TGA4706-FC
77 GHz的中等功率放大器
主要特点
频率范围： 76 - 83 GHz的
PSAT ： 14 dBm的77 GHz的
增益： 15分贝
偏见： VD = 3.5 V ， V G = 0.2 V， IDQ = 125毫安
典型
工艺： 0.13微米pHEMT制与前端
铜/锡柱
芯片尺寸： 1.86 X 1.37 X 0.38毫米
实测性能
偏置条件： VD = 3.5 V ， IDQ = 125 mA时， V G = 0.2 V（典型）
主要应用
汽车雷达
E波段通信
16
14
噘嘴@ 77千兆赫（ DBM）
12
10
8
6
4
2
0
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
输入功率（dBm ）
20
15
增益，IRL ，ORL （ dB）的
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
76
77
78
79
80
频率（GHz ）
81
82
83
收益
IRL
ORL
产品说明
TriQuint的TGA4706 -FC是一种倒装芯片介质
功率放大器设计的操作
汽车雷达的频率波段。该TGA4706-
FC采用TriQuint公司的成熟的0.13微米设计
pHEMT工艺和前端铜/锡柱
技术简化装配和低
互连电感。模具可靠性
通过使用TriQuint公司BCB聚合物增强
钝化工艺。
该TGA4706 -FC通常提供14 dBm的
饱和输出功率与15分贝小信号
争取在77千兆赫。
无铅并符合RoHS标准。
1
TriQuint半导体： WWW 。 triquint.com (972)994-8465传真(972)994-8504 Info-mmw@tqs.com
2009年11月 C版本
TGA4706-FC
表一
绝对最大额定值1 /
符号
VD -VG
Vd
Vg
Id
Ig
针
漏极电压
栅极电压范围
漏电流
栅电流
输入连续波功率
参数
漏极至栅极电压
价值
6V
4V
-2 0.45 V
240毫安
4毫安
15 dBm的
笔记
2/
2/
2/
1/
这些评级代表了该设备的最大可操作的价值。强调超越这些上市
“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏设备和/或影响
器件的寿命。这些压力额定值只，设备的这些功能操作
条件是不是暗示。
电源电压，电源电流，输入功率，输出功率的组合应不超过
表四列出的最大功耗。
2/
表二
推荐工作条件
符号
Vd
Vg
IDQ
漏极电压
栅极电压
漏电流（静态）
参数1 /
价值
3.5 V
+0.2 V
125毫安
1/
见装配图的偏差说明。
2
TriQuint半导体： WWW 。 triquint.com (972)994-8465传真(972)994-8504 Info-mmw@tqs.com
2009年11月 C版本
TGA4706-FC
表三
射频表征表
偏置条件： VD = 3.5 V ， V G = 0.2 V， IDQ = 125 mA典型
符号
收益
IRL
ORL
PSAT
噘
参数
小信号增益
输入回波损耗
输出回波损耗
饱和输出
动力
输出功率（输入
Power=-3dBm)
TEST
条件
F = 76-77 GHz的
F = 76-77 GHz的
F = 76-77 GHz的
F = 77 GHz的
F = 77 GHz的
最低
公称
15
4
15
14
单位
dB
dB
dB
DBM
DBM
9
12
3
TriQuint半导体： WWW 。 triquint.com (972)994-8465传真(972)994-8504 Info-mmw@tqs.com
2009年11月 C版本
TGA4706-FC
表四
功耗和热性能
参数
最大功率耗散
测试条件
Tbaseplate = 130.0 °
C
价值
PD = 0.6W，
Tchannel = 150 °
C
TM = 2.4E + 7小时
θJC
= 33.3 (°
C / W ）
Tchannel = 93.8 °
C
TM = 3.2E + 10小时
笔记
1/ 2/
热阻，
θJC
在RF驱动器
VD = 3.5 V
VG = + 0.2V
IDQ = 125毫安
PD = 0.438 W
Tbaseplate = 85 °
C
安装温度
储存温度
请参阅回流焊
型材（ 10页）
-65到150
C
1/
为2.4E + 07小时平均寿命，功耗限制为
加入Pd（最大值） = （150° - TBASE °
C
C） / θJC 。
2/
通道的工作温度将直接影响设备的平均无故障时间（ MTTF ） 。为
最大寿命，所以建议信道的温度被保持在尽可能低的
的水平。
中位生存时间（TM ）与通道温度
1.E+13
1.E+12
平均寿命（小时）
1.E+11
1.E+10
1.E+09
1.E+08
1.E+07
1.E+06
1.E+05
1.E+04
FET11
25
50
75
100
125
150
175
200
通道温度（ ℃）
4
TriQuint半导体： WWW 。 triquint.com (972)994-8465传真(972)994-8504 Info-mmw@tqs.com
2009年11月 C版本
TGA4706-FC
在翻转测量数据的模具上载板
偏置条件： VD = 3.5 V ， V G = 0.2 V， IDQ = 125 mA典型
20
18
16
增益（dB ）
14
12
10
8
6
70
72
74
76
78
80
频率（GHz ）
82
84
86
5
0
回波损耗（分贝）
-5
-10
-15
-20
-25
-30
70
72
74
76
78
80
频率（GHz ）
82
84
86
IRL
ORL
5
TriQuint半导体： WWW 。 triquint.com (972)994-8465传真(972)994-8504 Info-mmw@tqs.com
2009年11月 C版本
QQ：2880707522 复制
