先期产品信息
二○○五年十一月一十一日
Ka波段封装的1W功率放大器
主要特点
TGA4509-SM
频率范围： 28-31 GHz的
30 dBm的P1dB为名义
19分贝标称增益
偏置条件： VD = 6 V ， Idq_tot = 420毫安
（下RF驱动器ID = 800毫安）
紧凑型4 ×4 QFN 20引脚
封装尺寸： 4.0× 4.0× 0.9毫米
主要应用
Ka波段VSAT地面终端
点至点收音机
点对多点通信
产品说明
TriQuint的TGA4509 - SM是一种
Ka波段封装的1W功率放大器。
该TGA4509 -SM的工作28-31
GHz和使用设计TriQuint公司
证明标准的0.25微米功率pHEMT制
生产过程。
该TGA4509 -SM通常提供30
输出功率dBm的1 dB增益
压缩为19小信号增益
分贝。
该TGA4509 -SM是一个低可用
成本，表面贴装的4×4 QFN风格
封装，非常适合梁家
波段VSAT地面终端，点对
点广播和点对点点对多点
应用程序。
评估板可应
请求。
无铅并符合RoHS标准。
实测性能
偏置条件： VD = 6V ， IDQ = 420毫安
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
28
28.5
29
29.5
30
30.5
31
输入
产量
收益
0
-2
-4
-6
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-22
-24
-8
频率（GHz ）
33
32
输出功率（dBm ）
31
30
29
28
27
26
25
24
23
28
28.5
29
29.5
30
30.5
31
P1dB
PSAT
频率（GHz ）
注：此设备是在之前敲定所有电气规格的表征过程的早期阶段。规格如有
更改，恕不另行通知。
1
TriQuint半导体公司德州：电话(972)994-8465传真(972)994-8504电子邮件： Info-mmw@tqs.com网站： www.triquint.com
回波损耗（分贝）
增益（dB ）
先期产品信息
表一
最大额定值
符号
V
+
V
-
I
+
| I
G
|
P
IN
P
D
T
CH
T
M
T
英镑
1/
2/
3/
二○○五年十一月一十一日
TGA4509-SM
参数1 /
正电源电压
负电源电压范围
正电源电流
门电源电流
输入连续波功率
功耗
工作通道温度
安装温度（ 30秒）
储存温度
价值
7V
-5V至0V
984毫安
35毫安
22 dBm的
见注3
150
°C
260
°C
-65到150
°C
笔记
2/
2/
2/
2/ 3/
4/ 5/
这些评级代表了该设备的最大可操作的价值。
电源电压，电源电流，输入功率和输出功率的组合不得
超过P
D
.
为1E + 6小时的中值寿命，功耗限制为：
P
D（最大）
= (150
°C
– T
BASE
°C)
/ 22.4 （ ° C / W）
这些等级适用于每一个人FET 。
结工作温度将直接影响到设备中位数故障时间（T
M
).
为了获得最大的寿命，所以建议的结温保持在
尽可能低的水平。
4/
5/
2
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二○○五年十一月一十一日
TGA4509-SM
表二
射频表征表
(T
A
= 25qC ，标称）
偏置条件： VD = 6V ， IDQ = 420毫安
符号
参数
测试条件
公称
单位
收益
小信号增益
F = 28-31 GHz的
19
dB
IRL
输入回波损耗
F = 28-31 GHz的
16
dB
ORL
输出回波损耗
F = 28-31 GHz的
10
dB
PSAT
饱和输出功率
输出功率@ 1分贝
压缩
F = 28-31 GHz的
30.5
DBM
P1dB
F = 28-31 GHz的
30
DBM
表三
热信息
参数
R
θJC
热阻
（海峡到包）
测试条件
V
D
= 6V
I
Dq
= 420毫安
P
DISS
= 2.52 W
T
CH
（ QC ）
141
R
T
jc
MTTF
（ QC / W） （ HRS ）
22.4
2.2 E+6
注意：包的背面是在85
°C
底板的温度。最坏的情况是
在饱和输出功率时，直流功耗上升到4.8 W和
1瓦RF功率输送到负载。耗散功率为3.8 W和
温度上升的信道是85
°C.
基板温度必须在
减少到65
°C
留在150以下
°C
最大通道
温度。
3
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二○○五年十一月一十一日
TGA4509-SM
实测性能
偏置条件： VD = 6 V ， IDQ = 420毫安
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
输入
收益
0
-2
-4
-6
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-22
-24
-8
产量
频率（GHz ）
24
22
20
18
16
增益（dB ）
14
12
10
8
6
4
2
0
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
-40摄氏度
+25摄氏度
+ 80摄氏度
*注意：
温度数据是通过连接器连接评估板。
参考平面是在射频连接器，并且因此连接器和
板损耗尚未解嵌。
4
频率（GHz ）
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回波损耗（分贝）
增益（dB ）
先期产品信息
二○○五年十一月一十一日
TGA4509-SM
实测性能
偏置条件： VD = 6 V ， IDQ = 420毫安
33
32
输出功率（dBm ）
31
30
29
28
27
26
25
24
23
28
28.5
29
29.5
30
30.5
31
31.5
32
P1dB
PSAT
频率（GHz ）
33
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
-18
-14
-10
-6
-2
2
6
10
14
18
噘
收益
IDS
1100
1000
900
800
600
500
400
300
200
100
0
700
增益（dB ） &噘（ DBM）
输入功率@ 30千兆赫（ DBM）
IDS （毫安）
5
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