SCC
主要特点及性能
6-13 GHz频率范围内
1.5分贝典型噪声系数中频
26分贝标称增益
高输入功率： 20dBm的
平衡式输入的低驻波
5V @ 65毫安自偏压
0.25微米pHEMT技术
芯片尺寸3.1× 2.4× 0.15毫米
主要应用
点至点收音机
X波段雷达， ECM
描述
TriQuint的TGA8399B - SCC是单片自我
偏置低噪声放大器具有平衡输入
低驻波比。该LNA从6至13个动作
GHz的1.5典型的中频段的噪声系数
分贝。该器件具有高增益的26分贝
整个波段，同时提供一个标称输出
功率11dBm的P1dB的增益压缩。
典型的输入和输出回波损耗为18 dB 。
接地通孔，以提供给所述电路
背面金属化。该TGA8399B -SCC
低噪声放大器，适用于各种
商业和高频应用，C
和X波段的应用，如雷达接收机，
电子对抗措施，诱饵，干扰器
和相控阵系统。在5V电压下的漏
电流大约为65mA。并且可以是
由选择的增加或减少
在每个阶段适当的源电阻。为
应用笔记就漏电流
选择，请参阅：
http://www.triquint.com/company/divisions/millime
ter_wave/AppNote_self_bias_of_8399b_c2.pdf
无铅并符合RoHS标准
典型电气特性
自偏压， VD = 5V ， 65毫安
28
26
小信号增益（dB ）
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
7
8
9
10
11
频率（GHz ）
12
13
0
收益
-3
-6
-9
-12
回波损耗（分贝）
输出RL
-15
-18
-21
-24
输入RL
-27
-30
6.0
5.5
5.0
噪声系数（dB ）
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
6
7
8
9
10
11
频率（GHz ）
12
13
14
13
12
P1dB的（ DBM）
噘
11
10
9
8
7
NF
6
5
4
TriQuint半导体公司德州：电话（ 972 ） 994 8465
传真：（ 972 ） 994 8504网址： www.triquint.com
1
产品数据表
2005年10月14日
TGA8399B-SCC
表一
最大额定值5 /
符号
V
+
V
-
I
+
P
IN
P
D
T
CH
T
M
T
英镑
参数
正电源电压
负电源电压范围
正电源电流（静态）
输入连续波功率
功耗
工作通道温度
安装温度（ 30秒）
储存温度
价值
8V
-5V至0V
百毫安
22 dBm的
1.95W
150
0
C
320
0
C
-65到150
0
C
笔记
4/
4/
3/ 4/
1/ 2/
1/
2/
这些等级适用于每一个人FET 。
结工作温度将直接影响到设备中位数故障时间（T
M
） 。为
最大寿命，所以建议的结温保持在尽可能低的
的水平。
当在此偏置条件为70的基板温度下操作
0
C，平均寿命
从9.2E + 8 2.5E + 6小时缩短。
电源电压，电源电流，输入功率，输出功率的组合应不超过P
D
.
这些评级代表了该设备的最大可操作的价值。
3/
4/
5/
表二
DC探索试验
（ TA = 25
°C ±
5
°C)
笔记
符号
民
I
DSS1
I
最大
Gm1
范围
最大
只有信息
169
99
0.5
8
8
290
239
1.5
30
30
单位
mA
mS
mS
V
V
V
1/
1/
1/
|V
P1,2,3,4,5
|
|V
BVGD1
|
|V
BVGS1
|
1/ V
P
, V
BVgd
和V
BVgs
是否定的。
TriQuint半导体公司德州：电话（ 972 ） 994 8465
传真：（ 972 ） 994 8504网址： www.triquint.com
2
产品数据表
2005年10月14日
TGA8399B-SCC
表三
射频特性
(T
A
= 25°C + 5°C)
记
TEST
测量
条件
自偏压， VD = 5V
民
23
价值
典型值
26
最大
单位
1/
小信号增益
F = 6 - 13 GHz的
dB
电源输出
@ 1 dB增益压缩
2/
噪声系数
F = 6 - 13 GHz的
11
DBM
F = 6 - 13 GHz的
F = 10 GHz的
2.0
2.5
-18
-9.5
dB
dB
dB
1/
输入回波损耗量f = 6 - 13 GHz的
输出回波损耗
大小
1/
F = 6 - 13 GHz的
-18
-9.5
dB
1/
2/
射频探针数据是在1 GHz的步骤
RF探针数据是在10千兆赫。
表四
热信息
参数
R
θJC
热阻
（信道的背面
运营商）
TEST
条件
VD = 5 V
I
D
= 65毫安
PDISS = 0.325 W
T
CH
(
O
C)
82.14
R
T
JC
（ QC / W）
37.354
T
M
（小时）
9.2E+8
注意：假设共晶附加使用1.5万80/20金锡安装到20万粗磨运营商
在70℃下底板温度。最坏的情况没有RF应用，直流100 ％
功率耗散。
TriQuint半导体公司德州：电话（ 972 ） 994 8465
传真：（ 972 ） 994 8504网址： www.triquint.com
3
产品数据表
2005年10月14日
TGA8399B-SCC
典型的晶圆上的电气特性
Sefl偏置， VD = 5V ，室温
29
28
27
26
25
5th
10th
20th
30th
40th
50th
60th
70th
80th
90th
95th
增益（dB ）
24
23
6
7
8
9
10
11
12
13
频率（GHz ）
3.0
2.5
5th
2.0
10th
20th
30th
NF（ dB）的
40th
1.5
50th
60th
70th
80th
1.0
90th
95th
0.5
0.0
6
7
8
9
频率（GHz ）
10
11
12
TriQuint半导体公司德州：电话（ 972 ） 994 8465
传真：（ 972 ） 994 8504网址： www.triquint.com
4
产品数据表
2005年10月14日
TGA8399B-SCC
典型的晶圆上的电气特性
Sefl偏置， VD = 5V ，室温
0
-5
-10
5th
10th
20th
30th
40th
50th
60th
70th
80th
90th
95th
-15
IRL （ dB）的
-20
-25
-30
-35
-40
6
7
8
9
10
11
12
13
频率（GHz ）
0
-5
-10
5th
10th
20th
30th
40th
50th
60th
70th
80th
90th
95th
-15
ORL （ dB）的
-20
-25
-30
-35
-40
6
7
8
9
10
11
12
13
频率（GHz ）
TriQuint半导体公司德州：电话（ 972 ） 994 8465
传真：（ 972 ） 994 8504网址： www.triquint.com
5
QQ：2881677436 复制
