产品数据表
2006年4月11日
9.9-12.5Gb / s光调制器驱动器
OC- 192城域和长途应用
表面贴装封装
TGA4953-SCC-SL
主要特点及性能
地铁MSA兼容
宽径范围（ 3V至10V ）
单端输入/输出
低功耗
（ 1.2W ，在VO = 6V ）
非常低的纹波铁
为25ps的边沿速率（ 20/80 ）
小巧的外形
- 11.4 X 8.9 ×2mm的
- 0.450 X 0.350 X 0.080英寸
评估板可用。
描述
TriQuint的TGA4953 -SCC -SL是一个系列的一部分
表面安装适合于调制器驱动器
各种驱动程序和应用程序是兼容
地铁MSA标准。
在4953由两个高性能
宽带放大器结合片外电路
组装在一个表面安装封装。单一
4953放置在MUX和光之间
调制器为OEM厂商提供板级
调制器驱动器表面贴装解决方案。
在4953提供城域和长途设计师
用系统的关键功能，如：低功耗
功耗（ 1.1W ，在VO = 6V ） ，极低的纹波铁路，
在5V偏置电压高驱动能力（ 6 V
振幅调整到3伏），低输出抖动（ 1ps的
均方根典型值）和低输入驱动器灵敏度（ 250mV的
在VO = 6V ） 。
在4953需要外部DC模块，低
频扼流圈，和控制电路。
该TGA4953 - SCC- SL是可评估
板。
RoHS兼容的版本可用。
TriQuint半导体公司德州： (972)994-8465
主要应用
Mach-Zehnder调制驱动程序
城域和长途
IRZ &双二进制应用
实测性能
TGA4953评估板（地铁MSA条件）
10.7 Gb / s的，V
D
= 5 V，I
D
= 210毫安， （ PDC = 1.1W ）
V
OUT
= 6 V
PP
，中共中央= 50％ ，V
IN
= 500 mV的
PP
规模： 2 V /格，15个PS / DIV
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2006年4月11日
TGA4953-SCC-SL
表一
最大额定值
符号
V
D1
V
D2T
漏极电压
V
G1
V
G2
V
CTRL1
V
CTRL2
I
D1
I
D2T
| I
G1
|
| I
G2
|
| I
CTRL1
|
| I
CTRL2
|
P
IN
V
IN
P
D
T
CH
T
M
T
英镑
1/
2/
3/
4/
栅极电压范围
控制电压范围
漏极电源电流（静态）
门电源电流
控制电源电流
输入连续波功率
12.5GB / s的PRBS输入电压
功耗
工作通道温度
安装温度
（10秒）
储存温度
参数
价值
8V
-3V至0V
-3V到V
D
200毫安
350毫安
15毫安
15毫安
23 dBm的
4 V
PP
4W
150 C
230
0
C
-65到150
0
C
0
笔记
1/ 2/
1/
1/
1/ 2/
1/
1/ 5/
1/ 2/
1/ 2/
1/ 2/ 3/
4/
这些评级代表了最高值，操作此设备
电源电压，电源电流，输入功率和输出功率应的组合
不超过P
D
在80 ℃的封装基座温度
当在此偏置条件为80 ℃的基板温度下操作，该
平均无故障时间降低
结工作温度将直接影响到设备中位无故障时间
（ MTTF ） 。为了获得最大的寿命，所以建议的结温是
保持在尽可能低的水平。
保证V
CTRL1
从来没有超过V
D1
和V
CTRL2
从来没有超过V
D2
在偏见和
下来的序列。
5/
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TGA4953-SCC-SL
表二
热信息
参数
R
θJC
热阻
（信道的背面
包）
测试条件
V
D2T
= 4.7V
I
D2T
= 150毫安
P
DISS
= 0.71W
T
BASE
= 80°C
T
CH
(°C)
98
R
θJC
（ ° C / W）
26
MTTF
（小时）
>1E6
注：热转印是通过TGA4953 - SCC- SL的底部进行
打包到主板。主板必须被设计成
确保足够的热传递到基板上。
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TGA4953-SCC-SL
表三
射频表征表
(T
A
= 25 ° C，标称）
参数
小信号
带宽
饱和功率
带宽
0.1 ，2，4千兆赫
6 GHz的
10 GHz的
14 GHz的
16 GHz的
0.1, 2, 4, 6, 10, 14,
16 GHz的
0.1, 2, 4, 6, 10, 14,
16 GHz的
3 GHz的
30
28
26
19
14
10
15
测试条件
民
典型值
最大
单位
笔记
8
GHz的
12
GHz的
小信号
收益
dB
1/ 2/
输入反射
损失
输出反射
损失
噪声系数
小信号
AGC范围
饱和输出
动力
dB
1/ 2/
10
15
dB
1/ 2/
2.5
dB
中频
30
dB
2，4， 6，8 & 10千兆赫
25
DBM
6/ 7/
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表三
射频表征表
(T
A
= 25 ° C，标称）
参数
测试条件
V
D2T
= 8.0V
V
D2T
= 6.5V
V
D2T
= 5.5V
V
D2T
= 4.5V
V
D2T
= 4.0V
V
IN
= 500mV的
PP
V
IN
=为800mV
PP
V
IN
= 250mV的
PP
V
IN
= 500mV的
PP
V
IN
=为800mV
PP
250mV
PP
800mV
PP
250mV
PP
800mV
PP
26.5
28.5
28.5
民
10
8.0
7.0
6.0
5.5
0.9
1.0
32
35
35
6.0
6.0
0.45
0.10
2.0
2.0
典型值
最大
单位
笔记
眼图幅度
V
PP
3/ 4/
附加抖动
（ RMS）
Q因子
三角洲隧道
百分比
达美眼
振幅
Ps
5/
V/V
%
V
PP
表三，注意事项：
1 /在验证包级别的RF测试
2 /包RF测试偏差： V
D
= 5V ，调整V
G1
实现我
D
= 65毫安然后调整V
G2
实现
I
D
=的200mA， V
CTRL1
= -0.2V & V
CTRL2
= +0.2 V
3 /验证设计， SMT组装到演示板的片6细节。
4/ V
IN
= 250mV的，数据速率= 10.7GB / S，V
D1
= V
D2T
或更大，V
CTRL2
和V
G2
调整为
最大输出
5 /运算使用RSS的方法，其中J
RMS_DUT
=
√(J
RMS_TOTAL2
- J
RMS_SOURCE2
)
6 /验证在芯片级的晶圆探针
7 /功率偏置模具探头： V
T恤
= 8V ，调整V
G
实现我
D
= 175毫安± 5 ％以下，V
CTRL
= +1.5V
8 /值与500mV的输入测量的差异。结果是绝对值。
注意：在管芯级，漏极偏压通过RF输出端口使用偏置T形接头，电压施加
是在DC输入到偏置T形
5
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