【先期产品信息2005年7月14日X波段低噪声放大器主要特点TGA2512典型频率范围： 5 - 15】,IC型号TGA2512,TGA2512 PDF资料,TGA2512经销商,ic,电子元器件-51电子网

先期产品信息

2005年7月14日

X波段低噪声放大器

主要特点

TGA2512

典型频率范围： 5 - 15 GHz的

1.4分贝标称噪声系数

27分贝标称增益

偏见： 5 V ，142 mA闸偏置

5 V ， 90毫安自偏压

0.15微米3MI pHEMT技术

芯片尺寸2.05 X 1.20 X 0.10毫米

（ 0.081 X 0.047 X 0.004英寸）

产品说明

TriQuint的TGA2512是宽带低噪声放大器

AGC放大器，用于电子战，电子对抗和雷达

接收器或驱动放大器应用。

提供高增益从5-15GHz 27分贝典型，

在TGA2512提供卓越的噪音

与典型的中频NF 1.4分贝性能，

而均衡的拓扑结构提供了良好的回报

损失通常15分贝。

该TGA2512是专为最大限度方便

的用途。大的输入场效应管可以处理多达

21dBm的输入功率可靠，而集结在

增益控制提供了典型增益15分贝

控制范围。该部分也被装配在

自偏置模式，采用+ 5V单电源

从芯片的任一侧，或在连接

栅极偏置模式，允许用户控制

当前针对特定的应用程序。

在自偏置模式的TGA2512提供6dBm的

典型的P1dB ，而在栅极偏置模式的

典型的P1dB超过13dBm的。的小尺寸

2.46mm

可以方便压实成多

芯片芯片模块（MCM ）。

该TGA2512是100％的DC和RF测试的导通

晶圆以确保性能达标。

无铅&符合RoHS标准。

噪声系数（dB ）

主要应用

X波段雷达

EW ， ECM

点至点收音机

测量夹具固定数据

偏置条件：栅极偏压VD = 5 V ，ID = 160毫安

S参数（分贝）

-10

-20

-30

-40

5.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

频率（GHz ）

收益

IRL

ORL

频率（GHz ）

注：设备在之前敲定所有电气规格的表征过程的早期阶段。规格如有变更，

恕不另行通知

TriQuint半导体公司德州：电话(972)994-8465传真(972)994-8504电子邮件： Info-mmw@tqs.com网站： www.triquint.com

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2005年7月14日

TGA2512

表一

最大额定值1 /

符号

英镑

漏极电压

栅极电压范围

漏电流（栅极偏置）

栅电流

输入连续波功率

功耗

工作通道温度

安装温度（ 30秒）

储存温度

参数

价值

[ 3.5 + （ 0.0125 ）（ID） ] V

-1 + 0.5 V

240毫安

7.04毫安

21 dBm的

见注5 /

117

320

-65到150

笔记

2/ 3/

2/ 4/

6/ 7/

这些评级代表了该设备的最大可操作的价值。

电源电压，电源电流，输入功率，输出功率的组合应不超过

用于标识单元是

总电流为整个MMIC 。

为1E + 6小时的中值寿命，功耗限制为：

（最大值）=（ 117

- T的

基地0

C) /

(

C / W ）

其中T

BASE

是底板的温度。

自我偏见是35.5

C / W

为栅极偏压为35.0

C / W

结工作温度将直接影响到设备中位数故障时间（ MTTF ）。为

最大寿命，所以建议的结温保持在最低possibl

的水平。

这些等级适用于每一个人FET 。

表二

DC探头试验

（ TA = 25

C，标称）

符号

BVGS ， Q1

P， Q1,2,4,5,6

参数

击穿电压栅极

来源

捏-O FF电压

分钟。

-30

-0.7

典型值。

马克斯。

-5

-0.1

单位

Q1 ， Q4 ， Q5是400微米的FET 。 Q2 ， Q6是300微米的FET 。

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2005年7月14日

TGA2512

表三

电气特性

（ TA = 25

C额定）

参数

频带

漏极电压， Vd的

漏电流，身份证

栅极电压Vg的

小信号增益， S21

输入回波损耗， S11

输出回波损耗， S22

噪声系数NF

输出功率@ 1分贝增益压缩， P1dB为

OIP3

栅极偏置

5 - 15

5.0

160

-0.1

1.4

自偏压

5 - 15

5.0

1.4

单位

GHz的

DBM

表四

热信息

参数

测试条件

VD = 5 V

ID = 160 mA闸偏置

PDISS = 0.80 W

VD = 5 V

ID = 90毫安自偏压

PDISS =为0.45W

(

100

（ QC / W）

37.6

（小时）

5.8E+6

热阻

（通道为例）

热阻

（通道为例）

82.7

28.2

4.1E+7

注：假设共晶附加使用1.5万80/20金锡安装到20万粗磨

运营商在70

底板温度。没有RF最坏的情况适用， 100 ％

直流功率耗散。

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2005年7月14日

测量夹具固定数据

偏置条件：栅极偏压VD = 5 V ，ID = 160毫安

TGA2512

摹AIN （分贝）

5.0

4.5

4.0

噪声系数（dB ）

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

频率（GHz ）

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2005年7月14日

TGA2512

测量夹具固定数据

偏置条件：栅极偏压VD = 5 V ，ID = 160毫安

-5

输入回波损耗（dB ）

-10

-15

-20

-25

-30

-35

-40

-45

-50

频率（GHz ）

-5

本安输出回波损耗（分贝）

-10

-15

-20

-25

-30

-35

-40

-45

-50

频率（GHz ）

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