先期产品信息
2004年11月2日
Q波段驱动放大器
主要特点
TGA4042-EPU
典型频率范围： 41 - 45 GHz的
18 dBm的P1dB为名义
14分贝标称增益
17分贝标称回波损耗
片上功率检测器
偏置6 V ， 168毫安
0.25微米2MI pHEMT技术
芯片尺寸3.20 X 2.18 X 0.1毫米
（ 0.126 X 0.086 X 0.004 ）在
初步测量数据
偏置条件： VD = 6 V ，ID = 168毫安
25
小信号增益（dB ）
15
5
-5
-15
-25
-35
40
41
42
43
44
45
46
47
频率（GHz ）
主要应用
点至点收音机
军用雷达系统
Q波段卫星信号COM
收益
ORL
IRL
20
19
P1dB的（ DBM）
18
17
16
15
42
42.2
42.4
42.6
42.8
43
频率（GHz ）
注：指定为EPU设备是在他们的表征过程通常年初之前敲定所有的电气和过程
规格。规格若有变更，恕不另行通知
TriQuint半导体公司德州：电话(972)994-8465传真(972)994-8504电子邮件： Info-mmw@tqs.com网站： www.triquint.com
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先期产品信息
2004年11月2日
TGA4042-EPU
表一
最大额定值1 /
符号
Vd
Vg
Id
Ig
P
IN
P
D
T
CH
T
M
T
英镑
1/
2/
3/
4/
漏极电压
栅极电压范围
漏电流
栅电流
输入连续波功率
功耗
工作通道温度
安装温度（ 30秒）
储存温度
参数
价值
8V
-5至0 V
294毫安
14毫安
21 dBm的
3.3 W
150 C
320
0
C
-65 150℃
0
0
笔记
2/
2/ 3/
3/
2/ 4/
5/ 6/
这些评级代表了该设备的最大可操作的价值。
电源电压，电源电流，输入功率，输出功率的组合应不超过P
D
.
总电流为整个MMIC 。
当在此偏置条件为70 ℃的基板温度下操作，中值寿命是
降低至1E + 6小时。
结工作温度将直接影响到设备中位数故障时间（ MTTF ） 。为
最大寿命，所以建议的结温保持在尽可能低的
的水平。
这些等级适用于每一个人FET 。
0
5/
6/
表二
DC探头试验
0
（ TA = 25 ℃，公称通）
符号
I
DSS,Q1
G
M,Q1
V
BVGS,Q1
V
BVGD ， Q1 & Q3
V
P,Q1-Q6
参数
饱和漏极电流
跨
击穿电压门源
击穿电压栅极 - 漏极
捏-O FF电压
分钟。
20
44
-30
-30
-1.5
典型值。
57
75
-21
-21
-1
马克斯。
94
106
-8
-8
-0.5
单位
mA
mS
V
V
V
Q1& Q2是200微米的FET ， Q3 & Q4是240微米场效应管， Q5 & Q6是400微米场效应管
注：指定为EPU设备是在他们的表征过程通常年初之前敲定所有的电气和过程
规格。规格若有变更，恕不另行通知
TriQuint半导体公司德州：电话(972)994-8465传真(972)994-8504电子邮件： Info-mmw@tqs.com网站： www.triquint.com
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TGA4042-EPU
表三
电气特性
（ TA = 25
0
C，标称）
参数
频带
漏极电压， Vd的
漏电流，身份证
栅极电压Vg的
小信号增益， S21
输入回波损耗， S11
输出回波损耗， S22
输出功率@ 1 dB压缩增益， P1dB为
典型
41 - 45
6
168
-0.5
14
17
20
18
单位
GHz的
V
mA
V
dB
dB
dB
DBM
表四
热信息
参数
TEST
条件
VD = 6 V
I
D
= 168毫安
PDISS = 1.008 W
T
CH
(
O
C)
R
θJC
（ ° C / W）
T
M
（小时）
R
θ
JC
热阻
（通道运营商的背面）
92.58
22.40
2.7E+8
注意：
假设共晶附加使用1.5万80/20金锡安装到20万粗磨运营商
在70℃下底板温度。最坏的情况没有RF应用，直流100 ％
功率耗散。
注：指定为EPU设备是在他们的表征过程通常年初之前敲定所有的电气和过程
规格。规格若有变更，恕不另行通知
TriQuint半导体公司德州：电话(972)994-8465传真(972)994-8504电子邮件： Info-mmw@tqs.com网站： www.triquint.com
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TGA4042-EPU
初步测量数据
偏置条件： VD = 6 V ，编号= 168 mA时，房间温度。
17
16
15
14
13
增益（dB ）
12
11
10
9
8
7
6
5
40
41
42
43
44
45
46
47
频率（GHz ）
19.0
18.5
18.0
P1dB的（ DBM）
17.5
17.0
16.5
16.0
42
42.1
42.2
42.3
42.4
42.5
42.6
42.7
42.8
42.9
43
频率（GHz ）
注：指定为EPU设备是在他们的表征过程通常年初之前敲定所有的电气和过程
规格。规格若有变更，恕不另行通知
TriQuint半导体公司德州：电话(972)994-8465传真(972)994-8504电子邮件： Info-mmw@tqs.com网站： www.triquint.com
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先期产品信息
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TGA4042-EPU
初步测量数据
偏置条件： VD = 6 V ，编号= 168 mA时，房间温度。
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
40
41
42
43
44
45
46
47
频率（GHz ）
输入回波损耗（dB ）
输出回波损耗（dB ）
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
40
41
42
43
44
45
46
47
频率（GHz ）
注：指定为EPU设备是在他们的表征过程通常年初之前敲定所有的电气和过程
规格。规格若有变更，恕不另行通知
TriQuint半导体公司德州：电话(972)994-8465传真(972)994-8504电子邮件： Info-mmw@tqs.com网站： www.triquint.com
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